请教：若把AT91SAM7SXX的内核电压1.8V接到3.3V会怎么样？（想超频）

zhousd · 发表于 2011-1-27 12:38:02

在不考虑功耗电流的前提下，会不会挂了？若不挂掉，能不能跑到100M 以上？

llf021421 · 发表于 2011-1-27 12:48:21

请教，超频哪道是把电压升高就行了吗？

zhousd · 发表于 2011-1-27 13:01:05

理论上存在着这个可能，就是PLL的压控电流环会随着电压的提升而输出更大的电流，从而可以使其振荡到更高的频率。

wajlh · 发表于 2011-1-27 13:47:24

大哥你升高电压的幅度也太大了啊。提高零点几伏还差不多。加到3V肯定挂了

zhousd · 发表于 2011-1-27 19:31:03

跨度是太大了，就怕烧挂了。
不过可以分三步来做这实验，
第一步：从3.3V串联两个1N4148二极管到 1.8v 这样内核电压可得到约2.1V，这样肯定不会挂掉。
第二步：减小一个二极管，这样内核电压可得约2.7v。若果还能正常工用，超频后正常工作就成为可能。
第三步：直接上3.3V，若果没有挂掉，100M以上的工作频率应能正常工作。

cpumaker · 发表于 2011-1-27 19:38:00

datasheet白写了

wajlh · 发表于 2011-1-27 22:13:37

按照你的推论，加到33V可以上1000M的工作频率了。再加到330v可以上到10GHz了，超过因特尔家的CPU了，

williamrain · 发表于 2011-1-27 23:09:15

回复【5楼】cpumaker
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哈哈

mawenwei · 发表于 2011-1-27 23:30:32

回复【6楼】wajlh
按照你的推论，加到33v可以上1000m的工作频率了。再加到330v可以上到10ghz了，超过因特尔家的cpu了，
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猛……

zhousd · 发表于 2011-1-27 23:57:04

只可惜现在板子上的AT91SAM7SXX是RAM最大的那种，舍不得做这种极限测试。改天找一片便宜点的7S64或者等项目功能开发完成后，一定要做做这个极限实验。
总是隐约感觉到这东东还有很大的潜力没有被挖掘出来。就好比手上放着一片486的性能单片机，竟完全不知道其卓越的性能。

Rapido · 发表于 2011-1-28 00:12:51

制程应该差不多，STM32坛里测试过了，核据说能达到，但是FLASH跟不上，没什么意义。

zhousd · 发表于 2011-1-28 00:33:13

Cortex-M3 是哈佛结构，不方便在RAM中运行，或者换另一种解释就是取指令和取数据时总线有可能互相打起架来（这个本人没有考证，纯猜测）。而必需插入flash等待时间，它的速度瓶颈就是flash。
但是冯诺依曼结构的ARM7 若果加载在RAM中运行就好比鱼儿得水，零等待。因为 RAM 做到10ns 以下的速度是非常普遍。

请教：若把AT91SAM7SXX的内核电压1.8V接到3.3V会怎么样？（想超频）

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