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发表于 2010-12-15 17:20:55
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用轮廓画线，块填充的
以下是反激电源设计的两个表格，是我的设计实例：
一个是电源网上很火的一个:点击此处下载 ourdev_604828J4XOL4.xls(文件大小:40K) (原文件名:反激计算-电源网.xls)
另一个是这里一个“阿力”的网友贡献的，我小修改了下增加了反射电压结果显示。点击此处下载 ourdev_604829TCEAFK.xls(文件大小:26K) (原文件名:反激计算-阿力.xls)
点击此处下载 磁芯数据表ourdev_604830CA1GLR.xls(文件大小:1.70M) (原文件名:磁芯数据.xls)
声明：只是小功率反激电源，工作在DCM模式下的方法。希望大家能去看看电源网那个帖子，自己系统推导下公式，就明白了。下面谈下自己刚入门时容易迷惑的要点：
关键词：D 占空比，Vf 反射电压， T工作周期， 初级绕组NS, 次级绕组NP
Vout 输出电压，Vd 输出二极管压降， Vs初级最小直流电压，L 初级电感
要点1；DCM模式设计是取最小电压输入、最大占空比、最大输出负载为计算条件的。
所以我们首要就是确定你的最小输入交流电压Vac，然后乘以1.2 – 1.4(决定你的滤波电容大小)得到最小输入直流电压Vs。
要点2；占空比D，取多少呢？工作在DCM模式，要求最大占空比D小于0.5，为什么呢？好像涉及到反馈回路补偿问题，
大家看系统文章吧，本人是个应用派，就记住小于0.5没问题。 但是也不能过小，那样你的电源输出功率和效率就低了，
甚至引起MOS管发热，我一般取0.40– 0.48。
要点3；反射电压Vf ，什么是反射电压，这个我一开始也迷惑很久，大概这样理解，MOS导通时，初级绕组有电流流过开始蓄能，
当T*D时间结束，则能量向次级转移输出，反射电压Vf就是次级绕组在向次级整流之后的输出电容转移能量时，把次级输出的电
压按照初次级绕组的匝数比关系反射到初级侧绕组的电压，其数值Vf=(Vout+Vd)/(NS/NP) 这个是个理解性质的公式，设计初期
没有使用帮助。
我们再由能量守能推导下：
初级绕组相当于一个电感，当MOS导通时，电流会线性上升而储能，上升的电流 Ir = Vs * T * D / L ,当MOS截至时，初级能量
耦合到次级输出，则电流又会线性下降，下降的Id = Vf * T * (1-D) / L ，此处的Vf就要用上面的理论理解了（此处Vs应减去
MOS压降，由于其与Vs过小而忽略了）。
由能量守恒得：Ir = Id
得：Vs * T * D / L = Vf * T * (1-D) / L
得：D = Vf / (Vf + Vs)
同样可得：Vf = Vs * D / (1-D)
由此大家看到了，D 和 Vf 是两个相关的系数。
其实有了MOS管耐压就可得出最大允许Vf，
例如一个MOS最大700V, 输入电源最大直流电压370V时，使用时考虑到安全取80%耐压，
则允许最大Vf = 700 * 0.8 – 370 = 190V 。
要点4； 效率，什么地方消耗了？主要是输出整流二极管的压降带来的损耗、变压器漏感带来的损耗。
要点5； Bac选择，决定最大磁感应强度，理论可以取0.2 – 0.3，关系到初级线圈匝数。
国产磁芯最好0.24左右，别太大，国产的磁芯肯定比不过TDK的，容易发热。
有了认识，具体计算用表格很是方便，先写到这，不对之处，还望留情拍砖！ |
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发表于 2010-12-13 19:28:05
