|
![](static/image/common/ico_lz.png)
楼主 |
发表于 2010-12-15 17:20:55
|
显示全部楼层
用轮廓画线,块填充的
以下是反激电源设计的两个表格,是我的设计实例:
一个是电源网上很火的一个:点击此处下载 ourdev_604828J4XOL4.xls(文件大小:40K) (原文件名:反激计算-电源网.xls)
另一个是这里一个“阿力”的网友贡献的,我小修改了下增加了反射电压结果显示。点击此处下载 ourdev_604829TCEAFK.xls(文件大小:26K) (原文件名:反激计算-阿力.xls)
点击此处下载 磁芯数据表ourdev_604830CA1GLR.xls(文件大小:1.70M) (原文件名:磁芯数据.xls)
声明:只是小功率反激电源,工作在DCM模式下的方法。希望大家能去看看电源网那个帖子,自己系统推导下公式,就明白了。下面谈下自己刚入门时容易迷惑的要点:
关键词:D 占空比,Vf 反射电压, T工作周期, 初级绕组NS, 次级绕组NP
Vout 输出电压,Vd 输出二极管压降, Vs初级最小直流电压,L 初级电感
要点1;DCM模式设计是取最小电压输入、最大占空比、最大输出负载为计算条件的。
所以我们首要就是确定你的最小输入交流电压Vac,然后乘以1.2 – 1.4(决定你的滤波电容大小)得到最小输入直流电压Vs。
要点2;占空比D,取多少呢?工作在DCM模式,要求最大占空比D小于0.5,为什么呢?好像涉及到反馈回路补偿问题,
大家看系统文章吧,本人是个应用派,就记住小于0.5没问题。 但是也不能过小,那样你的电源输出功率和效率就低了,
甚至引起MOS管发热,我一般取0.40– 0.48。
要点3;反射电压Vf ,什么是反射电压,这个我一开始也迷惑很久,大概这样理解,MOS导通时,初级绕组有电流流过开始蓄能,
当T*D时间结束,则能量向次级转移输出,反射电压Vf就是次级绕组在向次级整流之后的输出电容转移能量时,把次级输出的电
压按照初次级绕组的匝数比关系反射到初级侧绕组的电压,其数值Vf=(Vout+Vd)/(NS/NP) 这个是个理解性质的公式,设计初期
没有使用帮助。
我们再由能量守能推导下:
初级绕组相当于一个电感,当MOS导通时,电流会线性上升而储能,上升的电流 Ir = Vs * T * D / L ,当MOS截至时,初级能量
耦合到次级输出,则电流又会线性下降,下降的Id = Vf * T * (1-D) / L ,此处的Vf就要用上面的理论理解了(此处Vs应减去
MOS压降,由于其与Vs过小而忽略了)。
由能量守恒得:Ir = Id
得:Vs * T * D / L = Vf * T * (1-D) / L
得:D = Vf / (Vf + Vs)
同样可得:Vf = Vs * D / (1-D)
由此大家看到了,D 和 Vf 是两个相关的系数。
其实有了MOS管耐压就可得出最大允许Vf,
例如一个MOS最大700V, 输入电源最大直流电压370V时,使用时考虑到安全取80%耐压,
则允许最大Vf = 700 * 0.8 – 370 = 190V 。
要点4; 效率,什么地方消耗了?主要是输出整流二极管的压降带来的损耗、变压器漏感带来的损耗。
要点5; Bac选择,决定最大磁感应强度,理论可以取0.2 – 0.3,关系到初级线圈匝数。
国产磁芯最好0.24左右,别太大,国产的磁芯肯定比不过TDK的,容易发热。
有了认识,具体计算用表格很是方便,先写到这,不对之处,还望留情拍砖! |
|