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回复: 14

开机的时候 读取eeprom数据,关机的时候 写eeprom 。程序怎么知道要关机了呢?

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出0入0汤圆

发表于 2010-9-29 14:16:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
用的 0511A,看到他有个

低电压检测电路(LVI)有以下功能。
 比较电源电压(VDD)和检测电压(VLVI),或者比较外部输入引脚的输入电压(EXLVI) 与检测电压(VEXLVI =
1.21 V (TYP.):固定),并产生内部中断信号或内部复位信号。

我的想法是 ,在低电压检测 中断信号,里面 写eeprom,掉电保存数据,不知道这样子做可不可以》




高手们一般都是怎么做的呢?谢谢

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

知道什么是神吗?其实神本来也是人,只不过神做了人做不到的事情 所以才成了神。 (头文字D, 杜汶泽)

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-9-29 16:57:05 | 显示全部楼层
已经掉电了,可能来不及了

出0入0汤圆

发表于 2010-9-29 17:08:37 | 显示全部楼层
一般的数据修改后直接写到EEPROM中就可以了。

一些不能一直写的参数如运行次数等可以在掉电中断中写。做好电路,把握好安全时间。

也写不了太多数据的,不是很重要的数据不要在掉电里写。

出0入0汤圆

发表于 2010-9-29 17:16:05 | 显示全部楼层
一般都是在VCC上并个大一些的电容以存储更多的电能,这样在掉电中断后,有更多的时间写EEPROM。

出0入0汤圆

发表于 2010-9-29 17:17:27 | 显示全部楼层
我的想法是 ,在低电压检测 中断信号,里面 写eeprom,掉电保存数据,不知道这样子做可不可以》
--- 当然就是这么做, 不过处理好单片机的电源,适当加大电容

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-9-29 18:27:07 | 显示全部楼层
回复【4楼】mcucow
我的想法是 ,在低电压检测 中断信号,里面 写eeprom,掉电保存数据,不知道这样子做可不可以》  
--- 当然就是这么做, 不过处理好单片机的电源,适当加大电容
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但是,选择大的电容,并不能增加 从检测到掉电(例如VCC=3V),到 单片机 完全停止的时间啊。

出0入0汤圆

发表于 2010-9-29 18:34:13 | 显示全部楼层
ls:

但是,选择大的电容,并不能增加 从检测到掉电(例如VCC=3V),到 单片机 完全停止的时间啊。


可以增加的。  电容就像蓄水池。  水多了,  放的时间也就慢了。   但是 并联电容感觉不是一个好办法。

出0入143汤圆

发表于 2010-9-29 19:34:55 | 显示全部楼层
想保险加个充电电池,电容可能体积会大

出0入0汤圆

发表于 2011-3-3 09:29:22 | 显示全部楼层
这里有个问题要处理。就是低电压检测当到阀值的时候就进入中断,在低电压首进入中断到单片机停止工作这段时间,进入的次数不能确定,可能10次也可能是3到4次。第二存储数据的时间不是问题,来得及。

出0入0汤圆

发表于 2011-4-1 20:27:31 | 显示全部楼层
要存EEPROM的数据发生变化时就要进行写 EEPROM。

出0入0汤圆

发表于 2011-4-4 20:42:56 | 显示全部楼层
数据改变后等待3S开始写eeprom保存!!!

出0入0汤圆

发表于 2011-4-28 09:18:28 | 显示全部楼层
同意LS的,数据变了就写,不过以前我直接循环里反复写了,更傻瓜。。。

出0入0汤圆

发表于 2011-5-4 16:56:32 | 显示全部楼层
回复【8楼】yzvip7
这里有个问题要处理。就是低电压检测当到阀值的时候就进入中断,在低电压首进入中断到单片机停止工作这段时间,进入的次数不能确定,可能10次也可能是3到4次。第二存储数据的时间不是问题,来得及。
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主程序里面加个标志位    写过一次就不要再 低电压检测了

出0入0汤圆

发表于 2011-5-5 09:47:34 | 显示全部楼层
回复【楼主位】823032003 尼美根
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那个方法可以的哈,一般用5v电源的话,可以用s80845电压检测芯片,当电压从5v降到4.5v时发出一个低电平,可以接到IO口,产生一个中断,保存数据到eeprom哈。记得在电源那加个1000-2000uf的大电容,不然时间不够,保存不了数据。

出0入0汤圆

发表于 2011-5-5 10:02:18 | 显示全部楼层
不如把关机的信号发给单片机,单片机立即进行数据保存,保存完毕之后再控制电路切断电源。
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