NAND FLASH坏一个bit，为什么一整块都要屏蔽不能再用？

gasbi

如题

fnems

业余解释：

1) 读写都是以块为单位，读写尺寸是一个块的大小。如果在读写函数上判断哪个块要跳过哪一个bit，那么操作上要浪费很多不必要的cpu时间

2）记录哪个块有问题需要的数据量，远比同时记录块和块内损坏的那个bit用的空间小。

gasbi

回复【1楼】fnems
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具体搞清哪个BIT坏掉，有ECC校验可以，不过比较复杂，我想说读写都是以页为单位的，坏块是可以通过PAGE PROGRAM后的READ STATUS发现，只是这一页中有某BIT坏掉了，我可以打上标记不读这一页呀，为什么把这一块都放弃呢？

有人说某BIT坏掉会导致整个块数据不稳定，块与块之间是不同的bit line，所以隔离掉一块，其它块肯定不会受影响。
也有人说坏块有时也是可以擦写成功的，但并不稳定。
还有人干脆说三星就是这么推荐的，咱就这么用。

但是始终没有人能给出确切的理由，或者官方解释。

McuPlayer

请继续参考1楼的解释，自称是业余解释是谦虚

gasbi

回复【3楼】McuPlayer
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你的意思是很专业的解释喽？敢问大名

那再问一下为什么不屏蔽页呢？坏页表肯定比坏块表数据量大，但对于高级MCU和电脑都是可以承受的，为什么不提高效率呢？

大部分NAND厂家在DATASHEET上都提到同样的话：
Initial invalid blocks are defined as blocks that contain one or more initial invalid bits whose reliability is not guaranteed by Samsung. The information regarding the initial invalid block(s) is called the initial invalid block information. Devices with initial invalid block(s) have the same quality level as devices with all valid blocks and have the same AC and DC characteristics. An initial invalid block(s) does not affect the performance of valid block(s) because it is isolated from the bit line and the common source line by a select transistor. The system design must be able to mask out the initial invalid block(s) via address mapping.
坏块不会影响好块，我觉的这才是主要的原因。但是，坏块之内又是如何相互影响的呢？

fnems

回复【3楼】McuPlayer  
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多谢抬举，呵呵，但偶真的是业余的，
自己没什么实际经验（也没在实际中用过flash），上面原因只是猜测吧。
不知道实际上是什么样子的

An initial invalid block(s) does not affect the performance of valid block(s)
because it is isolated from the bit line and the common source line by a select transistor.
比较认同LZ的这个观点

同LZ静等高手解答

ljqlaq

1. 因为擦除都是针对一个块的，而没有针对一个扇区的。
2. 如果要改写某个块的中一个字节数据，必须将整个块的数据读到内存中（这是有足够内存的系统的一般做法），然后在内存中修改这一个字节的数据，然后擦除那个块，再把前面保存在内存中的整个块的数据再通过页编程操作写到已擦除过的块中（这是没有写平均算法的系统的做法）。
3. 从上面应该就可以知道，为什么要向楼主所说那样了。