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发表于 2010-8-5 08:29:01
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1.IGBT 的 PWM 控制及驱动原理
1.1 PWM 控制基本原理
冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。PWM 控制技术即是
以该结论为理论基础,对半导体开关器件的导通和关断进行控制,使输出端得到一系列幅值相等而宽
度不相等的脉冲,用这些脉冲来代替正弦波或其他所需要的波形[2]
。可按一定的规则对各脉冲的宽度
进行调制,从而改变逆变电路输出电压的大小,也可改变输出频率。
1.2 IGBT的驱动原理
IGBT与 MOSFET 一样都属于电压驱动型器件,为了驱动 IGBT 需在栅-射极间加一个正向偏压
+ ge
U ,为了降低 IGBT 通态压降和开通损耗,需增大栅-射极正偏电压+ ge
U ,但增大+ ge
U 会造成负
载短路时的集电极电流 c
I 增大,从而使得 IGBT 能承受短路电流的时间减小,同时也限制了短路电
流及其所带来的应力, 对 IGBT 安全不利(在具有短路工作过程的设备中, 如电机设备中, 要求 ge
U 在
满足要求的情况下尽量选取最小值,以提高其耐短路能力)。一般 IGBT 的正向偏压范围为 12 ~
15V。在 IGBT 关断过程中,为尽快抽取 PNP 管的存储电荷,须施加一负偏压- ge
U , 但它受 IGBT 的 |
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