电调启动失败的次数太多

liuliu443

大家好呀~
    我的电调是根据feng_matrix兄的电路搭的实验板，程序是mk的0.41版的程序，然后移植到了atmega128上(因为没有mega8的芯片，并且我把限制电流的判断语句都注释掉了)，当直流稳压源输出6.5v给电调时，启动成功率百分之百，但是当高于这个电压值比如输出8.2v时，启动失败次数大大增加，观察现象和调试发现像是开环启动后进入了比较中断进入闭环后，又自己退出来了，表现出电机的现象是晃动了一会儿，停了，然后又接着晃动一会儿，有知道这个问题的兄弟指教一下，谢谢~~~~

catluoq

可以从0逐步增大PWM值，如若干个T/C2溢出调高1个值，让电调自己把转速升上去。

gasont

mark

liuliu443

回复【楼主位】liuliu443 6*
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(原文件名:miler.JPG)

（将18k电阻换成了470欧姆，这个电阻不仅是放电，而且还起到稳定mos管G级电压的作用。）

电机启动不正常以为是电机的问题，但是就算新电机在9v下也会启动不正常。

最近看mos管的驱动，看到了mos管的米勒效应，他的破坏作用是1。mos管导通延迟。2。会在mos管关断时意外导通。后来我想高电压启动不成功会不会是因为米勒效应使mos管意外导通，比如我从AB相换到AC相，但是由于米勒响应，B,C相同时导通，这就有可能造成电机转动困难，因为损失了效率，很有可能启动失败。所以应该减小米勒效应，也就是减少米勒电容对Ggs充电，可用通过在GS之间并联电阻或三极管来加快电流的释放，我在P管和N管的GS之间都并联了一个470欧姆的电阻，在12.4v下启动就很正常，至此困扰我很长时间的问题解决了，
但是我现在还有一个疑问，就是有没有高手可以定量的算出这些的电阻的取值？谢谢~~~

catluoq

我是用10K，照原电路图图用18K或20K都不行，换15K改善一些，10K比较稳定，跟MOSFET的导通电压有关，VGS(th) Gate Threshold Voltage 中间值在2V左右或更低的用4.7-10K，3V的用15-20K都行，似乎与米勒效应无关，我试验时发现就算G极没加电压，电阻过大一样接电就导通，电阻过小会造成IO口电流太大。