关于静态内存的一个问题，求助各位大侠。

tly823875

我是一个CPLD的新手，总共才学了10天，操作静态内存is61lv12816L－10T时有如下问题请教论坛里面的高手，莫笑我。
1、如何用1个时钟操作内存？应该可以的，我绞尽脑汁赶了4天都没有找到解决方法。请高手指教。
2、我用四个时钟操作一次读和一次写是成功，但是时钟为50M运行正常，提升时钟频率到100M就不能正常读和写。理论上按我的操作方式，在100M时钟频率下，is61lv12816L－10T也只有50M的速度而已，可－10T内存应该可以正常工作在100M的频率下。是不是和我手工做的板有关系？高手指点。不胜感谢！
这个是我手工做的内存板：http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=4180358&bbs_id=1029
以下是我操作内存的代码：
        always @ (negedge clk_50M)
                begin
                case (start)
                0:begin       
                  CE=0;WE=0;                          
                  out_data =write_buf;                               
                  start=1;       
                  end                 //开始写12816
                1:begin                          
                  WE=1;CE=1;                                                                                                     start =2;
                  end                //写完成         
                2:begin
                  CE=0;OE=0;
                  start=3;                                           
                  end               //开始读12816
                3:begin
                  read_buf = Ram_data;
                  CE=1;OE=1;                                                                                                        start=0;
                  end                 //读完成     
                endcase
                end
超级郁闷啊，折腾我4个昼夜了，望高手指点迷津，谢谢了！