双向可控硅过零检测与导通角的问题

07636678 · 发表于 2010-6-12 22:36:21

利用双向可控硅调压的问题，程序给出的导通角表跟可控制的导通脚是怎样的关系，由于本人不懂这可控硅的导通角与调压的关系上网查了些资料也没能搞明白，哪位热心高手能帮忙解决一下的，感激不尽，最好讲祥细点！
使用外部X1中断，寄存器组2
  检测过〇点，给定时器T1赋初值
--------------------------------------*/
void pass0(void) interrupt 2 using 2
{
unsigned char code powertab[]={0xd8,0xf0,0xe2,0x63,0xe5,0x25,0xe8,0x3e,0xeb,0x16,0xed,0xda,0xf0,0xb2,0xf3,0xcb,0xf7,0x8d,0xf7,0x8d};//10个功率档位的可控硅导通角延时参数表
TH1=powertab[2*heatpower]-1;
TL1=powertab[2*heatpower+1]; //市电过零后，根据当前设置的档位给定时器T1赋延时参数
ET1=1;                         //允许定时器T1中断
TR1=1;                         //打开定时器T1
}

/*------------------------------------------
  可控硅触发信号控制函数 void triacctrl(void)
  使用定时器T1中断，寄存器组3
  向可控硅送出触发信号
------------------------------------------*/
void triacctrl(void) interrupt 3 using 3
{
register unsigned char i;
triac=0;                      //输出可控硅导通信号
ET1=0;                         //关闭定时器T1中断
TR1=0;                         //终止定时器运行
for (i=0;i<2;i++);             //延时，保证导通信号有足够的宽度
triac=1;                      //完成可控硅导通信号
}

huayuliang · 发表于 2010-6-13 00:12:15

导通角～～
如果你理解导通角有难度的话，可以这样理解：
你要控制的电源电压是正弦波，每个半周期，都会有一次过零，就是电压为0，那么从这个零点开始，一直到下一个零点，就是你要控制的时间，1/50Hz。
这半个周期如果全部都加在负载上的话，那就是满功率，调整功率就可以通过控制其中的导通时间来完成。
这样一来，从零点开始，延迟一段时间（等同于导通角）后再控制可控硅导通，剩下的时间就是导通的时间了。。

你看一下正弦波的角度就能明白的。

(再也不画图了)

07636678 · 发表于 2010-6-13 20:21:01

还有点不明白，单片机延时后给G管脚一个导通信号（时间从表中取），是不是单片机延时时间越长，输出的功率就越小吖？还是怎么样的，如果楼上的花生看到了能不能再解释一下，谢谢！！

younge · 发表于 2010-6-13 20:25:21

双向可控硅的触发极性怎么判断

huayuliang · 发表于 2010-6-13 20:53:13

回复【2楼】07636678
还有点不明白，单片机延时后给g管脚一个导通信号（时间从表中取），是不是单片机延时时间越长，输出的功率就越小吖？还是怎么样的，如果楼上的花生看到了能不能再解释一下，谢谢！！
-----------------------------------------------------------------------

从过零点开始，触发的越晚，输出功率越小。。
50Hz，20mS，半个周期 10mS，就是说，延迟最小是 0，最大小于 10mS，延迟越小，输出功率就越大。但因为过零检测电路本身也有个延迟，所以延迟不可能做到 0。

其实这东西就是算的能量面积。

huayuliang · 发表于 2010-6-13 20:59:47

回复【3楼】younge
双向可控硅的触发极性怎么判断
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没太明白你的意思。。
你问的似乎不是判断双向可控硅的触发极性？
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说一下可控硅栅极的控制，其实并不需要判断极性，控制好时间就可以了。可能你会担心单片机累积的时间误差，但这可以靠过零电路检测出来的脉冲来触发并同步。

07636678 · 发表于 2010-6-13 22:51:24

回复【4楼】huayuliang 花生
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哦！明白了非常感谢您的帮助！谢谢！

07636678 · 发表于 2010-6-13 23:04:46

回复【6楼】07636678
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想想还有一点，像我上面这程序，那不是要非常平凡开和关那个可控硅？？？？？外部过一次零，定时器启动一次，导通一次可控硅，第二次过零再启动一次，是这样子的吗？再一次麻烦您帮我分析多一次谢谢！

huayuliang · 发表于 2010-6-14 10:34:29

刚看了顶楼的程序。

void pass0(void) interrupt 2 using 2
这个函数看来是外部的过零触发。而后根据heatpower和那个表进行计算，并设置、开启定时器T1。

T1溢出后，void triacctrl(void) interrupt 3 using 3 中断响应，对端口引脚进行控制。

每次过零都要执行一次上述的过程。和俺上面几个帖子说的一样。。

这个也并不算频繁啊，才10mS一次。。即便你不用单片机做，可控硅也要10mS一次（两个半周）。

07636678 · 发表于 2010-6-14 22:24:06

回复【8楼】huayuliang 花生
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您的意思是说可控制要不停的过零不停的触发导通角才能工作，只过零一次触发导通解后可控硅是不会保持工作的吗？？

hcfatjh · 发表于 2010-6-14 22:28:48

可控硅过零时电流为0,要触发才能导通,除非你还有其它触发电路,像固态继电器

07636678 · 发表于 2010-6-17 22:25:56

回复【10楼】hcfatjh
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谢谢！也就是说可控硅在工作时是不断的过零不断的都要触发导通脚啦，八楼说的单片机不控制它，可控制也是要半个周期触发一次！

hcfatjh · 发表于 2010-6-17 22:44:10

触发电路可以用其它元件,比如MOC3041,当然想控制电流和功率还是要检测过零的

huayuliang · 发表于 2010-6-17 22:54:16

回复【9楼】07636678
回复【8楼】huayuliang 花生
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您的意思是说可控制要不停的过零不停的触发导通角才能工作，只过零一次触发导通解后可控硅是不会保持工作的吗？？
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原因是可控硅导通后所维持的状态在过零的时候消失了，这与直流电路里单向可控硅的导通是一个道理，但电压方向变化了，只能重新触发。
这个你看看可控硅原理就明白了。

07636678 · 发表于 2010-6-18 08:12:52

回复【13楼】huayuliang 花生
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哦！！谢谢您的回答！

benlippen · 发表于 2010-7-10 22:21:59

mark

hyzqq · 发表于 2010-8-10 00:53:53

mark

benlippen · 发表于 2010-10-18 17:54:20

MARK

lang6027 · 发表于 2010-10-19 00:44:13

调光还是调压哦，过零要做到隔离还有高精度的还真有点麻烦，最近弄调光的，就是过零弄了有好多天时间，要求过零脉冲尽量的窄，最好在us级别的，然后又要元器件少，外壳体积有限，还是隔离的（因为MCU部分的供电是开关电源），刚开始用运放，唉很容易受干扰，最后参考了老外的电路，精辟3个三极管加几个电阻电容搞定了，过零脉冲在200us左右

jrcsh · 发表于 2010-10-19 01:49:44

回复【4楼】huayuliang 花生
回复【2楼】07636678
还有点不明白，单片机延时后给g管脚一个导通信号（时间从表中取），是不是单片机延时时间越长，输出的功率就越小吖？还是怎么样的，如果楼上的花生看到了能不能再解释一下，谢谢！！
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从过零点开始，触发的越晚，输出功率越小。。
50hz，20ms，半个周期 10ms，就是说，延迟最小是 0，最大小于 10ms，延迟越小，输出功率就越大。但因为过零检测电路本身也有个延迟，所以延迟不可能做到 0。
其实这东西就是算的能量面积。

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好  一句我就明白了学了东西要说谢谢~~~ 哈哈

管你37 21  反正  过零后的 0ms  约= 100% 功率  10ms=0.00001% 功率

每延时 1ms  功率掉 10%

hetiger · 发表于 2010-10-19 09:17:45

过零前触发和后触发有什么区别吗？

mcucow · 发表于 2010-10-19 09:23:32

回复【19楼】jrcsh 邪恶的小会会
回复【4楼】huayuliang 花生
回复【2楼】07636678
还有点不明白，单片机延时后给g管脚一个导通信号（时间从表中取），是不是单片机延时时间越长，输出的功率就越小吖？还是怎么样的，如果楼上的花生看到了能不能再解释一下，谢谢！！
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从过零点开始，触发的越晚，输出功率越小。。
50hz，20ms，半个周期 10ms，就是说，延迟最小是 0，最大小于 10ms，延迟越小，输出功率就越大。但因为过零检测电路本身也有个延迟，所以延迟不可能做到 0。
其实这东西就是算的能量面积。
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请问延迟10ms, 能肯定电流是0吗?

jrcsh · 发表于 2010-10-19 12:36:38

回复【21楼】mcucow
回复【19楼】jrcsh 邪恶的小会会
回复【4楼】huayuliang 花生
回复【2楼】07636678
还有点不明白，单片机延时后给g管脚一个导通信号（时间从表中取），是不是单片机延时时间越长，输出的功率就越小吖？还是怎么样的，如果楼上的花生看到了能不能再解释一下，谢谢！！
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从过零点开始，触发的越晚，输出功率越小。。
50hz，20ms，半个周期 10ms，就是说，延迟最小是 0，最大小于 10ms，延迟越小，输出功率就越大。但因为过零检测电路本身也有个延迟，所以延迟不可能做到 0。
其实这东西就是算的能量面积。
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查看 SCR 的工作原理

ndust · 发表于 2010-10-21 15:28:54

pcbboy · 发表于 2010-10-26 21:44:44

这双向可控硅这么频繁的10ms需要触发一次,如果中间丢失一个触发脉冲就会闪,多丢几个就不亮,单片机都给10ms占用了,如果是红外线遥控(解码需要最少15ms)之类的程序就没法调光了,有什么方法可以解决这个问题啊,我用51没找到好的解决方法,请大家指点!

kelos3000 · 发表于 2010-10-26 23:25:14

dddddddddd

xbwpc · 发表于 2010-10-27 18:14:41

用不定积分推一下就行了

xbwpc · 发表于 2010-10-27 18:37:12

回复【19楼】jrcsh 邪恶的小会会

好像不对吧，这好像不是方波，是正弦

hclcwx · 发表于 2010-10-27 20:38:10

ding

yongtaoz513 · 发表于 2010-12-2 11:48:46

mark

astankvai · 发表于 2010-12-2 12:10:17

回复【1楼】huayuliang 花生
导通角～～
如果你理解导通角有难度的话，可以这样理解：
你要控制的电源电压是正弦波，每个半周期，都会有一次过零，就是电压为0，那么从这个零点开始，一直到下一个零点，就是你要控制的时间，1/50hz。
这半个周期如果全部都加在负载上的话，那就是满功率，调整功率就可以通过控制其中的导通时间来完成。
这样一来，从零点开始，延迟一段时间（等同于导通角）后再控制可控硅导通，剩下的时间就是导通的时间了。。
你看一下正弦波的角度就能明白的。

(再也不画图了)
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对这个导通角有点疑问。看图上的话，导通角似乎于幅度有关系，事实上是没有关系的。
我的理解是整个半波是PI，90度对应PI/2，就是导通的时间t/T*PI,T为半波的周期。不知道对不对。

huayuliang · 发表于 2010-12-4 22:17:51

回复【30楼】astankvai 陈超
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对，和幅度没有关系。。。只是导通角度决定了半个周期内剩余时间的可控硅的开启点的幅度，这个电压幅值和负载大小决定了开启时的电流。

回复【24楼】pcbboy
这双向可控硅这么频繁的10ms需要触发一次,如果中间丢失一个触发脉冲就会闪,多丢几个就不亮,单片机都给10ms占用了,如果是红外线遥控(解码需要最少15ms)之类的程序就没法调光了,有什么方法可以解决这个问题啊,我用51没找到好的解决方法,请大家指点!
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看来你才学单片机不久，分开时间处理就是了。中断还有优先级呢。。。
采用多任务方式～～

kenson · 发表于 2010-12-4 22:36:42

楼上说得非常的好，其实我也做过这一类的产品只是我是用CPLD来做的。
有一路交流脉冲用来检测同步的，准确度还是不错的。

aahui · 发表于 2010-12-5 23:24:23

回复【18楼】lang6027
调光还是调压哦，过零要做到隔离还有高精度的还真有点麻烦，最近弄调光的，就是过零弄了有好多天时间，要求过零脉冲尽量的窄，最好在us级别的，然后又要元器件少，外壳体积有限，还是隔离的（因为mcu部分的供电是开关电源），刚开始用运放，唉很容易受干扰，最后参考了老外的电路，精辟3个三极管加几个电阻电容搞定了，过零脉冲在200us左右
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那个老外电路能公布下吗?

txzy_xzw · 发表于 2011-5-7 10:23:54

回复【楼主位】07636678
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能给个电路图吗。谢谢！！！！我的邮箱txzy_xzw@163.com

wenjin0386 · 发表于 2011-5-19 08:17:44

mark

lwcumt · 发表于 2011-5-19 13:59:35

mark，可控硅！

XIE2099 · 发表于 2011-5-24 18:56:07

记号！
学习

ttyy · 发表于 2011-7-22 15:49:34

最近也在学习利用单片机控制可控硅调光电路，楼主能发个完整的程序么？最近看的比较头疼

s2007s · 发表于 2011-10-21 10:50:21

mark

sdyxd123 · 发表于 2011-10-24 21:09:06

学习了，想做一个可控硅充电装置，有谁做过的吗？

momoshuihan · 发表于 2011-11-4 16:02:29

路过，看了大家的帖子，huayuliang 花生解释的很到位。。。

mywin7 · 发表于 2011-11-21 08:30:21

请教【18楼】 lang6027
关于可控硅控制电路中的过零检测电路
谢谢

wsk666 · 发表于 2011-11-23 09:12:19

关于可控硅控制电路中的过零检测电路

crazydtone · 发表于 2012-5-7 22:33:46

现在大概了解了可控硅的导通角是什么样的概念了。。。感谢前辈们指点，谢谢

crazydtone · 发表于 2012-5-7 22:34:47

现在大概了解了可控硅的导通角是什么样的概念了。。。感谢前辈们指点，谢谢

草芥风中散 · 发表于 2013-3-3 13:15:36

lang6027 发表于 2010-10-19 00:44
调光还是调压哦，过零要做到隔离还有高精度的还真有点麻烦，最近弄调光的，就是过零弄了有好多天时间，要求 ...

那么光耦的时间不行吗?

jz701209李 · 发表于 2013-3-4 18:51:01

学习一下....

mique · 发表于 2013-6-28 11:16:01

mark 可控硅与导通角

韦斯克拉 · 发表于 2014-6-13 11:24:50

mark 可控硅与导通角

bioe · 发表于 2014-8-29 16:00:40

mark 可控硅与导通角

sonyffff520 · 发表于 2014-9-1 00:56:01

路过学习一个1

戒魔 · 发表于 2014-9-2 17:31:28

huayuliang 发表于 2010-6-14 10:34
刚看了顶楼的程序。

void pass0(void) interrupt 2 using 2

即便你不用单片机做，可控硅也要10mS一次（两个半周）。不理解这句话的意思？

zrdzpcb · 发表于 2014-9-30 11:39:50

如果不用外部中断，而在定时中断里面做过零检测怎样

hbl4546 · 发表于 2014-10-7 20:31:57

楼上的可以交流下，最近正在弄调速电机单相的，QQ:362898210

韦斯克拉 · 发表于 2014-10-22 10:16:56

有用，记下了

bencsj1 · 发表于 2014-10-22 10:21:39

MARK!备用！

双向可控硅过零检测与导通角的问题

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