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这个电源控制电路为什么电流超过2A就会不断重启,而且mos管发热严重

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出0入0汤圆

发表于 2009-11-4 17:19:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
如下图:


(原文件名:Image00000.jpg)

后面接的负载在4A左右,负载刚启动是450mA左右,负载初始化完成后大约4A,mos管发热严重
然后负载不停的复位重启

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入0汤圆

发表于 2009-11-4 17:25:27 | 显示全部楼层
9640未完全导通
mosfet虽然是电压型,但也需要一定驱动电流能力以保证快速导通与关断

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-11-4 17:31:22 | 显示全部楼层
谢谢楼上,那我把4R4变小看看
datasheet说电流可以达到11A,在4A左右发热怎么会这么严重呢?
是不是需要加散热器

出0入663汤圆

发表于 2009-11-4 17:36:34 | 显示全部楼层
IRF9640参数:200V 11A 0.5Ω
电流=4A,IRF9640耗散功率 = 4A * 4A * 0.5Ω = 8W,压降 = 4A * 0.5Ω = 2V。
不用再解释了吧?

出0入663汤圆

发表于 2009-11-4 17:48:59 | 显示全部楼层
【2楼】 mymach 电子小生
datasheet说电流可以达到11A,在4A左右发热怎么会这么严重呢?
是不是需要加散热器
-----------------------
MOSFET选型除了看工作电流,更重要是看导通电阻。
从你的电路看出,IRF9640所控制的电源电压在20V以内,但IRF9640是高压管,耐压高,导通电阻大,不适合于你的应用场景。
例如你可以选SI4435,30V 8A 20mΩ,此时PD = 4A * 4A * 0.02Ω = 0.32W,压降 = 4A * 0.02Ω = 0.08V,只需要在管子附近稍微铺点铜,就能完全满足要求。

出0入0汤圆

发表于 2009-11-4 18:05:16 | 显示全部楼层
楼上说的有一定的道理,但IRF9640的PD=125W,完全满足8W的功率损耗?

两种方法调试:1、将4R4减小。2、改用内阻小的MOSFET。

出0入663汤圆

发表于 2009-11-4 18:19:51 | 显示全部楼层
【5楼】 tangqianqian 做好e时代的人

PD=125W?那至少得热管散热才行。
IRF9640的RθJA=62.5°C/W,没散热1W都够呛。这已经8W了,2楼还在问是不是要加散热器呢。

出0入0汤圆

发表于 2009-11-4 18:35:44 | 显示全部楼层
换个型号的FET不就行了吗?
导通电阻0.5欧也太惨了,这年头100毫欧以下的也多得是。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-11-5 15:15:29 | 显示全部楼层
谢谢各位
那我换个导通电阻小点的试试
有没有比较好卖的MOS推荐一下

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 16:16:26 | 显示全部楼层
IRF9540就可以了,4R4直接不要了。开关频率不是非常高的话足够了。

出0入663汤圆

发表于 2009-11-5 16:30:06 | 显示全部楼层
IRF9540 -100V -23A 0.117Ω
4A电流时MOSFET耗散功率1.872W,也要加散热了。

LZ先说说控制的电压是多少吧,如果小于20V,用SI4435就行了,量多价又低。

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 18:45:08 | 显示全部楼层
SI4435,mark

出10入120汤圆

发表于 2009-11-5 18:46:21 | 显示全部楼层
IRF9Z34

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 19:17:33 | 显示全部楼层
俺用过这个,在70℃下6.5A/8.5mΩ,不知VDS=12V够不够:Si6423DQ

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 20:29:15 | 显示全部楼层
学习了

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 20:51:34 | 显示全部楼层
MOS驱动需要推拉输出,这个图频率高了MOSFET关不断,所以耗电。

出0入663汤圆

发表于 2009-11-5 20:54:02 | 显示全部楼层
依我看LZ只是要控制电源通断,并不是PWM。

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 21:08:33 | 显示全部楼层
让9楼误导了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-11-5 23:03:54 | 显示全部楼层
这个图只是电源控制,不是PWM
电源电压为12V,负载最大为4~5A
板子上面已经做了TO-220的封装,我查了SI4435的封装为SO-8,替换起来要飞线了
有封装直接替换,阻抗小的最好了

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 23:09:49 | 显示全部楼层
ifr4905  (TO-220 Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 23:21:43 | 显示全部楼层
要TO220有何难哉?这有一个导通电阻只有4mΩ的,耐30V/100A:IPP100P03P3L-04

出0入0汤圆

发表于 2009-11-5 23:31:50 | 显示全部楼层
STM公司的比上面那个相对好买点,18mΩ/55V/80A:STP80PF55

出0入0汤圆

发表于 2009-11-6 01:54:05 | 显示全部楼层
SI4435,mark

出0入0汤圆

发表于 2009-11-6 08:48:32 | 显示全部楼层
看见这么多一点热设计常识都没有的帖子,就很奇怪了。
20W的电烙铁,温度是多少?
500W的电炉,温度是多少?
还128W的管子呢,8W不加散热片行吗?
不管管子的耗散功率多少,8W的发热量就需要很大的散热片了。
如果是128W的功耗,则需要巨无霸的散热片了,还得考虑风冷和水冷了。
PC机的CPU功耗多少?为什么要风扇一直转?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-11-6 09:12:47 | 显示全部楼层
谢谢各位,学习了!

出0入0汤圆

发表于 2009-11-6 10:35:17 | 显示全部楼层
发现很多错误理解,这里是两个问题,要分开考虑

1.重启的问题,这个问题的原因是电路中存在冲击性负载,而驱动阻抗过大。我们知道,mosfet存在结间电容。开通的过程中由于结间电容的影响,会导致栅极电位瞬间上升,从而反复关断。
2.热的问题,上面很多帖子描述的已经很清楚,不再多说

出0入0汤圆

发表于 2009-11-6 10:43:51 | 显示全部楼层
学习,再学习

出0入0汤圆

发表于 2009-11-6 11:08:16 | 显示全部楼层
收藏,学习

出0入33汤圆

发表于 2009-11-6 11:19:30 | 显示全部楼层
收藏

出0入0汤圆

发表于 2011-4-11 08:56:03 | 显示全部楼层
mark!!

出0入0汤圆

发表于 2011-4-11 09:31:53 | 显示全部楼层
我只是来学习的~~

出0入0汤圆

发表于 2012-6-14 12:15:24 | 显示全部楼层
学习下。不错。

出50入0汤圆

发表于 2012-6-14 13:37:31 | 显示全部楼层
把4R4接到4Q6 b与GND之间
4R11换成1K
开关速度快的,建议将NPN换成BC847

出50入0汤圆

发表于 2012-6-14 13:38:23 | 显示全部楼层
如果速度快 将4R3换成1K

出20入118汤圆

发表于 2012-6-23 08:38:37 | 显示全部楼层
mark 下si4435

出0入0汤圆

发表于 2012-6-24 06:26:22 来自手机 | 显示全部楼层
路过学习一下

出0入0汤圆

发表于 2012-7-21 08:46:26 | 显示全部楼层

SI4435,mark

出0入10汤圆

发表于 2012-7-21 16:36:29 | 显示全部楼层
开关速度快的话,最好驱动也改下吧,当然,你这管子用的场合也不大适合,需要用导通电阻小点的

出0入0汤圆

发表于 2013-3-29 11:34:29 | 显示全部楼层
楼主问题解决了吗? 我现在也在弄这东西,来学习下。
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