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双端口RAM控制问题

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出0入0汤圆

发表于 2009-4-27 10:39:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
一个项目中要用到双端口RAM芯片,双端口RAM的一端跟LPC2132连接,因为LPC2132的系统总线不开放,所以不能直接将双端口RAM挂接在LPC2132的系统总线上,想用并口模拟的方法连接双端口RAM:将双端口RAM的地址、数据以及控制线都跟LPC2132的普通I/O口连接,通过软件模拟双端口RAM的工作时序,控制双端口RAM,不知道这样做能不能实现。不过模拟总线的话估计双端口RAM的读写时间会比较长,控制程序也比较麻烦,但本项目对读写时间要求并不是很严格。请各位大侠帮忙分析一下。

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出0入0汤圆

发表于 2009-4-27 13:02:05 | 显示全部楼层
没问题。
你要你的RAM是静态的,就可以。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-4-28 09:33:28 | 显示全部楼层
谢谢楼上的,回去试试,第一次做双端口RAM

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-6-23 16:21:21 | 显示全部楼层
又来问老问题了
按照以上所说的方法已经制作了电路,双端口RAM用的是IDT70V26,因为项目中不用到写冲突,所以不用它的表志器功能,直接操作RAM,但对双端口RAM的写和读都不正确,请各位分析一下,以下为我得电路
I/O0L--I/015L,以及双端口RAM左端的控制信号都接LPC2138的I/O口,用I/O端口模拟总线时序

双端口RAM电路连接 (原文件名:Y}@%_{A}R4L$(}R($6I{0@5.jpg)
双端口RAM操作程序ourdev_455555.rar(文件大小:1K) (原文件名:idt7026.rar)

出0入0汤圆

发表于 2009-6-27 17:56:23 | 显示全部楼层
双端口RAM控制问题 = Static RAM

出0入0汤圆

发表于 2009-6-28 11:48:23 | 显示全部楼层
既然你用的是IO口模拟RAM的读写时序,那么,可以单步跟进一下程序,检查一下时序是不是都满足?这个比较容易;要是时序约束条件都满足的话,看看还会不会有问题。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-7-3 10:21:14 | 显示全部楼层
已经调通了,原因是以前I/O模拟的总线时序不对,修改之后一切OK。参考周立功公司发布的I/O口模拟总线程序。
程序如下:LPC21389 I/O口模拟16位总线时序程序ourdev_457990.rar(文件大小:1K) (原文件名:exbus.rar)

出0入0汤圆

发表于 2016-9-27 15:17:59 | 显示全部楼层
mark,收藏备用,拿走多谢

出0入0汤圆

发表于 2016-9-27 15:47:47 | 显示全部楼层
IO口完全模拟51的读写时序,几个周期下来,也是比51MCU跑得快的。
只要你的时序正确就好!
前几年,我在项目中,用过,不过,2端总线都是标准8051总线。
LPC21XX模拟理论上是没问题的。
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