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LPc2478的NANDFLASH为什么要加或门和与门,有图??

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出0入0汤圆

发表于 2009-3-21 07:53:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

(原文件名:lpc2478_nandflash.JPG)

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

你熬了10碗粥,别人一桶水倒进去,淘走90碗,剩下10碗给你,你看似没亏,其实你那10碗已经没有之前的裹腹了,人家的一桶水换90碗,继续卖。说白了,通货膨胀就是,你的钱是挣来的,他的钱是印来的,掺和在一起,你的钱就贬值了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-3-21 19:28:35 | 显示全部楼层
dingding

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-3-22 16:57:42 | 显示全部楼层
感觉这个与门和非门是多余的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-3-22 20:38:58 | 显示全部楼层
顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶

出0入0汤圆

发表于 2009-3-23 09:29:15 | 显示全部楼层
这个我也不明白, 以前画LPC2214核心板的时候我也扩了片NAND挂在系统总线上,
但不加这些逻辑门电路,那时候我参考了2410、44b0、EASY ARM2200和其他的电路图,
发现无一例外的都加了门电路,最后仔细阅读NAND的文档和LPC2214U系统总线时序
后“大胆”的扔掉了这个门电路。可惜到目前为止都没有去做这块PCB, 所以没得测试。
所不同的是控制信号当中我用一个IO口连接 REDY/nBUSY信号,因为LPC2214没有这个信号。
不知道有没有人试过?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-3-23 12:02:03 | 显示全部楼层
难道这些门电路就是为了时序????????????

出0入0汤圆

发表于 2009-3-23 18:49:42 | 显示全部楼层
信号完整性方面的考虑吧

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-3-23 21:35:27 | 显示全部楼层
信号完整性??

出0入0汤圆

发表于 2009-3-23 21:41:26 | 显示全部楼层
有这些,布线就会比较容易

否则,就要仔细计算这几根控制信号的走线延迟了

出0入0汤圆

发表于 2009-3-23 23:01:52 | 显示全部楼层
这是从NAND FLASH的时序来考虑的,NAND FLASH需要在一个多字节的操作中保持NAND FLASH芯片的片选为低,
因此如果将NAND FLASH映射到静态存储器的片选上就需要作一些处理才能使用,一般的做法是将静态存储器
的片选和读、写信号相或连接到NAND FLASH的读、写信号上,NAND FLASH的片选连接一个IO。操作NAND FLASH时,
将IO置低,同时从映射的静态存储器的片选上读、写NAND FLASH即可操作,同时也不会影响到其它片选的读写。

上面图的意思是NAND_nBUSY信号在读写NAND FLASH时可以操作片选,命令、数据等读写完了,如果擦除或编程会
导致NAND_nBUSY信号拉低,擦除或编程完成NAND_nBUSY信号才会变高,这样就用一个IO实现了片选操作和状态检查。

如果是从静态存储器的片选上扩展NAND FLASH,这些电路是必须的,可以去掉与门,片选上另外连接一个IO,
电路稍微简单一点。

出0入0汤圆

发表于 2009-3-23 23:06:14 | 显示全部楼层
从静态存储器的片选读写数据时,每个周期片选都会变高,这是不符合NAND FLASH的操作时序的。

我也曾经自己琢磨出这个电路,后来发现别人都是这么做的

出0入0汤圆

发表于 2009-3-24 04:01:54 | 显示全部楼层
LPC2478?看走眼了,以为是2440什么的……如果是LPC系列,那还真得这么用……因为芯片上就没有专门的NAND控制器……

出0入0汤圆

发表于 2009-3-24 09:21:57 | 显示全部楼层
xiaoerge分析得非常好!

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-3-24 12:05:25 | 显示全部楼层
是呀,谢谢xiaoerge

出0入0汤圆

发表于 2009-4-20 12:51:43 | 显示全部楼层
xiaoerge说的很好啊,多学一招

出0入0汤圆

发表于 2010-4-2 10:59:33 | 显示全部楼层
不错!

出0入0汤圆

发表于 2010-7-22 12:36:36 | 显示全部楼层
mark一个

出0入0汤圆

发表于 2010-7-24 00:38:57 | 显示全部楼层
Mark!

出0入0汤圆

发表于 2010-12-3 15:05:51 | 显示全部楼层
谁能上一个2478接NANDFLASH的相关测试代码呀,谢谢了!

出0入0汤圆

发表于 2011-10-24 11:38:41 | 显示全部楼层
回复【9楼】xiaoerge
这是从nand flash的时序来考虑的,nand flash需要在一个多字节的操作中保持nand flash芯片的片选为低,
因此如果将nand flash映射到静态存储器的片选上就需要作一些处理才能使用,一般的做法是将静态存储器
的片选和读、写信号相或连接到nand flash的读、写信号上,nand flash的片选连接一个io。操作nand flash时,
将io置低,同时从映射的静态存储器的片选上读、写nand flash即可操作,同时也不会影响到其它片选的读写。
上面图的意思是nand_nbusy信号在读写nand flash时可以操作片选,命令、数据等读写完了,如果擦除或编程会
导致nand_nbusy信号拉低,擦除或编程完成nand_nbusy信号才会变高,这样就用一个io实现了片选操作和状态检查。
如果是从静态存储器的片选上扩展nand flash,这些电路是......
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这个意思是说如果添加外置逻辑芯片,就可以直接通过地址读取了?不添加的话需要将引脚设置为IO口方式,来置高置地使能脚进行读取?这个芯片支持NAND FLASH操作吗?

出0入0汤圆

发表于 2011-10-26 09:52:38 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2012-1-1 16:37:45 | 显示全部楼层
MARK

出0入0汤圆

发表于 2012-1-1 21:37:12 | 显示全部楼层
回复【19楼】yankaiyutong  

这个意思是说如果添加外置逻辑芯片,就可以直接通过地址读取了?不添加的话需要将引脚设置为IO口方式,来置高置地使能脚进行读取?这个芯片支持NAND FLASH操作吗?
-----------------------------------------------------------------------

联想一下245芯片如果联起来,如何联动读取?
其实就是用一个IO口控制两个动作,这样可以节约IO数量,否则你要单独加一条IO来。

出0入0汤圆

发表于 2012-1-4 16:30:24 | 显示全部楼层
主要是为了时序调整方便,最好采用处理器系统总线的片选,不要采用IO口来实现。

出0入0汤圆

发表于 2012-1-5 23:19:53 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2012-1-6 00:47:43 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2012-1-6 09:03:47 | 显示全部楼层
Mark

出0入0汤圆

发表于 2013-3-23 23:41:47 | 显示全部楼层
刚好今天看到这个电路,现在终于明白这个门电路的用途
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