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单片机IO驱动电磁铁(12V,800mA),不用继电器的话有什么好的电路实现方法吗?【恢复】

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出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 15:42:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
单片机IO驱动电磁铁(12V,800mA),不用继电器的话有什么好的电路实现方法吗?

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

你熬了10碗粥,别人一桶水倒进去,淘走90碗,剩下10碗给你,你看似没亏,其实你那10碗已经没有之前的裹腹了,人家的一桶水换90碗,继续卖。说白了,通货膨胀就是,你的钱是挣来的,他的钱是印来的,掺和在一起,你的钱就贬值了。

出0入0汤圆

发表于 2008-10-30 15:33:55 | 显示全部楼层
用场管最好,但成本通常会高些

出0入0汤圆

发表于 2008-10-30 15:26:14 | 显示全部楼层
看这样的FET够牛不?

仅2×2mm的贴片,可承受1.5A固定电流(瞬间可承受6A电流),阈值电压≦1.5V,

VGS=2.5V时,d-s间导通电阻为0.34Ω.



出0入0汤圆

发表于 2008-10-30 14:54:02 | 显示全部楼层
ULN2803如无意外估计会冒烟。

低VGS的MOS是不错的选择,如果成本许可。不过要留意VGS(th)不是说能使输出饱和的电压,而是管子开始导通的电压,记得以前有贴子讨论过。

出0入0汤圆

发表于 2008-10-30 13:50:43 | 显示全部楼层
to 【18楼】wajlh:

ULN2803的内部电路就是2楼画的达林顿形式,当Ic=350mA时c-e间饱和压降最大就可能达1.6V,可以估算出此时的管耗有多大!

手册说每路最大允许流500mA,并不等于说8路总和可达4A,这种芯片如果耗2W的话,几乎可以肯定温升会超过100℃!

【17楼】牛仔提的改动一下达林顿管接法的案是很好的,减少一个发射结压降0.7V结果就大不相同了。

至于MOS管的开启电压通常>8V是老黄历了,这年头VGS(th)<2.5V的FET比比皆是。场效应管的d-s压降极小可以避免发热,是不错的选择(除了可能稍贵些外)。



出0入4汤圆

发表于 2008-10-30 12:58:04 | 显示全部楼层
ULN2803驱动不是更好吗?两路并联即可达到1A的电流输出能力,同时内部集成了反向的二极管,四片ULN2803即可搞定16路输出。

而且占用的PCB面积比用贴片三极管大不了多少,成本也不高。

出0入0汤圆

发表于 2008-10-30 12:27:28 | 显示全部楼层
MOS管要选用低开启电压型,否则发热更甚。一般的MOS管VGS>8V才能完全导通!倒不如就用达林顿形式,不过不能用2楼形式,要稍作改动。两个管的集电极不要连在一起,把前面一个管的集电极通过一电阻(220左右)接到电源5V即可,这样后级管的饱和压降才能保证小于0.3V,当然,后级管要选用Icm大一点的管如TIP41、2N3055等,不要用8050的0.8A管了,一点裕量都没有。

出0入0汤圆

发表于 2008-10-30 11:04:08 | 显示全部楼层
正因为用了达林顿,饱和压降增大了,所以才容易烧管子。

这很容易算出来:达林顿管的饱和鸭酱大约是1V,流800mA时管耗0.8W,超出额定值1倍,所以烧掉也只好认栽了。



选取hFE大(比如≧200)的单管驱动,基集给4mA即能保证输出800mA,此时的c-e也就0.25~0.3V左右,管耗≦0.24W<额定功耗的0.4W,应该是安全的。



当然,用MOSFET的话管耗就更小了。

出20入22汤圆

发表于 2008-10-30 09:55:54 | 显示全部楼层
MOS管,三极管太多了,限流电阻搞好,即使管子坏了,不会烧单片机

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2008-10-30 08:32:43 | 显示全部楼层
MCU_i/O需要加光耦隔离一下吗,MOSFET坏掉了12V会把单片机烧坏,会不会出现这情况呢?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2008-10-29 20:20:30 | 显示全部楼层
MOS管具体接法有人可否指教一下

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 20:09:36 | 显示全部楼层
ULN2003

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 18:02:09 | 显示全部楼层
哎呀,16路么?

用MOS最好不过了

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2008-10-29 17:54:16 | 显示全部楼层
手头暂时没有贴片8050

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2008-10-29 17:52:19 | 显示全部楼层
贴片8050不知可否,会不会发热厉害

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 17:48:41 | 显示全部楼层
SS8050

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 17:37:55 | 显示全部楼层
9014的Ic太小,换大点的可以啊。在电磁铁两端反接二极管。

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 17:35:55 | 显示全部楼层
找个硬盘 拆个3055 

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2008-10-29 17:30:06 | 显示全部楼层
mos管接法可以简单说一下吗,或者给个图参考

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 17:17:31 | 显示全部楼层
用MOS管

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2008-10-29 17:15:07 | 显示全部楼层
要做16路驱动,用继电器占面积太大,所以想用贴片三极管,用两个贴片三极管接成达林顿能驱动但时间长了烧管子



 (原文件名:未标题-1.jpg) 

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 15:46:11 | 显示全部楼层
如果需要隔离的话,就加个光耦,然后用达林顿管驱动即可.

出0入4汤圆

发表于 2008-10-30 16:41:39 | 显示全部楼层
谢谢【19楼】 holycat 仙猫



学习了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2008-10-31 10:28:08 | 显示全部楼层
非常感谢,受益非浅

出0入0汤圆

发表于 2008-10-29 22:38:25 | 显示全部楼层
.





 (原文件名:未命名.JPG) 





本贴被 wangguanfu 编辑过,最后修改时间:2008-10-29,22:40:52.

出0入0汤圆

发表于 2011-4-17 22:37:10 | 显示全部楼层
好贴~不知道13楼的图能用不?

出0入0汤圆

发表于 2012-7-9 21:37:11 | 显示全部楼层
mark!!!!!!!!!!!!

出0入0汤圆

发表于 2012-7-9 21:43:40 | 显示全部楼层
用光耦隔离后光耦驱动IRF540,540驱动电磁铁
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