马老师,一次自编程多页不成功,有办法不?

maskiss

马老师,你好,我用了你写的三个自编程函数如下:

void boot_page_ew(long p_address,char code)  
void boot_page_fill(unsigned int address,int data)  
void wait_page_rw_ok(void)  

用ICC编译的,我尝试写M16里6页数据均为0x0102,但是结果只写了一页(M16里的0x0000~0x0080地址),
for (page=0;page<6;page++)
  {
   boot_page_ew(page,0x03);//擦除页
   wait_page_rw_ok();                                    //等待擦除完成  
         for(counter=0;counter<128;counter+=2)
         {
          boot_page_fill(counter,0x0102);
        }
        boot_page_ew(page,0x05);             //将缓冲页数据写入一个Flash页  
        wait_page_rw_ok();              //等待写入完成  
  }
这样可以不?能这样写不,我想一次写多页,可以不?
如果要写多页,怎么个修改法才行?

maskiss

大家帮忙看看,想想啊，我对这个自编程是初哥，不懂啊

machao

我的例子是针对M128的，在M16上使用需要做适当修改，首先M128和M16他们的FLASH页的大小和页数不一样。

对FLASH的写（擦除）操作只能按页进行，写好一页再写下一页，因为片内的页缓冲器大小与页大小相同。

如果能正确写一页了，说明基本成功。调整页数，再写下一页，循环调用，就可以写多页了。一次调用写多页不行。

maskiss

哦,写一页是成功的,可能是页调整不对,所以总写回当前页。


我再看看如何才能调整页数，是不是简单地把页数加1，还是……

maskiss

再顶一次

machao

你至少要看的东西，了解点基本的原理吧。

maskiss

我也分析生成的汇编代码，变量赋值是对应的，


好吧，晚上回家再看看书吧，现在上班就到些为止吧。

maskiss

呵呵,知道问题所在了，程序没有错，只是地址没弄对。呵呵。

machao

重要的是你是否认真读了相关的资料和器件手册，真正明白了原理。做到这些，就是程序有问题，你也能发现和修改了。