nmos作为低端开关，接负载开机损坏

3050311118 · 发表于 2024-7-13 09:18:07

本帖最后由 3050311118 于 2024-7-13 17:44 编辑

nmos是英飞凌的品牌，电流也有几百A，耐压60V。我电池组最高54V电压。我检查了vgs vds都在正常范围，vgs是是我48V分压电阻串开关分压出9v，控制开关导通的，在正常范围。

是开机瞬间电流过大原因吗？开机瞬间偶尔电源管理板会有保护现象，开机瞬间有这么大的电流吗？

网上说要做缓启动，NMOS的缓启动需要怎么做

上传了图片，框内是负载，负载部分有电容。初步怀疑是开机瞬间电容导通导致电流增大。推进器上电默认是不工作的，通过can通信才能启动，可以排除电感的问题
vgs端增加了10uf电容，感觉没什么用。打算电容加大试试

yuyu87 · 发表于 2024-7-13 09:35:37

电阻分压开关频率不能太高，有寄生电容，电阻多大？建议分压电阻不要大于10k

lb0857 · 发表于 2024-7-13 09:41:22

MOS 慢启动快关闭原则是不错的
栅极波形可以抓取看看吗

cne53102 · 发表于 2024-7-13 10:17:20

48V系统用60V的MOS不坏就怪了。换100V的并为切断状态加续流二极管。

lgg88 · 发表于 2024-7-13 13:07:36

用PWM低占空比慢慢加上去，比如1S内从10%-100%加速上去，刚开始直接导通的话肯定电流大

kv2004 · 发表于 2024-7-13 13:21:46

vgs电阻分压的，就考虑一下那个什么平台问题，就是通断时mos内部电容分压在g上的电平变化导致的通断。

kebaojun305 · 发表于 2024-7-13 13:23:11

54V的电压用60V的耐压不坏才怪除非你的自己设计电路保证一点过压毛刺都没有。

3050311118 · 发表于 2024-7-13 17:34:27

yuyu87 发表于 2024-7-13 09:35
电阻分压开关频率不能太高，有寄生电容，电阻多大？建议分压电阻不要大于10k ...
(引用自2楼)

就常规的手动开关按键

3050311118 · 发表于 2024-7-13 17:34:59

lgg88 发表于 2024-7-13 13:07
用PWM低占空比慢慢加上去，比如1S内从10%-100%加速上去，刚开始直接导通的话肯定电流大 ...
(引用自5楼)

手动按键开关

t3486784401 · 发表于 2024-7-13 17:52:01

①耐压，②散热，③过流

先确定是哪个问题，再往后说对策比较合适。耐压目测不太够，散热和过流都是负载相关的：

容性负载、PTC 适合软启动；反过来纯阻性、NTC反倒不适合软启动，容易在放大区烧管子。

kv2004 · 发表于 2024-7-13 19:05:57

kv2004 发表于 2024-7-13 13:21
vgs电阻分压的，就考虑一下那个什么平台问题，就是通断时mos内部电容分压在g上的电平变化导致的通断。 ...
(引用自6楼)

弥勒平台米勒蜜蜡，
总之驱动电路太简单了，或者说就没有像话的驱动电路。改起来有点麻烦，或者买专用驱动模块，这样还快点。

hugohehuan · 发表于 2024-7-13 21:08:15

楼主要补课……
先回答两个中学物理的问题：
电容两端电压能突变吗？
电感上的电流能突变吗？

3050311118 · 发表于 2024-7-16 18:22:11

hugohehuan 发表于 2024-7-13 21:08
楼主要补课……
先回答两个中学物理的问题：
电容两端电压能突变吗？

(引用自12楼)

瞬间大电流损坏，不是电压

Firman · 发表于 2024-7-16 19:50:15

要用IC驱动，分压驱区动上升沿、下降沿太大，告成场效应管内阻大，瞬间发热，无法及时散热。
当然也很有可能是耐压不够，48V电源开关瞬间的尖峰很有可能超60V的

hugohehuan · 发表于 2024-7-17 00:06:58

3050311118 发表于 2024-7-16 18:22
瞬间大电流损坏，不是电压
(引用自13楼)

然后是什么导致大电流？
你连我那两个中学物理问题都回答不出来，说明你也没能力分析出来根因

3050311118 · 发表于 2024-7-17 08:34:09

hugohehuan 发表于 2024-7-17 00:06
然后是什么导致大电流？
你连我那两个中学物理问题都回答不出来，说明你也没能力分析出来根因 ...
(引用自15楼)

电容上电流可以突变，开机瞬间等于短接

3050311118 · 发表于 2024-7-17 08:37:38

Firman 发表于 2024-7-16 19:50
要用IC驱动，分压驱区动上升沿、下降沿太大，告成场效应管内阻大，瞬间发热，无法及时散热。
当然也很有可 ...
(引用自14楼)

可以排除电源尖峰问题，我用的电池

3050311118 · 发表于 2024-7-17 08:39:33

我vgs上增加220uf电容，开机不过流。我测试两天看看情况。之前10uf陶瓷电容有点少

sdsdc · 发表于 2024-7-17 09:28:18

加个负温热敏电阻，如果怕功率高，再加一个MOS管或继电器

qwe2231695 · 发表于 2024-7-17 09:47:19

开关是有抖动的，再加一级mos加快导通就行了

cn_badboy · 发表于 2024-7-17 12:39:16

控制一堆电机驱动板的话，加一个预充电电路，否则开机瞬间几乎等同于短路。

angler12 · 发表于 2024-7-17 13:53:12

看管子规格书上的SOA参数

工程师030 · 发表于 2024-7-17 16:19:42

本帖最后由工程师030 于 2024-7-17 16:37 编辑

楼主你这驱动方式不行，得推挽输出，最好不要用这种电阻分压方式，一般mos管内有结电容的
电容充放电过程mos会处于放大状态，极容易烧坏。
另外你这耐压也不够，少说也得用100V的

Firman · 发表于 2024-7-17 16:45:15

工程师030 发表于 2024-7-17 16:19
楼主你这驱动方式不行，得推挽输出，最好不要用这种电阻分压方式，一般mos管内有结电容的
电容充放电过程mo ...
(引用自23楼)

跟我上面的看法一样

工程师030 · 发表于 2024-7-17 16:57:54

Firman 发表于 2024-7-17 16:45
跟我上面的看法一样
(引用自24楼)

回复的时候没多看，果然是英雄所见略同！
好的设计总是心有灵犀

Firman · 发表于 2024-7-17 17:06:51

工程师030 发表于 2024-7-17 16:57
回复的时候没多看，果然是英雄所见略同！
好的设计总是心有灵犀 ...
(引用自25楼)

钦敬！钦敬！

smallwood · 发表于 2024-7-17 19:43:14

机械输入产生transient voltage击穿mos管, 在输入端加一 tvs 可解决问题

smallwood · 发表于 2024-7-17 19:49:19

应该加tvs而不是zener diode

3050311118 · 发表于 2024-7-19 18:09:32

smallwood 发表于 2024-7-17 19:49
应该加tvs而不是zener diode
(引用自28楼)

测试了几天，没有再发生损坏问题，应该是解决了。放稳压管是防止电阻坏了，电压损坏mos。后面有增加TVS。 mos管当开关，负载有大电容的情况，必须得做缓启动，不然容易坏MOS

nmos作为低端开关，接负载开机损坏

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