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标题: 中国功率半导体器件领路人陈星弼在成都逝世 [打印本页]

作者: phonix2019 时间: 2019-12-5 12:42
标题: 中国功率半导体器件领路人陈星弼在成都逝世
四川在线消息（记者李寰）国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。

　　因对我国功率半导体领域的突出贡献，陈星弼先生于1999年当选为中国科学院院士。因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，他于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年5月，因发明的超结器件成为国内首位入选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂的科学家。

　　陈星弼先生1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系。毕业后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系担任助教。1956年到成都电讯工程学院（现电子科技大学）任教。1983年任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者。

　　陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子工业部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师。他是国际著名的半导体器件物理学家、微电子学家，是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。

　　陈星弼先生于上世纪五十年代末，在国际上最早对漂移晶体管的存贮时间问题作了系统的理论分析。七十年代，他在我国率先制造硅靶摄像管。八十年代以来，从事功率半导体器件的理论与结构创新方面的研究。在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，并第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。上世纪八十年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构打破了传统功率器件的硅极限，被国际学术界称为“功率器件的新里程碑”。

2000年以后，陈星弼先生的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。他发表超过200篇学术论文和获得授权中美等国发明专利40余项，其中著名的超结发明专利US 5216275被国际专利他引超过550次，并授权给国际主流半导体公司。他主持完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等。

　　[中国功率半导体器件领路人]

　　陈星弼与半导体结缘于1958年。当年，在中国科学院进修的陈星弼被漂移晶体管吸引住了，当时他被指派去为计算机做半导体器件的测试。他以一个科研工作者的天赋，敏感地意识到这一领域具有极大的研究价值和发展潜能。不久，他写了第一篇论文《关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题》，这篇论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后才发表了相关问题的论文。第一篇论文就大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。

　　真正让陈星弼走进世界舞台对中央，是因为他对“第二次电子革命”对的贡献。20世纪90年代初，行业内专家认为，陈星弼的几项发明成为第二次电子革命的突破口，这一创新在十年内将无人能突破。

　　在这背后，陈星弼的付出是巨大的。

　　要让功率管实现对电能的控制，主要的方法是开关。要想实现对开关的自由控制，就要实现开关的高灵敏、智能化。但是，功率管要求耐高电压而集成电路只能耐低电压。国外不得不把功率管和集成电路“隔离”开来，耗费巨大成本，还“费力不讨好”。陈星弼决心啃下这块硬骨头，要让仪器不仅有了一个“聪明的大脑”，还能做到“四肢发达”，让做开关的功率管能够轻松地直接连到集成电路上。经过多年的试验，陈星弼通过改变功率管的结构，发明了复合缓冲耐压结构，现称为超结器件，它的优点是导通电阻低，易驱动，速度快。该技术已经获得美国和中国发明专利。自1998年起，国外已有8家公司在制造。这个方法的工艺被改进后，成本大大下降，目前已成为一种重要产品，科技成果转化市场规模每年超过10亿美元。

作者: newID 时间: 2019-12-5 13:16
这个星追的人少

作者: SANMSONWANG 时间: 2019-12-5 13:26
这种才是真正的牛人。看介绍，一辈子都是在干活中

作者: haizaolan 时间: 2019-12-5 13:35
以前看过他写的书，确实写的好

作者: 九月 时间: 2019-12-5 13:37
向老前辈致敬
一辈子的辛勤劳动
却比不过那些艺人
人家唱首歌就全世界的人都知道了
这位前辈到死了，还不如大家所知。

作者: hzpyl 时间: 2019-12-5 14:34
陈星弼
老乡，
但第一次听到，
牛人，
但估计理论多，产业化少。

作者: seaman117 时间: 2019-12-5 15:23
顶了，楼上大胡子，产业化需要配套的成熟工艺，做1个和做10000个不是一个层面的东西

作者: 饭桶 时间: 2019-12-5 15:25
看照片老头好人一个，但估计限制于年纪和技术水平，对中国实际生产的意义应该不是很大，否则那个著名的中国电影，厉害了我的锅中应该有提。

作者: carefree1986 时间: 2019-12-5 16:05
我大中国还有此等牛逼人物

作者: 亲爱的混蛋 时间: 2019-12-5 16:24
老爷子一路走好

作者: newselect 时间: 2019-12-5 16:26
现在国内的先驱者已经很少了, 都喜欢拿来主义

作者: gushuailove 时间: 2019-12-5 18:43

carefree1986 发表于 2019-12-5 16:05
我大中国还有此等牛逼人物

是民国时候的人才

作者: eit 时间: 2019-12-5 18:52

这种才是要真正值得去追星

作者: qdght 时间: 2019-12-5 19:15
值得尊敬，一路走好

作者: ziruo2002ab 时间: 2019-12-5 19:28
本帖最后由 ziruo2002ab 于 2019-12-6 00:06 编辑

电子科大有这样的巨擘

作者: foric 时间: 2019-12-5 20:43
本帖最后由 foric 于 2019-12-5 20:46 编辑

电子科大的院士楼又少了一位泰斗，一路走好！
上一位去世的院士是2015年的林为干院士

作者: pcwhy 时间: 2019-12-5 22:58
国内，只要是拿到IEEE Fellow 或者ACM Fellow的学者都值得尊敬。尤其是life-time Fellow

作者: hugohehuan 时间: 2019-12-6 00:02
大神一路走好

作者: ericdai 时间: 2019-12-6 00:41
很早就知道，可惜他的东西在国内工艺和体制下发挥不出来，老先生应该早一点移民出去，技术也早一天造福人类

作者: Andrewz 时间: 2019-12-6 05:57
第一次听到。

作者: llppd 时间: 2019-12-6 06:34
前天知道了，老爷子一路走好！

作者: zhiwei 时间: 2019-12-6 08:39

hzpyl 发表于 2019-12-5 14:34
陈星弼
老乡，
但第一次听到，

这个很成熟了吧，各大厂都在做的coolmos 超结MOS应该都是这个东西吧。

作者: qmsolo2004 时间: 2019-12-6 11:06
向老前辈致敬

作者: xyz.543 时间: 2019-12-6 11:29
在没有 PPT 时代的真材实料啊！

作者: zzjjhh250 时间: 2019-12-6 11:55
super junction 厉害

作者: jjj 时间: 2019-12-6 11:56
这个星关注的人少，这个时候抖音应该负起社会责任。

作者: tangmintm8013TM 时间: 2019-12-6 15:30
一路走好！

作者: stt1990511 时间: 2019-12-7 08:20
值得尊敬。。

作者: rniu 时间: 2019-12-7 09:10
国内功率器件设计领域的泰斗，那个圈子没有人不知道他的。英飞凌的CoolMOS就是付的他的超结专利。

作者: tgdiy 时间: 2019-12-7 18:11
牛人，致敬

作者: WalkingCat 时间: 2019-12-7 18:59
向老前辈致敬。感觉是应该宣传科技追星了，感觉崇尚科学技术的氛围太差了

作者: boceyibiao 时间: 2019-12-7 19:32
泰斗，一路走好！

作者: wxdl 时间: 2019-12-7 21:58
先生,走好。致敬！

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