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关于24V卡车电源供电的问题

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出0入0汤圆

发表于 2013-6-23 00:38:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 meiko 于 2013-6-23 00:41 编辑

24V卡车电源的车载设备中,元器件的耐压应该如何选择?有文档说车辆的浪涌可高达100V -ms级,实在毫无头绪啊!

电源部分,如图所示的浪涌/掉电/滤波是否合理?其中2mH的是共模电感,后级的DCDC不带隔离。

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阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入0汤圆

发表于 2020-11-25 15:22:04 | 显示全部楼层
可以在D3后面加一个差模电感抗浪涌。

出0入0汤圆

发表于 2020-11-25 13:28:54 | 显示全部楼层
道路车辆  电磁干扰 标准 ISO_7637-123 标记

出0入0汤圆

发表于 2013-7-5 12:17:03 | 显示全部楼层
meiko 发表于 2013-7-4 11:52
附上,还有几个其他的

非常感激    学习中   
亲  抱一个

出0入0汤圆

发表于 2013-7-4 13:41:11 | 显示全部楼层
学习               

出0入475汤圆

发表于 2013-7-4 13:01:31 | 显示全部楼层
meiko 发表于 2013-7-4 11:59
那个是芯片的问题,我用面包板+钽电容+LM1117搭了个3.3v的供电,上去一样烧。后来换了一家买这个芯片,啥 ...

如果是真的MAX的芯片你出现这样的现象,肯定是电源的问题无容置疑了,
现在是IC本身的问题,那就另当别论啊,这样的原因,谁能说明白

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-7-4 11:59:15 | 显示全部楼层
1a2b3c 发表于 2013-6-30 13:36
响应时间
就类似二极管击穿也得有个时间,在没击穿前电压还是很高,虽然那个时间可能只有1us,甚至更低,
...


那个是芯片的问题,我用面包板+钽电容+LM1117搭了个3.3v的供电,上去一样烧。后来换了一家买这个芯片,啥问题都没有了。关于电压基准,我不认同你说的,电压基准有个重要指标就是上电初始状态的输出电压误差,一般都很小。再说了,不这样的话,很多用它做ADC的参考电压的,都要出问题了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-7-4 11:52:21 | 显示全部楼层
icengineer 发表于 2013-7-3 10:53
楼上的那两份PDF 无法打开,楼主能否分享下。 这个供电感觉好多学问,想学学 ...

附上,还有几个其他的

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出0入0汤圆

发表于 2013-7-3 11:23:01 | 显示全部楼层
搭车求一个 从发动机12V输出引电给设备用的电源模块        发电机的12V转成能用的12V

出0入0汤圆

发表于 2013-7-3 11:04:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 zhzj2007 于 2013-7-3 11:05 编辑
icengineer 发表于 2013-7-3 10:53
楼上的那两份PDF 无法打开,楼主能否分享下。 这个供电感觉好多学问,想学学 ...


改后缀为.pdf也不能打开

出0入0汤圆

发表于 2013-7-3 10:53:50 | 显示全部楼层
meiko 发表于 2013-6-30 14:52
谢谢楼上,很好的资料

楼上的那两份PDF 无法打开,楼主能否分享下。 这个供电感觉好多学问,想学学

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-6-30 14:52:24 | 显示全部楼层
谢谢楼上,很好的资料

出0入18汤圆

发表于 2013-6-30 13:40:17 | 显示全部楼层
刚好做过类似东西,传点资料供LZ参考




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出0入475汤圆

发表于 2013-6-30 13:36:45 | 显示全部楼层
响应时间
就类似二极管击穿也得有个时间,在没击穿前电压还是很高,虽然那个时间可能只有1us,甚至更低,

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-6-30 13:00:40 | 显示全部楼层
U4不起作用是什么意思?U4不是就是一个特性比较好的齐纳二极管吗?

我的示波器没存储深度的,虽然是数字的,买的时候不懂,一直在后悔。

出0入475汤圆

发表于 2013-6-30 10:44:49 | 显示全部楼层
数字示波器捕捉一下你现在加电时候U4的输出电压就清楚了

出0入475汤圆

发表于 2013-6-30 10:43:19 | 显示全部楼层
输出的5V加一个大一点的电解电容试试,比如至少10uf以上,万一U4的有效时间很慢咋办,那时候U4还没起作用,高压直接加到U3上了,加电容可以缓升一下。
而且照理说,一般都得整一个大一点的电解一类的,你就只有一个0.1uf的很不合适

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-6-30 01:40:16 | 显示全部楼层
是啊,我是说R3如果接D极,G就会比D低8V,比S低7V,mos不会导通,只有体二极管会导通。

另外,出了这个问题:如图,U4是电压基准,shunt电流6mA,U3是一个温度开关,工作电流按照手册只有0.9mA。问题是,每次上电,U3击穿,4脚VCC-2脚GND短路。把U3取下,上电U4输出5V没问题,接个5K电阻当负载也没问题,但U3上去就是烧。

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出0入0汤圆

发表于 2013-6-30 00:14:28 | 显示全部楼层
NMOS只要满足G比S高一个门槛电压(一般是4.5V)就能导通,DS的电流方向可以反过来
10%的精度,少整点东西便于布线就行了,连L1都可以省掉,用二极管钳位(地->信号->电源)很管用的,信号线上一定要串一个限流电阻

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-6-29 15:35:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 meiko 于 2013-6-29 15:56 编辑
bailao99 发表于 2013-6-29 13:55
ACC2只是小信号,那么一颗TVS足够。
R3接MOS的D更可靠一点,ACC0和ACC0 GND之间的压差是确定的,不会因MOS ...


R3 接mosfet的D时,正接时,电阻会使得G比D电压更低,低于S和D之间体二极管正向导通的电压1V,所以Vgs会是负值,mos不会开启,完全靠体二极管导通,肯定不对把?

GS间的双向齐纳管?有没有推荐型号?


另外:大致估算了下,本身MCU的ADC精度就只有10%(按照其内部的电压基准精度10%),我这里只需要判断车辆点火,电瓶亏电等情况,对精度要求不高。另外,ACC2这里的电流大约只有20mA, 并且负载变化导致这里的电流变化小于1%。那些D2,R2电压波动可以不计,而且这个具体调试时可以标定校准。只要没有过高的瞬态,导致ADC失效即可。

出0入0汤圆

发表于 2013-6-29 13:55:31 | 显示全部楼层
ACC2只是小信号,那么一颗TVS足够。
R3接MOS的D更可靠一点,ACC0和ACC0 GND之间的压差是确定的,不会因MOS的通断或者是否损坏而收影响
MOS的G和S之间接一个双向稳压管,可防止GS过压
L2后面并接一些电容例如220u,10u,100n,100p并联,L1后串一个较大的电阻10K-100K,再接1个100n的电容到地,后面用二极管限压接AD。
取消D2,R2,D10,这些会影响输入电压精度。
可压参考安捷伦、福禄克的仪表电路,现在的工程师能加的只是防过压,削尖峰,防反接而已。
另外,地线串NMOS防反,比较少见,小信号用PMOS在电源端防反更常用。

出0入0汤圆

发表于 2013-6-29 13:33:15 | 显示全部楼层
关注学习。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-6-29 12:39:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 meiko 于 2013-6-29 12:52 编辑
bailao99 发表于 2013-6-29 11:00
D10是否取消取决于后面的DC/DC最大输入电压,如果为45V就可以取消
R3,接的地方好像不对,用实际电路测试过 ...


D10 是按Vishay的推荐,DC/DC输入范围没问题,主要考虑是需要稳定可靠的ACC2,经过电阻分压后进MCU的ADC,监控电瓶电压,实现低压/亏电保护,这个电压需要稳定可靠,电压波动不说,ADC端口不能过压,另一方面,这个东西完全可以不考虑成本(毛利润率估计最少可以做到1000%),可靠性是第一位的。

R3有什么不对吗?标准mos管防反接电路不是这样吗?按电压波动范围 18V-50V算,实际Vgs 范围是6-16V,Vgs开启电压即使在低温-55度 也只有不到5V,耐压是30V。

R3并电容,并多大好呢?0.1uF的话,RC有1ms级,会不会影响mos管开启的速度?
不过仔细查了mos管的手册,实际工作电流6A,DS的体二极管完全没问题。并电容好建议,准备加上。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-6-29 12:27:11 | 显示全部楼层
bailao99 发表于 2013-6-29 10:45
40VTVS用于消除尖峰,正常情况下,不起作用,一个就够了,除非工作环境极其恶劣。
二极管后的20欧电阻和D10 ...

Vgs阈值最大4V,18V低压时,Vgs实际也有6V,可靠开启。Vgs耐压是30V。我把G极的R1接到 TVS和电感后面,主要也是考虑到,各种瞬态干扰导致G误动作,或者击穿。不知道这样是否可靠?

出0入0汤圆

发表于 2013-6-29 11:29:53 | 显示全部楼层
同样关注

出0入0汤圆

发表于 2013-6-29 11:00:55 | 显示全部楼层
D10是否取消取决于后面的DC/DC最大输入电压,如果为45V就可以取消
R3,接的地方好像不对,用实际电路测试过吗?
电路中的防反接法是从哪个参考文档上弄到的?

出0入0汤圆

发表于 2013-6-29 10:47:09 | 显示全部楼层
TVS买贵了,半价可拿到

出0入0汤圆

发表于 2013-6-29 10:45:21 | 显示全部楼层
40VTVS用于消除尖峰,正常情况下,不起作用,一个就够了,除非工作环境极其恶劣。
二极管后的20欧电阻和D10可以取消的
NMOS G端电压是否可靠?24V系统,标称值为28V,20-32V都是正常工作范围,通常设计在18-36V都可以正常工作,G端电压是否在这个范围内都保证MOS可靠开通?
还有 G端为了避免瞬态干扰,建议给R3并一个电容

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-6-28 16:39:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 meiko 于 2013-6-29 12:41 编辑

最后搞成这样了,参考了vishay的appnote


SM8S36A,汽车用,体积超大,整个正极都做成了大号散热pad,封装功率Pd=8W,Pppm更是惊人,给人以无比的信任感 当然价格也吓人 18元/颗。

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出0入0汤圆

发表于 2013-6-26 13:19:45 | 显示全部楼层
做过24V老人代步车的控制,不算成功.
电机PWM调速运行时,万用表测到电瓶电压为120V

出0入0汤圆

发表于 2013-6-26 13:18:37 | 显示全部楼层
持续关注中

出0入0汤圆

发表于 2013-6-26 13:13:16 | 显示全部楼层
成品电源模块,除非你电路体积受限

出0入0汤圆

发表于 2013-6-26 12:34:19 | 显示全部楼层
TVS取值可以小点,40V以上即可

出0入0汤圆

发表于 2013-6-26 12:33:47 | 显示全部楼层
60V以上,电源结构显然不合理,MOV和TVS应该放到防反二极管前
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