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求助,单片机断电测试内部Flash Block0被擦除

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出0入4汤圆

发表于 2020-11-27 10:26:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
使用AVR,正常使用没发现问题。在小批量(50片)上电断电测试时,发现总有1片或2片出问题。读flash后发现,Block0全被擦除,其他Block正常。请问大家是否遇到过?该如何解决?

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入0汤圆

发表于 2020-11-27 10:42:04 | 显示全部楼层
现在用AVR的人多吗?

出0入0汤圆

发表于 2020-11-27 10:42:41 | 显示全部楼层
感觉AVR是0几年的流行款

出0入442汤圆

发表于 2020-11-27 12:38:25 来自手机 | 显示全部楼层
断电程序跑飞了,跑到擦flash区域去了把flash给擦了。。(电压很低且未触发uvp时flash有可能读出不正确造成异常)改一下程序,把写flash的指令换成动态变量,避免跑飞直接写flash试试。或者加个复位芯片避免意外吧。

出0入4汤圆

 楼主| 发表于 2020-11-27 14:41:55 | 显示全部楼层
wye11083 发表于 2020-11-27 12:38
断电程序跑飞了,跑到擦flash区域去了把flash给擦了。。(电压很低且未触发uvp时flash有可能读出不正确造成 ...

请教:写flash换成动态变量是什么意思?能否解释一下,不甚感激!
加复位芯片比较麻烦  硬件已经做好了。是不是加大复位对地电容也能有效果?

出0入0汤圆

发表于 2020-12-1 11:33:46 | 显示全部楼层
本帖最后由 学尔趣 于 2020-12-1 11:38 编辑

1、首先先确定应用是否有正常写block0的功能,如果先重点排查触发条件,将触发写block0的条件限制严谨。
2、如果应用中完全没有写block0的代码,即写flash的代码有严格对擦除或写flash的地址做严格过滤,则大概率要考虑是硬件的抗快速群脉冲性能不足,造成MCU工作异常冲了flash扇区数据。

出200入2554汤圆

发表于 2020-12-2 16:49:40 | 显示全部楼层
这个简单,开启 AVR 的 BOD 功能就行。

这类问题(意外擦出 FLASH/EEPROM)经常出现在有 Bootloader 的程序里,断电瞬间跑飞了意外擦除。
系统供电稳定的话,设定个高点的 BOD 数值就行;
怕供电不稳意外重启的话,设定个稍低的 BOD 一样能用。

出0入0汤圆

发表于 2020-12-2 20:54:02 | 显示全部楼层
赞同楼上的回复,加个BOD ,欠压复位功能就可以了

出0入4汤圆

 楼主| 发表于 2020-12-5 17:02:55 | 显示全部楼层
BOD+看门狗之前一直开着。所以应该不是BOD的问题

出200入2554汤圆

发表于 2020-12-5 18:27:06 | 显示全部楼层
kttest 发表于 2020-12-5 17:02
BOD+看门狗之前一直开着。所以应该不是BOD的问题

如果 BOD 开启的话,应该着重检查 6L 提及的,是否有写入/擦除 block0 的代码。

出0入0汤圆

发表于 2021-3-9 15:46:35 | 显示全部楼层
楼主问题解决了吗?方便分享一下解决方法吗?

出0入0汤圆

发表于 2021-3-9 16:12:32 | 显示全部楼层
上电断电测试过程,屏蔽擦写FLASH的部分,这样可以排除是人为擦的。

出0入4汤圆

 楼主| 发表于 2021-3-9 20:32:31 | 显示全部楼层
没有解决。甚至试过把代码里所有关于写Flash的全部删除,仍然会有Block被擦除的现象,所以只好放弃。

换了别的品牌的单片机后用一样的代码,没问题。

出145入215汤圆

发表于 2021-3-12 23:23:27 来自手机 | 显示全部楼层
可能电源电路升降太缓慢了,造成复位异常死机。以前就遇到过一款产品,stm8在芯片电源输入设计了一个二极管,结果反复断电重启丢失数据。

出0入0汤圆

发表于 2021-5-24 15:06:20 | 显示全部楼层
我用ATMEL M0+主控也出现上下电竟然出现掉固件,最后我在启动是先先保护flash。不知道AVR有没有这功能。

出0入0汤圆

发表于 2021-5-24 15:09:38 | 显示全部楼层
kttest 发表于 2021-3-9 20:32
没有解决。甚至试过把代码里所有关于写Flash的全部删除,仍然会有Block被擦除的现象,所以只好放弃。

换了 ...

我猜测可能进入线烧录情况
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