MSP430G2353上电复位不稳定（死机），大家帮忙分析

KAGE · 发表于 2012-11-4 22:07:07

一个项目用的是MSP430G2353。
1：复位电路是TI推荐的47k+1nf（手册上说<2.2nF,这个电容大了没法仿真或折通过SBW方式写入程序）
2：Test端悬空（写程序时用）。
3：供电：36V--->DC-DC--->6.5V--->1117-3.3(3.3V的LDO)--->3.3V--->mcu。
4：用现行稳压电源供电时，上电瞬间出现死机的概率很大>10%.改为开关电源后有所改善，5%左右。
5：TI技术支持说芯片的电源需要马上建立，给出的建议是0-1.8V的时间小于2ms，可这个不好控制。
6：小批量测试时未发现死机现象（100块左右），只是用手触摸写程序的接口时容易复位，但是不死机。
7：不能考虑加复位芯片了，产品对成本很敏感，若是非要加复位芯片就不如换MCU了。
8：怀疑TI的这款MCU外部RC复位做的不是很可靠，若是这样以后直接换。

大家有什么好的建议吗？现在产品做出来都不敢给客户发货了，耽误事了。

jiwm · 发表于 2012-11-4 22:18:30

47k+1nf应该没有问题的，TI给的参考电路就是这样。
感觉还是电源问题，你严格测试下上电过程中的输出变化，另外，串个电感看看效果。

KAGE · 发表于 2012-11-4 22:20:38

jiwm 发表于 2012-11-4 22:18
47k+1nf应该没有问题的，TI给的参考电路就是这样。
感觉还是电源问题，你严格测试下上电过程中的输出变化， ...

谢谢。
LDO前面串了磁珠，现在测量从0v上升到3.3v的时间约10几毫秒。这个时间越快越好吗？

KAGE · 发表于 2012-11-4 22:22:38

KAGE 发表于 2012-11-4 22:20
谢谢。
LDO前面串了磁珠，现在测量从0v上升到3.3v的时间约10几毫秒。这个时间越快越好吗？
...

电感串在LDO与mcu之间？

sf49ers · 发表于 2012-11-4 22:34:29

复位用三极管呢，基极用500K和330K分压，VCC高于2v时才退出复位

KAGE · 发表于 2012-11-4 23:11:52

sf49ers 发表于 2012-11-4 22:34
复位用三极管呢，基极用500K和330K分压，VCC高于2v时才退出复位

您是说我那些有问题的是始终没有退出复位状态吗？可电压上升到3.3V了。到现在我还真不明白这个复位的过程，能否详细解释下？谢谢

sf49ers · 发表于 2012-11-5 00:17:51

是电源和复位同时增长，电源尚未稳定，复位已撤掉，MCU跑到不定状态

alengend · 发表于 2012-11-5 06:43:41

试过加大47K电阻么？如果电源上升速度不好控制的话，试试增加复位时间

hailing · 发表于 2012-11-5 07:44:45

关于手摸复位的问题，在test上加100pf到330pf的电容试试。430单片机抗干扰真心不行

KAGE · 发表于 2012-11-5 11:32:17

sf49ers 发表于 2012-11-5 00:17
是电源和复位同时增长，电源尚未稳定，复位已撤掉，MCU跑到不定状态

是这个原因，TI的资料表达的也是这个意思。我把1nf电容加大试试。现在情况是：在电源就进接行，延长600米线就有复位不行的了。

KAGE · 发表于 2012-11-5 11:32:45

hailing 发表于 2012-11-5 07:44
关于手摸复位的问题，在test上加100pf到330pf的电容试试。430单片机抗干扰真心不行 ...

好，谢谢，我会测试一下。

KAGE · 发表于 2012-11-8 22:26:51

把复位的电容加大到1uf，上电都能正常复位了，但这又引出两个问题：
1：快速断电在上电，容易死机。
2：无法在线写入程序（SBW方式）。

MSP430G2353上电复位不稳定（死机），大家帮忙分析

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