nmos作为低端开关，接负载开机损坏

3050311118 · 发表于 3 天前

本帖最后由 3050311118 于 2024-7-13 17:44 编辑

nmos是英飞凌的品牌，电流也有几百A，耐压60V。我电池组最高54V电压。我检查了vgs vds都在正常范围，vgs是是我48V分压电阻串开关分压出9v，控制开关导通的，在正常范围。

是开机瞬间电流过大原因吗？开机瞬间偶尔电源管理板会有保护现象，开机瞬间有这么大的电流吗？

网上说要做缓启动，NMOS的缓启动需要怎么做

上传了图片，框内是负载，负载部分有电容。初步怀疑是开机瞬间电容导通导致电流增大。推进器上电默认是不工作的，通过can通信才能启动，可以排除电感的问题
vgs端增加了10uf电容，感觉没什么用。打算电容加大试试

yuyu87 · 发表于 3 天前

电阻分压开关频率不能太高，有寄生电容，电阻多大？建议分压电阻不要大于10k

lb0857 · 发表于 3 天前

MOS 慢启动快关闭原则是不错的
栅极波形可以抓取看看吗

cne53102 · 发表于 3 天前

48V系统用60V的MOS不坏就怪了。换100V的并为切断状态加续流二极管。

lgg88 · 发表于 3 天前

用PWM低占空比慢慢加上去，比如1S内从10%-100%加速上去，刚开始直接导通的话肯定电流大

kv2004 · 发表于 3 天前

vgs电阻分压的，就考虑一下那个什么平台问题，就是通断时mos内部电容分压在g上的电平变化导致的通断。

kebaojun305 · 发表于 3 天前

54V的电压用60V的耐压不坏才怪除非你的自己设计电路保证一点过压毛刺都没有。

3050311118 · 发表于 3 天前

yuyu87 发表于 2024-7-13 09:35
电阻分压开关频率不能太高，有寄生电容，电阻多大？建议分压电阻不要大于10k ...
(引用自2楼)

就常规的手动开关按键

3050311118 · 发表于 3 天前

lgg88 发表于 2024-7-13 13:07
用PWM低占空比慢慢加上去，比如1S内从10%-100%加速上去，刚开始直接导通的话肯定电流大 ...
(引用自5楼)

手动按键开关

t3486784401 · 发表于 3 天前

①耐压，②散热，③过流

先确定是哪个问题，再往后说对策比较合适。耐压目测不太够，散热和过流都是负载相关的：

容性负载、PTC 适合软启动；反过来纯阻性、NTC反倒不适合软启动，容易在放大区烧管子。

kv2004 · 发表于 3 天前

kv2004 发表于 2024-7-13 13:21
vgs电阻分压的，就考虑一下那个什么平台问题，就是通断时mos内部电容分压在g上的电平变化导致的通断。 ...
(引用自6楼)

弥勒平台米勒蜜蜡，
总之驱动电路太简单了，或者说就没有像话的驱动电路。改起来有点麻烦，或者买专用驱动模块，这样还快点。

hugohehuan · 发表于 3 天前

楼主要补课……
先回答两个中学物理的问题：
电容两端电压能突变吗？
电感上的电流能突变吗？

3050311118 · 发表于 2 小时前

hugohehuan 发表于 2024-7-13 21:08
楼主要补课……
先回答两个中学物理的问题：
电容两端电压能突变吗？

(引用自12楼)

瞬间大电流损坏，不是电压

Firman · 发表于半小时前

要用IC驱动，分压驱区动上升沿、下降沿太大，告成场效应管内阻大，瞬间发热，无法及时散热。
当然也很有可能是耐压不够，48V电源开关瞬间的尖峰很有可能超60V的

nmos作为低端开关，接负载开机损坏

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