gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58 有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。 JFET G对D/S的特性 ...
xuande 发表于 2012-5-4 14:40 6楼说得靠谱。 这台仪器是测量pA电流的,普通二极管是不能用的。
xuande 发表于 2012-5-5 09:58 图肯定是要改的。 还有问题不明白,请gzhuli说明一下: 即使G对DS和二极管一样,有0.6v压降,但通过的电流 ...
huayuliang 发表于 2012-5-5 16:50 用1N4148和2N5197做了下比较,5V/0V的电源轨,两个电路都用的1k电阻。 1N4148的漏电流在nA级,2N5197的 ...
Nuker 发表于 2012-5-4 15:01 再强调一句,不是MOS FET,而是J-FET 来一个BB公司1980年的文章:DIODE-CONNECTED FET PROTECTS OP AMPS
jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24 这么做也可以
xidao 发表于 2013-4-15 11:00 这个电路能讲讲吗?谢谢。
Pjm2008 发表于 2013-10-8 13:33 仍然是二极管保护,只是两个管串在起了,漏电流还是比J-FET漏电要大
gzhuli 发表于 2012-5-5 08:48 应该是这样的。顺便把MOS1/MOS2也改了吧。