马老师您好，请教您一个熔丝设置问题
1.请问您，mega128的sram是4KB，而mega1280的sram是8KB,但在avr studio 4 中的熔丝位设置的选框中的对boot flash section size 的大小选项的设置却相同，请问这是为什么呢？在设置时我都会选 4096 words一项。如图所示（avr studio 4 中mega1280的熔丝位设置内容和mega128相同）：
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_7/armok01161577.jpg
2.还有就是我一直例如mega128芯片中的 128KB的flash，4KB的eeprom 和 4KB的SRAM ，以及 64KB的外部存储空间之间的关系和作用比较模糊。
仅仅知道，程序是烧在flash里，数据是保存在sram中，例如，在编译程序后，会在build框中显示两组数据，一组是program的大小和占用的空间，另一组是data的大小和占用的空间。
请您指点一下。谢谢！ bootsize 设置是针对FLASH的。FLASH 是程序存储器，掉电内容不丢失，像电脑的硬盘。
SRAM 就像电脑的内存，存储程序运行中的数据变量。掉电内容丢失。
EEPROM 是用来保存数据和设置的，掉电数据不丢失。 好，非常感谢！
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