这个MOS管很容易击穿损坏,是啥原因呢?
本帖最后由 andy93762 于 2023-5-5 20:27 编辑如图是一个MOS管DH100P30D,为PMOS管,厂家标着最大耐压100v,最大电流30A。
请问如果我给的S极供电电压为90V,P1口最大可以输出的极限平均电流为多少呢?
还有一个问题,我只要把P1输出口短接,MOS管会马上击穿损坏,这个是为啥呢?是电路设计问题么?(我的90V电源如果最大限流1A也会导致mos管击穿)
输出短路了,又没有过流保护。
合乎逻辑。haha 5551关闭时,g极对地90v,g极击穿 串联一个自恢复保险。不过只有这个可能无法解决问题。
在R27上还需要并联稳压二极管限制栅极电压,虽然电阻分压似乎可以提供正确的栅极电压,
但是在短路输出的时候,栅极电压也可能会出问题,因为MOS并不只有栅极是电容。
另,不要用大字体 R27 和 R28 阻值分压比例不对。对调过来看看 1A限流是有时间响应的,一般是1-5ms,足够损坏mos了。另外测量一下G电压,mos貌似工作在线性区? 关键是通了多久,是1毫秒还是0.1毫秒。90伏的电压下什么管子都不结实 “关于MOS管的一些疑问望指导下”标题不合格。请自行修正。否则会被封锁ID一星期甚至永久封锁。(注意:主题发出24小时后就不能修改帖子)
帖子标题必须能充分说明帖子的内容。如你要问AVR的ADC如何才能测量得比较准确,“AVR的ADC如何消除干扰测量得比较准确?”是合格的标题。不合格举例:
1:小女子冰天雪地裸体跪求解决方法
2:救命啊...
3:高手请出招,一个无法解决的AVR问题
4:一个困扰学习单片机初学者,惊动单片机开发者的难题
5:AVR的ADC测量 (点评:你到底是问问题,或是有技术心得与大家分享?) P1接一个大功率负载电阻,阻值根据电流来选择。 3楼分析的有道理G极对地电压太高了。为啥要用PMOS,用NMOS不是更简单吗 mos管难道是永不损坏的器件?即使大电流也毫发无损? jxnclff 发表于 2023-5-4 23:01
5551关闭时,g极对地90v,g极击穿
(引用自3楼)
5551是一直在导通的情况下,也会击穿 cne53102 发表于 2023-5-4 23:04
串联一个自恢复保险。不过只有这个可能无法解决问题。
在R27上还需要并联稳压二极管限制栅极电压,虽然电阻 ...
(引用自4楼)
并个稳压管感觉有点必要,谢谢提醒 wy2000 发表于 2023-5-5 09:19
3楼分析的有道理G极对地电压太高了。为啥要用PMOS,用NMOS不是更简单吗
(引用自10楼)
我要能控制正极的电压才可以,不能控制负极 qwe2231695 发表于 2023-5-5 00:48
1A限流是有时间响应的,一般是1-5ms,足够损坏mos了。另外测量一下G电压,mos貌似工作在线性区? ...
(引用自6楼)
90v的情况下,Vgs电压有10v,应该是饱和导通吧 GS电容太大,导通的时候进放大区了烧了 Xujuango 发表于 2023-5-5 12:58
mos管难道是永不损坏的器件?即使大电流也毫发无损?
(引用自11楼)
1A的电流不算大 mkliop 发表于 2023-5-5 20:41
GS电容太大,导通的时候进放大区了烧了
(引用自16楼)
Vgs电压10v,不算大吧 lb0857 发表于 2023-5-4 22:58
输出短路了,又没有过流保护。
合乎逻辑。haha
(引用自2楼)
应该怎样做过流保护呢? 又回来仔细看了眼,不能在90V电压上使用100V的MOS,余量不够,换200V或250V的。R27换15K并联12V或15V稳压管,R28换100K。MOS下面增加一个二极管,MOS的3脚与二极管的cathode连接,GND与二极管的anode连接,耐压不小于200V,电流要符合负载电流(但不需要考虑热量)。
过流保护除了自恢复保险以外没有什么简单方案。 90V * 1A = 90W helloshi 发表于 2023-5-6 06:03
90V * 1A = 90W
(引用自21楼)
没错,就那个小破管子,就算是460也要掂量掂量。我以前做负载这样的功率都是用引脚是四个大螺栓的散热背板有厚厚紫铜,绝缘有氮化硅陶瓷衬底的1000伏50安的大家伙,那玩意一只就可以换几大碗加肉的牛肉拉面 ibmx311 发表于 2023-5-6 07:34
没错,就那个小破管子,就算是460也要掂量掂量。我以前做负载这样的功率都是用引脚是四个大螺栓的散热背 ...
(引用自22楼)
台式机cpu带风扇的散热器
效果 杠杠滴
某宝几块钱就搞定
还有led闪烁炫光闪烁滴 andy93762 发表于 2023-5-5 20:41
1A的电流不算大
(引用自17楼)
你量过短路时,电流是 1A? Xujuango 发表于 2023-5-6 08:25
你量过短路时,电流是 1A?
(引用自24楼)
估计肯定不止,换个1A的负载估计就烧不掉了,短路时的能量都积聚在管子上,有负载时积聚在负载上肯定不一样,耐压也太低了,100V抖几下估计就超了,GS脚也得并稳压管保护 建议楼主看看该PMOSFET的资料,
检查文档中SOA参数电流和时间的曲线图! 这个事情还要讨论干什么呢,这个电压下连续电流那么大根本就不现实,管子的封装已经决定了不可能超过40瓦的功耗。这种小破管子连续使用最多标50瓦实际也就用到30%,真到了35瓦引脚的焊锡都能给烫化了。90伏加1安应该是来不及热就已经over了。 ibmx311 发表于 2023-5-6 12:40
这个事情还要讨论干什么呢,这个电压下连续电流那么大根本就不现实,管子的封装已经决定了不可能超过40瓦的 ...
(引用自27楼)
在耐压够的情况下,只看电流,与负载的功率有什么关系? Xujuango 发表于 2023-5-6 12:50
在耐压够的情况下,只看电流,与负载的功率有什么关系?
(引用自28楼)
找个手册看看不行吗,你看看哪怕是100毫秒的导通在90伏下能有多少连续电流。耐压够是什么意思,耐压100伏的管子在100伏的时候能出那么大电流吗。你负载1毫瓦还是10瓦能一回事吗。建议多动手试试,干过没干过是完全不一样的领悟。管子的功率大小首先是封装 ibmx311 发表于 2023-5-6 13:17
找个手册看看不行吗,你看看哪怕是100毫秒的导通在90伏下能有多少连续电流。耐压够是什么意思,耐压100伏 ...
(引用自29楼)
还是多去看手册,多动手吧。 ibmx311 发表于 2023-5-6 13:17
找个手册看看不行吗,你看看哪怕是100毫秒的导通在90伏下能有多少连续电流。耐压够是什么意思,耐压100伏 ...
(引用自29楼)
这和电压有什么关系 ,管子只要耐压够,它在导通时产生的热量与电流有关。
纯开关应用不考虑开关损耗是
功率=电流*电流*RDS, 也就是 P=Id^2*Rdson。这样计算的。
所以理论上,导通电阻越低,它产生的热量越小。当然还要考虑管子的温度Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻
另外,只要散热得当,DH100P30D 30A 100V P-channel ,这个管子可以连续工作在90V 30A电流,
说的不对的,请指正
mPiDDR 发表于 2023-5-6 14:55
这和电压有什么关系 ,管子只要耐压够,它在导通时产生的热量与电流有关。
纯开关应用不考虑开关损耗是 ...
(引用自31楼)
您那是在开关状态,这是连续电流 你以为有了电源限流,电源就不能输出超过1A电流?,
电源是有输出电容的,一般都有47-100u,即使内部有限流,短路瞬间也能输出瞬间10A以上电流。
不信?你将一个47u/100V电容充满90V,短路看一下,看能不融掉你的电容脚?
管脚都能融,你将输出口P1短接短路,烧死你的PMOS也湿湿碎。
即使不短路P1,但如果P1带着100u以上电容,90V对100u电容的充电电流也会烧坏你的PMOS. 本帖最后由 ibmx311 于 2023-5-6 15:31 编辑
我感觉很多人连个线性稳压电源都没做过,对管子毫无概念,咱不知道90伏短路状态能怎样。 ibmx311 发表于 2023-5-6 12:40
这个事情还要讨论干什么呢,这个电压下连续电流那么大根本就不现实,管子的封装已经决定了不可能超过40瓦的 ...
(引用自27楼)
这个mos管带一个90V 2A的负载肯定不会有问题的哦。你说的功率跟负载没有关系哦 mPiDDR 发表于 2023-5-6 14:55
这和电压有什么关系 ,管子只要耐压够,它在导通时产生的热量与电流有关。
纯开关应用不考虑开关损耗是 ...
(引用自31楼)
如果管子能输出90V 30A,为啥我一短路mos管就击穿呢?我的开关电源就算不限流,最大也只能输出5A的电流来。 locky_z 发表于 2023-5-6 15:11
你以为有了电源限流,电源就不能输出超过1A电流?,
电源是有输出电容的,一般都有47-100u,即使内部有限流 ...
(引用自33楼)
就算输出90v 10A的电流,也不会把mos管损坏把? cne53102 发表于 2023-5-5 21:00
又回来仔细看了眼,不能在90V电压上使用100V的MOS,余量不够,换200V或250V的。R27换15K并联12V或15V稳压管 ...
(引用自20楼)
现在不是耐压的问题,我测试过24v给管子供电,断接P1口也会击穿。有点搞不懂 andy93762 发表于 2023-5-6 22:46
这个mos管带一个90V 2A的负载肯定不会有问题的哦。你说的功率跟负载没有关系哦 ...
(引用自35楼)
他说的是短路状态下这个MOS会成为负载,1A有90W的发热功率。
这确实是一个问题,如果真的按1A容量来搞,自恢复保险不见得能保住MOS。
你需要打嗝式的过流保护,但这对于你这个情况来说太过复杂。 andy93762 发表于 2023-5-6 22:55
现在不是耐压的问题,我测试过24v给管子供电,断接P1口也会击穿。有点搞不懂 ...
(引用自38楼)
你的耐压有问题,不换必死,换了不一定不死。
在24V耐压不成问题的情况下,短接P1接口时,热是主要问题 andy93762 发表于 2023-5-6 22:46
这个mos管带一个90V 2A的负载肯定不会有问题的哦。你说的功率跟负载没有关系哦 ...
(引用自35楼)
您怎么搞错人了,我一直说这玩意功率不够,你就通10us吗 功率是面积算的,年轻的时候搞雷达,40kw的功率也没耗几个电,因为是脉冲的。半导体能有多少功率和封装和热阻直接相关,那种小破管子怎么能有功率 看技术参数是否满足,有些数据有适用条件 看技术参数是否满足,有些数据有适用条件 恒压的,没有做短路保护,哪怕接12V,只要供电侧在大电容,短路都会击穿
你有电流钳的话抓一下短路电流就知道了,这种MOS内阻都是几m欧的,有电容短路电流都是几十A以上的
而且不知输出负载是什么,供电90V,用100V耐压的MOS,就算不短路,正常带载在开关瞬间也是很容易坏MOS的 R27和R28的数值是否太大了?这样的数值,会使得MOS管的Cgs充电太慢,进而使得管子处于开关之间的过渡过程太长了。承压大,电流大,时间长,确实容易发热烧坏。
另外,如果负载容性很大的话,管子也容易长时间处于大电流高承压的状态而发热。
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