求助，这个MOS管驱动电路功率不能提高的瓶颈在哪里？
本帖最后由 luolj 于 2021-6-17 09:33 编辑关于MOS管的驱动的问题已经是月经贴了，这不我也遇上一个。
最近接了个项目，是开发一款抽真空的泵的电源，要求是功率60W，非隔离电源，BOM成本要求较低。
纯硬件项目本来不接的，主要是开始以为简单的，做着做着发现问题了，这电源超过60W 5分钟就爆掉了，50W以下倒是没事。
电路的原理图和PCB布局图以及MOS管gs之间的信号测试图如下，芯片型号暂不能公布，跟委托方有协议。
各位大拿看看，这个电路功率不能提高的原因是哪一个：PCB布局有问题，还是芯片驱动能力不够，亦或着电路参数没调好？
实际电路的电容EC2用了50V270uF，因为电机的输出电压已经达到了30V。
补充下，芯片的参数：
哈哈，通过这个项目，自己的硬件设计能力终于看清了，亲戚推荐的，脸面都没处放了，好好的写单片机程序吧。
不太懂电源，帮顶。
哪里爆了应该要说清楚吧 ？ 看看你的电感，可能饱和了 chunjiu 发表于 2021-6-17 09:42
不太懂电源，帮顶。
哪里爆了应该要说清楚吧 ？
MOS管爆掉了，看那个GS波形，关断后一段时间是振荡的，这个时候MOS管工作在放大区了，发热特别厉害。 ccstc 发表于 2021-6-17 09:42
看看你的电感，可能饱和了
有可能哦。 过热损坏多是驱动振荡，波形不陡。
R9下端接地才较好，gate输出电流大于3安吗？ 本帖最后由 sanjue 于 2021-6-17 14:20 编辑
浮动BUCK，这个芯片可以不用充电电容嘛？
修改:原来是不是自举驱动，是芯片电源浮动，这个驱动电流太弱了吧 jxnclff 发表于 2021-6-17 13:38
过热损坏多是驱动振荡，波形不陡。
R9下端接地才较好，gate输出电流大于3安吗？ ...
感谢回复，驱动波形大概是32K左右，1/10占空比，60W时MOS管瞬时电流4A；
这时两颗并联的限流电阻之间有0.12×4=0.48V的电压差了。
我回去试一下R9接地，能不能改善波形。
sanjue 发表于 2021-6-17 14:07
浮动BUCK，这个芯片可以不用充电电容嘛？
不用充电电容，推荐的官方布线图就是如此的。 软件和机械工程师画的原理图要脖子左右移动 思维需要调整线路 {:lol:} 才看的明白 本帖最后由 sanjue 于 2021-6-17 14:30 编辑
luolj 发表于 2021-6-17 14:14
不用充电电容，推荐的官方布线图就是如此的。
从供电上看，芯片驱动能力很低，给Qg充电可能比较吃力
一个buck,让你画的生生脑补了一分钟才看懂大概！
尝试降低驱动频率试一下啦？ sanjue 发表于 2021-6-17 14:26
从供电上看，芯片驱动能力很低，给Qg充电可能比较吃力
一个buck,让你画的生生脑补了一分钟才看懂大概！
...
见笑了，搞硬件我只是业余的，原理图画得不好，回头整理一下。
芯片的驱动能力原厂说很强的，100W的电源都能做。 lb0857 发表于 2021-6-17 14:22
软件和机械工程师画的原理图要脖子左右移动 思维需要调整线路 才看的明白 ...
呵呵，班门弄斧了。 R4是不是应该减小些？ peteryzm 发表于 2021-6-17 15:18
R4是不是应该减小些？
R4减小到4.7K试过，成效不大。 R8反向并个4148，C3用10uF看看。 来计算一遍吧，
MOSFET的导通电阻1.5R，60W ， 30V，则平均电流2A，
MOSFET的导通功率损耗W=2*2*1.5=6W，实际峰值损耗肯定大于这个值，MOSFET规格书里写的最大耗散功率2.5W，远超
另外你可以观察过流采样电阻的上的电压波形，如果不是线性直线上升而是先线性后指数上升，说明电感饱和了，特别是电感发热后磁芯就容易饱和
OOXX110 发表于 2021-6-17 18:22
R8反向并个4148，C3用10uF看看。
感谢回复，4148已经并过了，C3倒是还没有加到10uF，可以试一试。 hd12 发表于 2021-6-18 10:04
来计算一遍吧，
MOSFET的导通电阻1.5R，60W ， 30V，则平均电流2A，
MOSFET的导通功率损耗W=2*2*1.5=6W，实 ...
谢谢分析，我记得测过采样电阻上的波形，确实不是方波，而是指数上升的，应该是电感饱和了。 本帖最后由 luolj 于 2021-6-18 10:39 编辑
hd12 发表于 2021-6-18 10:04
来计算一遍吧，
MOSFET的导通电阻1.5R，60W ， 30V，则平均电流2A，
MOSFET的导通功率损耗W=2*2*1.5=6W，实 ...
不过，对MOS管的平均功率的计算我持不同意见，这个是BUCK电路，AC220V降到30V，60W功率；
功率因素实测=0.63；P=U*Imos*cosΦ=220×Imos×0.63=60;Imos=0.43A。实际测试平均电流也是400mA左右。
瞬时电流确实是4A，但是MOS管开通关断的占空比大概是1/10左右。
所以平均损耗W=0.4×0.4×1.5=0.24W，如果驱动波形正常，加上开关损耗，也不会很大。 你这原理图都画错了，50w能够工作见鬼了。 自举升压部分，二极管串联着10K电阻（R4)？这么大？
luolj 发表于 2021-6-18 10:33
不过，对MOS管的平均功率的计算我持不同意见，这个是BUCK电路，AC220V降到30V，60W功率；
功率因素实测=0 ...
是的，我弄错了 R88 发表于 2021-6-18 11:04
你这原理图都画错了，50w能够工作见鬼了。
兄台，50W能工作的，官方推荐的电路。 locky_z 发表于 2021-6-18 11:10
自举升压部分，二极管串联着10K电阻（R4)？这么大？
用5.1K应该更好。 luolj 发表于 2021-6-18 10:33
不过，对MOS管的平均功率的计算我持不同意见，这个是BUCK电路，AC220V降到30V，60W功率；
功率因素实测=0 ...
很大可能电感饱和，峰值电流太大，损耗高引起的，你抓轻载和重载时采样电阻上的波形发出来，另外采样电阻多大阻值 luolj 发表于 2021-6-18 12:39
兄台，50W能工作的，官方推荐的电路。
50W的时候你这输出电压能稳定？官方电路就这样么？那就不知道了，我觉得你可以补个GS波形，时间轴长点，可能一会密一会疏。或者输出电压波形可能一下大一下小。建议你把官方的图上传看看。 R88 发表于 2021-6-18 13:40
50W的时候你这输出电压能稳定？官方电路就这样么？那就不知道了，我觉得你可以补个GS波形，时间轴长点， ...
电压输出是平稳的，但是长时间运行可能还是会爆管的。
我的原理图与官方图的区别在于续流二极管的输出点不同，
它是输出到ISP，我的是输出到AGND。
两种方式都试过，都能正常工作的。 hd12 发表于 2021-6-18 13:34
很大可能电感饱和，峰值电流太大，损耗高引起的，你抓轻载和重载时采样电阻上的波形发出来，另外采样电阻 ...
电感确实因为峰值电流过大饱和了，之前拍的图找不到了，现在我让他们把电感的电流做大了。 luolj 发表于 2021-6-18 14:53
电压输出是平稳的，但是长时间运行可能还是会爆管的。
我的原理图与官方图的区别在于续流二极管的输出点 ...
原装的图也错了，是不是国产芯片，图纸都错了，那个反馈点应该从芯片的vcc取，你看下这个原理图就知道了https://www.amobbs.com/thread-5678430-1-1.html。
你可以分析下开关on/off期间反馈点的电压状态就知道了，芯片地浮动，反馈电压也要跟着。 R88 发表于 2021-6-21 14:13
原装的图也错了，是不是国产芯片，图纸都错了，那个反馈点应该从芯片的vcc取，你看下这个原理图就知道了h ...
给你看一个类似的国产芯片，BP2519，在某创商城里有数据手册。
它的应用原理图也是这样的。
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