【正点原子FPGA连载】第十七章IP核之RAM实验
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第十七章IP核之RAM实验
RAM的英文全称是Random Access Memory，即随机存取存储器，它可以随时把数据写入任一指定地址的存储单元，也可以随时从任一指定地址中读出数据，其读写速度是由时钟频率决定的。RAM主要用来存放程序及程序执行过程中产生的中间数据、运算结果等。本章将对ISE软件生成的RAM IP核进行读写测试，并向大家介绍Xilinx RAM IP核的使用方法。
本章将详细的讲解如何使用Xilinx Spartan-6的RAM IP核。本章包括以下几个部分：
1717.1简介
17.2实验任务
17.3硬件设计
17.4程序设计
17.5下载验证
17.1简介
Spartan-6系列器件具有嵌入式存储器结构，满足了设计对片上存储器的需求。嵌入式存储器结构由一列列BRAM（块RAM）存储器模块组成，通过对这些BRAM存储器模块进行配置，可以实现各种存储器的功能，例如：RAM、移位寄存器、ROM以及FIFO缓冲器。
ISE软件自带了BMG IP核（Block Memory Generator，块RAM生成器），可以配置成RAM或者ROM。这两者的区别是RAM是一种随机存取存储器，不仅仅可以存储数据，同时支持对存储的数据进行修改；而ROM是一种只读存储器，也就是说，在正常工作时只能读出数据，而不能写入数据。需要注意的是，配置成RAM或者ROM使用的资源都是FPGA内部的BRAM，只不过配置成ROM时只用到了嵌入式BRAM的读数据端口。本章将要介绍把BRAM IP核配置成RAM的使用方法。
Spartan-6系列器件内部的BRAM全部是真双端口RAM（True Dual-Port ram，TDP），这两个端口都可以独立地对BRAM进行读/写。但也可以被配置成伪双端口RAM（Simple Dual-Port ram，SDP）（有两个端口，但是其中一个只能读，另一个只能写）或单端口RAM（只有一个端口，读/写只能通过这一个端口来进行）。单端口RAM只有一组数据总线、地址总线、时钟信号以及其他控制信号，而双端口RAM具有两组数据总线、地址总线、时钟信号以及其他控制信号。有关BRAM的更详细的介绍，请读者参阅Xilinx官方的手册文档UG383。
单端口RAM类型和双端口RAM类型在操作上都是一样的，只要学会了单端口RAM的使用，那么学习双端口RAM的读写操作也是非常容易的。本章将以配置单端口RAM为例进行讲解。
BMG IP核配置成单端口RAM的框图如下图所示。
图 17.1.1 单端RAM框图
各个端口的功能描述如下：
DINA：RAM端口A写数据信号。
ADDRA：RAM端口A读写地址信号，对于单端口RAM来说，读地址和写地址共用该地址线。
WEA：RAM端口A写使能信号，高电平表示向RAM中写入数据，低电平表示从RAM中读出数据。
ENA：端口A的使能信号，高电平表示使能端口A，低电平表示端口A被禁止，禁止后端口A上任何读写操作都无效。另外ENA信号是可选的，当取消该使能信号后，RAM会一直处于有效状态。
RSTA：RAM端口A复位信号，可配置成高电平或者低电平复位，该复位信号是一个可选信号。
REGCEA：RAM端口A输出寄存器使能信号，当REGCEA为高电平时，DOUTA保持最后一次输出的数据，REGCEA同样是一个可选信号。
CLKA：RAM端口A的时钟信号。
DOUTA：RAM端口A读出的数据。
17.2实验任务
本节实验任务是使用RAM IP核配置一个单端口的RAM，然后对RAM进行读写操作。通过在Modelsim仿真器中观察波形是否正确，最后将设计下载到超越者开发板中，并使用Chipscope对其进行在线调试观察。
17.3硬件设计
本章实验只用到了输入的时钟信号和按键复位信号，没有用到其它硬件外设，各端口信号的管脚分配如下表所示：
表17.3.1 IP核之RAM实验管脚分配
对应的UCF约束语句如下所示：
NET sys_clk TNM_NET = sys_clk_pin;
TIMESPEC TS_sys_clk_pin = PERIOD sys_clk_pin 50000 kHz;
NET sys_clk LOC = N8| IOSTANDARD = "LVCMOS33";
NET sys_rst_n LOC = G16 | IOSTANDARD = "LVCMOS33";
17.4程序设计
首先在ISE软件中新建一个名为ip_ram的空工程，工程创建完成后，就可以添加RAM IP核了，如下图所示：
图 17.4.1 添加IP核
如上图所示选择New Source进入创建新文件界面，如下图所示：
图 17.4.2 创建IP核
如上图所示我们选择创建一个IP核，并命名为ip_ram，路径按照默认的即可，点击Next进入IP核选择界面，如下图所示：
图 17.4.3 选择IP核
如上图所示直接在搜索栏中输入block，然后会弹出Block Memory Generator，选中它然后点击Next，会进入Summary界面，可以在Summary界面再次检查一下工程名，工程路径等信息，如下图所示：
图 17.4.4 Summary界面
直接点击Finish进入RAM IP核的参数配置界面，如下图所示：
图 17.4.5 参数配置
如上图所示，在参数配置第一页，只需要选择接口类型。选择Native普通接口，然后点击Next进入参数配置第二页，如下图所示：
图 17.4.6 参数配置
参数配置第二页可配置的参数较多其中：
Memory Type：存储器类型。可配置成Single Port RAM（单端口RAM）、Simple Dual Port RAM（伪双端口RAM）、True Dual Port RAM（真双端口RAM）、Single Port ROM（单端口ROM）和Dual Port ROM（双端口ROM），这里选择Single Port RAM，即配置成单端口RAM。
ECC Options：Error Correction Capability，纠错能力选项，单端口RAM不支持ECC。
Write Enable：字节写使能。勾中后可以单独将数据的某个字节写入RAM中，这里不使能。
Algorithm：算法选项。可选择Minimum Area（最小面积）、Low Power（低功耗）和Fixed Primitives（固定的原语），这里选择默认的Minimum Area。
配置完成后点击Next进入参数配置第三页，如下图所示：
图 17.4.7 参数配置
参数配置第三页主要是配置读写数据的位宽、深度、模式和使能。
Write Width：端口A写数据位宽，单位Bit，这里设置成8。
Read Width：端口A读数据位宽，一般和写数据位宽保持一致，设置成8。
Write Depth：写深度，这里设置成32，即RAM所能访问的地址范围为0-31。
Read Depth：读深度，默认和写深度保持一致。
Operating Mode：RAM读写操作模式。共分为三种模式，分别是Write First（写优先模式）、Read First（读优先模式）和No Change（不变模式）。写优先模式指数据先写入RAM中，然后在下一个时钟输出该数据；读优先模式指数据先写入RAM中，同时输出RAM中同地址的上一次数据；不变模式指读写分开操作，不能同时进行读写，这里选择No Change模式。
Enable Port Type：使能端口类型。Use ENA Pin（添加使能端口A信号）；Always Enabled（取消使能信号，端口A一直处于使能状态），这里选择默认的Use ENA Pin。
设置好第三页后点击Next进入下一页参数配置，如下图所示：
图 17.4.8 参数配置
参数配置第四页不需要设置，这里点击Next直接进入参数配置第五页，如下图所示：
图 17.4.9 参数配置
这里可以选择是否添加复位引脚，我们不添加，然后点击Next进入参数配置第六页，如下图所示：
图 17.4.10 参数配置
参数配置第六页就类似Summary界面了，保持默认设置即可，直接点击Generate生成RAM IP核。生成成功后，回到ISE界面，发现工程下出现了IP核，如下图所示：
图 17.4.11 创建好的RAM IP核
接下来就可以对RAM IP核进行读写操作了。需要创建一个读写模块和一个顶层模块，读写模块顾名思义，顶层模块主要用来例化RAM IP核模块和读写模块。
读写模块代码如下所示：
1 module ram_rw(
2 input clk ，//时钟信号
3 input rst_n ，//复位信号，低电平有效
4
5 output ram_en ，//ram使能信号
6 output ram_wea ，//ram读写选择
7 outputregram_addr ，//ram读写地址
8 outputregram_wr_data，//ram写数据
9 input ram_rd_data //ram读数据
10 );
11
12 //reg define
13 reg rw_cnt ; //读写控制计数器
14
15 //*****************************************************
16 //** main code
17 //*****************************************************
18
19 //控制RAM使能信号
20 assign ram_en = rst_n;
21 //rw_cnt计数范围在0~31，写入数据;32~63时，读出数据
22 assign ram_wea = (rw_cnt <= 6'd31 && ram_en == 1'b1) ? 1'b1 : 1'b0;
23
24 //读写控制计数器，计数器范围0~63
25 always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
26 if(rst_n == 1'b0)
27 rw_cnt <= 1'b0;
28 else if(rw_cnt == 6'd63)
29 rw_cnt <= 1'b0;
30 else
31 rw_cnt <= rw_cnt + 1'b1;
32 end
33
34 //产生RAM写数据
35 always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
36 if(rst_n == 1'b0)
37 ram_wr_data <= 1'b0;
38 else if(rw_cnt <= 6'd31)//在计数器的0-31范围内，RAM写地址累加
39 ram_wr_data <= ram_wr_data + 1'b1;
40 else
41 ram_wr_data <= 1'b0 ;
42 end
43
44 //读写地址信号 范围：0~31
45 always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
46 if(rst_n == 1'b0)
47 ram_addr <= 1'b0;
48 else if(ram_addr == 5'd31)
49 ram_addr <= 1'b0;
50 else
51 ram_addr <= ram_addr + 1'b1;
52 end
53
63 endmodule
模块中定义了一个读写控制计数器（rw_cnt），当计数范围在0~31之间时，向ram中写入数据；当计数范围在32~63之间时，从ram中读出数据。
接下来我们再来看一下顶层模块代码，如下所示：
1module ip_ram(
2 input sys_clk，
3 input sys_rst_n
4
5 );
6
7wire ena ;
8wire wea ;
9wire addra ;
10 wire dina ;
11 wire douta ;
12
13 ram u_ram (
14.clka (sys_clk)， // input clka
15.ena (ena )， // input ena
16.wea (wea )， // input wea
17.addra (addra)， // input addra
18.dina (dina )， // input dina
19.douta (douta) // output douta
20 );
21
22 ram_rw u_ram_rw (
23 .clk (sys_clk )，
24 .rst_n (sys_rst_n)，
25 .ram_en (ena )，
26 .ram_wea (wea )，
27 .ram_addr (addra )，
28 .ram_wr_data (dina )
29 );
30
31 endmodule
当代码全部写好后，会发现编译过不了报错，因为所有的逻辑都是在FPGA内部进行，内部产生数据，内部读写，对外界没有产生任何影响，软件会给我们报错。这个时候可以定义一些冗余输出端口，把想要观察的信号赋值给冗余输出端口，这样既方便我们仿真和在线调试，编译也不会再报错，如下图所示：
图 17.4.12 添加冗余输出端口
我们可以看到我将想要观察的信号全部重新定义了一遍加上后缀为_tb，并把它们作为输出端口，然后把想要观察的信号赋值给这些输出端口，这样软件就不会报错了。
接下来我们先添加一个仿真文件（Testbench文件），如下所示：
1`timescale 1ns / 1ps
2module ip_ram_tb;
3
4 // Inputs
5 reg sys_clk;
6 reg sys_rst_n;
7
8 // Outputs
9 wire ena_tb;
10wire wea_tb;
11wire addra_tb;
12wire dina_tb;
13wire douta_tb;
14
15// Instantiate the Unit Under Test (UUT)
16ip_ram uut (
17 .sys_clk (sys_clk ) ，
18 .sys_rst_n(sys_rst_n) ，
19 .ena_tb (ena_tb ) ，
20 .wea_tb (wea_tb ) ，
21 .addra_tb (addra_tb ) ，
22 .dina_tb (dina_tb ) ，
23 .douta_tb (douta_tb )
24);
25
26initial begin
27 // Initialize Inputs
28 sys_clk = 0;
29 sys_rst_n = 0;
30
31 // Wait 100 ns for global reset to finish
32 #100;
33 sys_rst_n=1;
34 // Add stimulus here
35
36end
37always #10 sys_clk=~sys_clk;
38 endmodule
仿真文件写好后，点击Modelsim联调按钮，打开Modelsim仿真软件，可以看到仿真波形如下图所示：
图 17.4.13 仿真波形
从上图中可以看到随着wea_tb（读写切换）的不断变换，读数据和写数据交替进行，下面我们把波形图放大一点，看看细节，主要是观察写入数据和读出数据是否一致，如下图所示：
图 17.4.14 仿真波形细节图
从上图中可以RAM的地址是从0~31跳变，写入的数据和读出的数据也是一致的，说明代码功能是符合预期的。
仿真通过后就，给工程添加UCF引脚约束，如下所示：
NET sys_clk TNM_NET = sys_clk_pin;
TIMESPEC TS_sys_clk_pin = PERIOD sys_clk_pin 50000 kHz;
NET sys_clk LOC = N8| IOSTANDARD = "LVCMOS33";
NET sys_rst_n LOC = G16 | IOSTANDARD = "LVCMOS33";
编译通过后，添加Chipscope的逻辑分析仪IP核，然后生成bit流文件，下载到板子中去，使用Chipscope工具（Chipscope的使用请参考软件篇）进行在线调试，看看工程在板子上运行是否正确。
17.5下载验证
首先将下载器与超越者底板上的JTAG接口连接，下载器另外一端与电脑连接，连接开发板的电源。
图 17.5.1 硬件连接
打开电源开关，然后回到ISE界面，打开Chipscope工具，加载生成好的CDC文件，下载到板子中去，得到波形图，如下图所示：
图 17.5.2 在线调试波形
可以看到Chipscope抓取到的波形与仿真波形相同，RAM地址从0~31跳变，读数据和写数据交替、进行且读写数据一样，所有结果都是符合预期的，这就说明本次RAM IP核实验成功了。
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