如何防止上下管同时导通，烧坏MOSFET
除了在PWM里面添加死区，如何在硬件上保护上下管同时导通损坏MOSFET。昨天添加了快熔，还是烧了12个MOSFET 驱动要有互锁，死区也是很重要的，过流保护有没有？过流关闭驱动。 mtswz.213 发表于 2016-12-9 11:29驱动要有互锁，死区也是很重要的，过流保护有没有？过流关闭驱动。
没有过流保护，过流保护是不是一般用比较器送外部中断，比较快？ 过流保护是制标不治本, 天地通主要还是靠死区控制 保险丝预防，另加硬件过流保护 死区控制和驱动信号互锁才是正道，过流保护和保险丝不好控制，要么超荷误保护，要么MOS废了保护了保险丝 add00 发表于 2016-12-9 11:43
死区控制和驱动信号互锁才是正道，过流保护和保险丝不好控制，要么超荷误保护，要么MOS废了保护了保险丝 ...
死区控制和驱动信号互锁，这个互锁可以给讲一下原理，和大概的思路吗，最后可以举个例子，谢了。 针对这个应用的pic单片机本身就可以配置为硬件互锁模式的吧，有做BLDC的说说 有一个帖子上写，可以加一个加速电容 add00 发表于 2016-12-9 11:43
死区控制和驱动信号互锁才是正道，过流保护和保险丝不好控制，要么超荷误保护，要么MOS废了保护了保险丝 ...
嗯，昨晚就用了保险丝，没保护的了，废了12个 wanggoals 发表于 2016-12-9 14:35
针对这个应用的pic单片机本身就可以配置为硬件互锁模式的吧，有做BLDC的说说 ...
第一次用PIC的还不熟悉，等下去找找。 ackyee 发表于 2016-12-9 14:41
有一个帖子上写，可以加一个加速电容
我好像在哪也见到过，加电容的说法。 增加检测管压降电路 硬件逻辑上互锁！ 河图洛书 发表于 2016-12-9 13:57
死区控制和驱动信号互锁，这个互锁可以给讲一下原理，和大概的思路吗，最后可以举个例子，谢了。 ...
行业不一样，我们是用H桥给正负激励供电，驱动信号就1路，另外一路用门电路延时翻转产生；
通过逻辑门冗余，除非3片与非门一起损坏，否则不会天地通的，我们仪器8年没有天地通烧mos了；
现在出了带死区控制的互补输出芯片都没敢动，毕竟稳定才是重点。
只能给这么个思路，电机控制的话频率高，需要自己测试了。 add00 发表于 2016-12-9 16:33
行业不一样，我们是用H桥给正负激励供电，驱动信号就1路，另外一路用门电路延时翻转产生；
通过逻辑门冗 ...
非常感谢你的经验方法，可是有个地方不明白？
1、门电路延时翻转产生 是利用非门本身的延时还是要在串如延时芯片啊？
2、通过逻辑门冗余，除非3片与非门一起损坏 为什么是3片与非门还有逻辑门冗余，不是很明白，可以麻烦说下怎么连接吗？
3、在出了带死区控制的互补输出芯片都没敢动 这个是因为他内部不一定是硬件延时的原因吗，不可靠？ 1.用的是 RC延时 老工程师的杰作；
2.都是与非门，输入并联就是反向器了，逻辑组合保证是工作状态 ，关断状态；
3.稳定性太好，没人想过要换掉； 河图洛书 发表于 2016-12-9 16:47
非常感谢你的经验方法，可是有个地方不明白？
1、门电路延时翻转产生 是利用非门本身的延时还是要在串 ...
1.用的是 RC延时 老工程师的杰作；
2.都是与非门，输入并联就是反向器了，逻辑组合保证是工作状态 ，关断状态；
3.稳定性太好，没人想过要换掉； 不想在程序上搞就用IR2104自带死区好，缺点就是贵 河图洛书 发表于 2016-12-9 16:47
非常感谢你的经验方法，可是有个地方不明白？
1、门电路延时翻转产生 是利用非门本身的延时还是要在串 ...
好办法 低电压我是直接串俩2r2的电阻驱动后级，后级接俩电阻两端，这样前级俩管都导通时后面俩管都关断。当然限于p+n对管。全n比较麻烦 过流保护就在下管串入采样电阻，然后用运放检测电流，大于阈值就触发可控硅强制把H/L驱动置0。
硬件死区就用几个NAND门做延时就可以了。不过用自带死区的驱动芯片更方便。
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