如果开关电源做到33MHz会怎样？
看到了一个新闻貌似有家小公司做了一个半桥驱动，最高开关驱动频率可以达到33MHz
Peregrine半导体发布业界最快的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器-®UltraCMOS PE29100。
基于公司的UltraCMOS技术，这个GaN驱动器准许设计工程师从GaN晶体管中提取出全部的性能和速度优势。PE29100设计在一个开关结构中用来驱动高侧和低侧的GaN FET栅极,它可以提供业界最快的开关速度，最短的传播延迟和最低的上升和下降时间的交流-直流变换器、直流-直流转换器，D类音频放大器和无线充电中的应用。
氮化镓基场效应管打破了电力转换市场，可取代硅基金属–氧化物–半导体场效应晶体管（MOSFETs）。相比于MOSFETs，GaN FETs运行的速度快得多，具有更高的开关速度，并且体积也尽可能小。GaN可以显著降低任何电源的大小和重量。为了达到他们的性能潜力，这些高性能的GaN晶体管需要一个优化的栅极驱动器。这FET驱动器必须充电和放电的栅电容尽可能快，它必须具有非常低的传播延迟，以允许快速的信号。它还必须通过不同时切换到高侧和低侧FETs来避免“直通”。而PE29100就是专为这个要求而设计的。
UltraCMOS技术平台是PE29100业界领先的速度背后的驱动力。该技术使集成电路比传统的CMOS技术的速度更快。它使Peregrine制造出业界最短的传播延迟的GaN FET驱动器，并且具有最低的上升和下降时间和最快的开关速度。这个速度优化，让我们可以使用更小的电源转换器，为设计师提供增强的电源功率比。
UltraCMOS技术在一个真正的绝缘基板上制造，没有散装或连接，因此具有较低的寄生效应。UltraCMOS技术还具有低导通电阻以提高效率，在较高的工作频率具有较低的off-capacitance。
UltraCMOS pe29100是一个内部dead-time控制的半桥GaN FET驱动器。其工作频率达33Mhz,工作电压达80v.传播延时很短只有8ns,在1000pF的负载下，上升时间2.5ns，下降时间是1.8ns，100pF负载下，上升时间和下降时间都控制在1纳米。PE29100工作在单引脚单相的输入模式，而输出的时候，拉电流2A，灌电流4A。
“我们的增强型GaN（Egan®）晶体管与MOSFET相比，提供了一个全新的光谱性能。” EPC首席执行官和联合创始人Alex Lidow博士说。“GaN FET驱动器，例如Peregrine的UltraCMOS PE29100，使设计工程师能够解开eGaN FET技术的真正潜力。PE29100进一步增强了我们为客户在功率转换市场提供最好的解决方案的能力，在这里，尺寸、效率和简单的设计都是至关重要的。”
UltraCMOS PE29100现已批量生产，样品和评估板申请中。
顺便去他们官网看了看，好像小批量的价格是$1.8
http://www.psemi.com/newsroom/press-releases/414518-peregrine-semiconductor-unveils-the-world-s-fastest-gan-fet-driver
感觉这个频率做开关电源，没啥优势啊，体积能做小一些，动态响应更快一些
不知道有什么特殊应用。
另外怎么产生33MHz的PWM呢？用软件感觉不太现实，精度太低。硬件也不好做啊
没看到GaN吗？家用是用不到的。开关频率2MHz对绝大多数应用足够了。 33M,变压器受得了吗？ 辐射太大了 有用。AirFuel标准的无线充电频率已经是6.8MHZ了。 wye11083 发表于 2016-8-1 20:28
没看到GaN吗？家用是用不到的。开关频率2MHz对绝大多数应用足够了。
我也感觉2MHz差不多了
顺便看了下这些GaN的mos管，好像也不是很贵，在Digikey上查的，不过确实比普通mos贵一些
粗人 发表于 2016-8-1 20:38
33M,变压器受得了吗？
可能要特殊磁芯吧，完全不知道这种频率要什么样的磁芯 NJ8888 发表于 2016-8-1 20:46
辐射太大了
传导EMI，那个只有30M以下吧
不过耦合的EMI，估计难做了 gc56198 发表于 2016-8-1 20:55
我也感觉2MHz差不多了
顺便看了下这些GaN的mos管，好像也不是很贵，在Digikey上查的，不过确实比普通mos ...
贵得多啦。像AOS的80A用于CPU供电的MOS管，一只才不到2RMB，换成GaN你试试？成本就把你烧垮。 anning 发表于 2016-8-1 20:53
有用。AirFuel标准的无线充电频率已经是6.8MHZ了。
用6.8MHz作为耦合频率？
如果用普通mos，做得到吗？效率会很低吧 ADM2587 电源部分采用一个180MHz的振荡频率通过其芯片级的变压器高效地传输功率。 gc56198 发表于 2016-8-1 22:44
用6.8MHz作为耦合频率？
如果用普通mos，做得到吗？效率会很低吧
是的，共振耦合频率是6.8MHZ。普通MOS确实存在效率低的问题，GaN的管子在这方面确实有优势，国外已经有相应文章和实例了。 碳化硅，氮化镓有些公司已经出几代产品了，成本也低了不少，以后还是有很大应用 碳化硅，氮化镓有些公司已经出几代产品了，成本也低了不少，以后还是有很大应用空间的～ 不研究电源，看看不说话。。。 xuyapple 发表于 2016-8-1 23:53
碳化硅，氮化镓有些公司已经出几代产品了，成本也低了不少，以后还是有很大应用 ...
碳化硅和氮化镓好像不太一样，它的重点是在高可靠，高功率的应用吧？ 一个不小心就整成了超大功率无线电发射机？ 这个三极管会发光麽{:lol:} 粗人 发表于 2016-8-1 20:38
33M,变压器受得了吗？
变压器可以用空心线圈即可，PCB印制线圈就行， vtte 发表于 2016-8-2 09:16
一个不小心就整成了超大功率无线电发射机？
估计做做几MHz级别的发射机有可能，D类的方式实现，效率高，功率也容易坐高 yuyu87 发表于 2016-8-2 10:23
变压器可以用空心线圈即可，PCB印制线圈就行，
PCB印制线圈这个真心听过，但是不知道损耗发热怎么样
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