fgws031006 发表于 2015-12-9 16:55:50

脉冲变压器驱动高压全桥MOS

我想用脉冲变压器来驱动4个全桥MOS；高压母线电压最高600V，我选用的MOS是c2m016012，全桥开关频率在100K--3MHz之间,全桥导通瞬间的脉冲电流可达20A，全桥电路示意图如下：


请教大师，帮我分析下，这种方法可行吗？
担心的问题是：（1）上下桥MOS管死区太小没法控制，烧管子（这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决）。
                     （2）脉冲变压器的输出电流有限，能不能驱动c2m016012；
                     （3）有带宽到3M的脉冲变压器吗？


PowerAnts 发表于 2015-12-9 17:19:42

600v, 3MHz, 我对楼主的敬仰有如涛涛江水绵绵不绝

PowerAnts 发表于 2015-12-9 17:24:20

有没有3MHz的脉冲变压器? 有! 30M的都有, 不过30倍的频率差, 不大好弄

XIE2099 发表于 2015-12-9 17:56:33

变频电源用的这种方式，只见过400HZ 还有1K 的

kydl2345 发表于 2015-12-9 18:27:14

600V 3Mhz 这开关损耗能不炸管？

RAMILE 发表于 2015-12-9 19:14:38

无极灯有工作这么高频率的

fgws031006 发表于 2015-12-9 19:45:15

用 的是什么方案，也是脉冲变压器吗？

gyzzg2030 发表于 2015-12-9 20:53:45

楼主的第一个问题，应该是用一个变压器才好避免死区直通

JQ_Lin 发表于 2015-12-9 21:50:13

MCU的开关信号，没有驱动脉冲变压器的能力。

JamesErik 发表于 2015-12-9 22:13:08

变压器不能磁复位

stephon1 发表于 2015-12-10 05:55:53

变压器好猛，高压mos好猛，单片机的驱动能力好猛

fgws031006 发表于 2015-12-10 08:37:16

输入驱动信号不是单片机给的，做了电流放大处理来增加带载能力

zhangbl 发表于 2015-12-14 08:52:45

磁恢复，楼主

fgws031006 发表于 2015-12-14 20:24:05

非常感谢，能帮我我详细说下是什么意识吗？

zhiyiyunmeng@ 发表于 2015-12-17 21:18:15

fgws031006 发表于 2015-12-14 20:24
非常感谢，能帮我我详细说下是什么意识吗？

可以选择磁隔离器 8MHZ方波脉冲输入，输出还是标准的方波。

fgws031006 发表于 2015-12-18 08:54:58

磁隔离器类似ADUM1410，但这需要隔离电源供电，会带入噪声！

zouzhichao 发表于 2015-12-18 09:12:48

fgws031006 发表于 2015-12-14 20:24
非常感谢，能帮我我详细说下是什么意识吗？

zouzhichao 发表于 2015-12-18 09:14:15

电容选uf级，二极管选肖特基，变压器漏感要小

fgws031006 发表于 2015-12-18 09:33:11

；
请教几个问题：（1）这种隔离输出端能驱动大功率MOS管吗？
                        （2）关闭MOS时候，延迟有多大？

谢谢！

zouzhichao 发表于 2015-12-18 09:44:50

能驱动大功率mos，注意变压器漏感可能损坏mos，看栅极波形，如果有尖峰，需要处理

fgws031006 发表于 2015-12-18 09:52:55

好的，谢谢，这种变压器用脉冲变压器可以吗？

zouzhichao 发表于 2015-12-18 09:54:51

搭个看看就知了

sanjue 发表于 2015-12-21 00:33:22

（1）上下桥MOS管死区太小没法控制，烧管子（这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决）。
我用过脉冲 变压器，这种驱动方式虽然简单，有负压，但是，在死区时间的会震荡（MOS关闭的时候），而且你是10KHZ到3M，这个就更不好做了，脉冲变压器使用的频率没有这么宽，起码我知道的是，我300KHZ的脉冲变压器用30KZ上面就畸变了，或者是磁饱和导致，或者是激励不够导致。或许你可以使用隔离电源加TLP250等光耦或者IR21XX系列芯片做。
（2）脉冲变压器的输出电流有限，能不能驱动c2m016012；
是的，能，是能的，
（3）有带宽到3M的脉冲变压器吗？
这个还真没试验过。
另外，楼主，你19楼的电路，驱动变压器次级用电容的做法，会有炸鸡风险，

liguangqang 发表于 2015-12-21 09:26:14

我做过200K 脉冲变压器驱动600V的管子，要做3M开关频率隔离驱动，一台机至少也得3W+

kickdown 发表于 2015-12-21 10:42:57

我900V的FQA9N90C，变压器驱动没问题，但开关频率只有40k左右

fgws031006 发表于 2015-12-22 13:37:51

看来起来做，这东西！高压和频率永远是矛盾的参数！

刀客 发表于 2023-4-12 19:49:33

sanjue 发表于 2015-12-21 00:33
（1）上下桥MOS管死区太小没法控制，烧管子（这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决）。
我用过脉冲...
(引用自23楼)

驱动光耦带宽有限，常用驱动光耦工作频率上限一般是40kHz

zhiwei 发表于 2023-4-13 10:01:58

建议你用高速半桥驱动芯片吧，变压器不好搞，特别是不对称波形驱动，容易炸管

mkliop 发表于 2023-4-13 17:47:15

上臂的每一个mos用一个隔离电源，和驱动管，驱动管前面加上整形电路还行，只用一个变压器不好弄
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