脉冲变压器驱动高压全桥MOS
我想用脉冲变压器来驱动4个全桥MOS;高压母线电压最高600V,我选用的MOS是c2m016012,全桥开关频率在100K--3MHz之间,全桥导通瞬间的脉冲电流可达20A,全桥电路示意图如下:请教大师,帮我分析下,这种方法可行吗?
担心的问题是:(1)上下桥MOS管死区太小没法控制,烧管子(这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决)。
(2)脉冲变压器的输出电流有限,能不能驱动c2m016012;
(3)有带宽到3M的脉冲变压器吗?
600v, 3MHz, 我对楼主的敬仰有如涛涛江水绵绵不绝 有没有3MHz的脉冲变压器? 有! 30M的都有, 不过30倍的频率差, 不大好弄 变频电源用的这种方式,只见过400HZ 还有1K 的 600V 3Mhz 这开关损耗能不炸管? 无极灯有工作这么高频率的 用 的是什么方案,也是脉冲变压器吗? 楼主的第一个问题,应该是用一个变压器才好避免死区直通 MCU的开关信号,没有驱动脉冲变压器的能力。
变压器不能磁复位 变压器好猛,高压mos好猛,单片机的驱动能力好猛 输入驱动信号不是单片机给的,做了电流放大处理来增加带载能力 磁恢复,楼主 非常感谢,能帮我我详细说下是什么意识吗? fgws031006 发表于 2015-12-14 20:24
非常感谢,能帮我我详细说下是什么意识吗?
可以选择磁隔离器 8MHZ方波脉冲输入,输出还是标准的方波。 磁隔离器类似ADUM1410,但这需要隔离电源供电,会带入噪声! fgws031006 发表于 2015-12-14 20:24
非常感谢,能帮我我详细说下是什么意识吗?
电容选uf级,二极管选肖特基,变压器漏感要小 ;
请教几个问题:(1)这种隔离输出端能驱动大功率MOS管吗?
(2)关闭MOS时候,延迟有多大?
谢谢! 能驱动大功率mos,注意变压器漏感可能损坏mos,看栅极波形,如果有尖峰,需要处理 好的,谢谢,这种变压器用脉冲变压器可以吗? 搭个看看就知了 (1)上下桥MOS管死区太小没法控制,烧管子(这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决)。
我用过脉冲 变压器,这种驱动方式虽然简单,有负压,但是,在死区时间的会震荡(MOS关闭的时候),而且你是10KHZ到3M,这个就更不好做了,脉冲变压器使用的频率没有这么宽,起码我知道的是,我300KHZ的脉冲变压器用30KZ上面就畸变了,或者是磁饱和导致,或者是激励不够导致。或许你可以使用隔离电源加TLP250等光耦或者IR21XX系列芯片做。
(2)脉冲变压器的输出电流有限,能不能驱动c2m016012;
是的,能,是能的,
(3)有带宽到3M的脉冲变压器吗?
这个还真没试验过。
另外,楼主,你19楼的电路,驱动变压器次级用电容的做法,会有炸鸡风险, 我做过200K 脉冲变压器驱动600V的管子,要做3M开关频率隔离驱动,一台机至少也得3W+ 我900V的FQA9N90C,变压器驱动没问题,但开关频率只有40k左右 看来起来做,这东西!高压和频率永远是矛盾的参数! sanjue 发表于 2015-12-21 00:33
(1)上下桥MOS管死区太小没法控制,烧管子(这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决)。
我用过脉冲...
(引用自23楼)
驱动光耦带宽有限,常用驱动光耦工作频率上限一般是40kHz 建议你用高速半桥驱动芯片吧,变压器不好搞,特别是不对称波形驱动,容易炸管 上臂的每一个mos用一个隔离电源,和驱动管,驱动管前面加上整形电路还行,只用一个变压器不好弄
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