两个CC2530之间通讯,不上zstack怎么读写内部flash啊, 30莫元
zstack看起来蛋疼，很多别扭，参照网上用了点对点直接简单传输。但是需要内部flash读写，无奈网上基本zstack操作方式，用了其他的教程也没成功。
成功了 以下程序可以用只不多读取的时候地址要+0x8000
比如
Flash_PageErase(3);
WriteFlashDMA(test,8, 0X1900);
Read_Flash_To_Buf(0X9900, buf, 8);
#define uint unsigned int
#define uchar unsigned char
//定义DMA通道配置数据结构,每个DMA通道配置由8个字节组成；
//#pragma bitfields=reversed//采用大端格式的意思是用于几位的意思
//通知编译器完成特定的操作
typedef struct {
uchar SRCADDRH; //Byte 0 通道源地址 高位
uchar SRCADDRL; //Byte 1通道源地址 地位
uchar DESTADDRH;//Byte 2通道目标地址 高位,flash存储器不可直接写
uchar DESTADDRL;//Byte 3通道目标地址 低位,flash存储器不可直接写
uchar LENH:5; //Byte 4 - Bit 4:0 DMA通道传送长度
uchar VLEN:3; //Byte 4 - Bit 7:5可变长度传送模式
uchar LENL; //Byte 5DMA通道传送长度
uchar TRIG:5; //Byte 6 - Bit 4:0; Timer 2, event pulse 1;选择要使用的DMA触发
uchar TMODE:2; //Byte 6 - Bit 6:5; Repeated single;DMA通道传送模式：重复单一模式
uchar WORDSIZE:1; //Byte 6 - Bit 7; Selects whether each DMA transfer is 8-bit (0) or 16-bit (1);传送长度8位还是16位
uchar PRIORITY:2; //Byte 7 - Bit 1:0；High, DMA has priority;DMA通道优先级：高
uchar M8:1; //Byte 7 - Bit 2Use 7 LSB for transfer count；采用8th模式作为VLEN传送长度，仅应用在WORDSIZE =0且VLEN =000/111时；
uchar IRQMASK:1;//Byte 7 - Bit 3Enable interrupt generation on DMA channel done；该通道的中断屏蔽
uchar DESTINC:2;//Byte 7 - Bit 5:4Destination address increment mode (after each transfer)；目标地址增量模式(传送之后)
uchar SRCINC:2;//Byte 7 - Bit 7:6Source address increment mode (after each transfer)；源地址增量模式(传送之后)
} DMA_DESC;
//#pragma bitfields=default //恢复默认的小端格式
//DMA 模式写数据
void WriteFlashDMA(uchar data[], int length, int flashadr) //Write Flash, DMA Method
//Length Must be Divisible by 4 or last bytes fail to write
{
//配置DMA通道每次传送一个字节
DMA_DESC dmaConfig0;//定义DMA通道
//MEMCTR|=0X07;//将bank 7 映射到Xdata区
dmaConfig0.SRCADDRH= ((int)data >> 8) & 0x00FF; //XData - To Be Written to Flash - Gets Incremented；存储data的高8位；
dmaConfig0.SRCADDRL= (int)data & 0x00FF;//存储data地址的低8位；
dmaConfig0.DESTADDRH = (((int)&FWDATA) >> 8) & 0x00FF; //Flash Controller Data Address - Flash Controller Writes Data//存储写寄存器的地址的高8位
dmaConfig0.DESTADDRL = ((int)&FWDATA) & 0x00FF;//存储写寄存器的低8位；
dmaConfig0.VLEN = 0; //Variable Length Transfer - 0=Fixed LEN Transfer//采用LEN作为传送长度
dmaConfig0.LENH = (length>>8) & 0x00FF; //Number of WORDSZIE in Transfer - Must be Divisible by 4 - NET_ADDR_SIZE=4//存储传送长度高5位
dmaConfig0.LENL = length & 0x00FF;//存储长度低8位；
dmaConfig0.WORDSIZE= 0; //Size of Each Transfer - 0=8 Bit；每个DMA传送采用8位传送
dmaConfig0.TMODE = 0; //Transfer Mode - 1=Block, 0=Single，传送模式为单一模式
dmaConfig0.TRIG = 18; //DMA Trigger - 0=Manual Via DMAREQ, 18=Flash；flash触发
dmaConfig0.SRCINC = 1; //Source Address Increment - 1=1 Byte//源地址增量模式为1字节/字
dmaConfig0.DESTINC = 0; //Destination Address Increment - 0=0 Bytes (Always Write to FWDATA, No Need to Increment)目标地址增量模式0字节/字
dmaConfig0.IRQMASK = 0; //Interrupt Mask - 0=Disable Interrupts//禁止通道完成中断产生
dmaConfig0.M8 = 0; //8th Bit Mode - 0=Use All 8 Bits使用全部8位作为传送长度
dmaConfig0.PRIORITY= 2; //Priority - 10(2)=High Priority优先级为DMA优先
//DMA模式写
while (FCTL & 0x80); //Wait Until DMA Controller is Available - Busy Bit 7//等待写或擦除状态被激活
/********* 存储写入flash页地址 ***********************************************/
FADDRH =(flashadr >> 10) & 0x00FF; // page size: 2048; select the flash page via FADDRH bits//由于写入flash时是字（4字节）寻址的，所以存储高位需要右移2位；
FADDRL =(flashadr >> 2) & 0x00FF;//4字节寻址，存储要写入flash地址的低字节需要右移2位
//通道0配置地址
DMA0CFGH = (((int)&dmaConfig0) >> 8) & 0x00FF; //Pass DmaConfig0
DMA0CFGL = ((int)&dmaConfig0) & 0x00FF;
DMAARM |= 0x01; //Arm the DMA Channel//通道0进去工作状态
FCTL |= 0x02; //Start Write
//while (!(DMAIRQ & 0x01)); //Wait Until Write Complete
//DMAIRQ &= 0xFE; //Clear Any DMA IRQ on Channel 0 - Bit 0
while (FCTL & (0x80)); //Wait Until Flash Controller is Not Busy - Busy Bit 7//等待或者擦除状态激活
}
//flash 页擦除
void Flash_PageErase(uchar byPage)
{
EA=0;
while(FCTL & 0x80);//等待闪存控制器整备好
FADDRH = byPage << 1;//选择擦除的页面
FCTL |= 0x01;//启动页面擦除
while(FCTL & 0x80);//等待擦除完成
EA=1;
}
//flash 读数据到缓存buf中
void Read_Flash_To_Buf(int read_adr, uchar *buf, uchar num_bytes)//read_adr=flashadr+0x8000
{
unsigned char i;
for( i=0; i<num_bytes; i++)
{
buf=*(volatile char *)(read_adr + i);
}
} 请问楼主，这款芯片在仿真时，只能读不能写Flash吗？
我在仿真状态时，下面这3条语句怎么也没法执行
FADDRH =(flashadr >> 10) & 0x00FF; //
FADDRL =(flashadr >> 2) & 0x00FF;//
FCTL |= 0x02; //Start Write
擦除函数倒是可以执行。
不知道为啥，是仿真状态的原因吗？ 我看到闪存有锁定位保护的 对于锁定保护位你是怎么处理的？ 用你的代码，测试结果如下截图 是IAR配置原因？？ codeyear 发表于 2015-11-26 18:20
是IAR配置原因？？
具体我没研究 按照那个程序可以存储和读写，主要是地址对了，就可以了。 codeyear 发表于 2015-11-26 17:53
对于锁定保护位你是怎么处理的？
具体没研究下去，网上资料太少。要不你研究下那个ZSTACK 的OTA。 你读写不对么？ 我借用的你的例程，可是无法写入，不得其解{:sweat:}
请问一下，
MEMCTR =9;
FMAP = 1;
这两个寄存器你怎么配置的？ 3050311118 发表于 2015-11-26 20:18
你读写不对么？
借用贵宝地，看能否有高人过来指导一下。 codeyear 发表于 2015-11-27 08:44
借用贵宝地，看能否有高人过来指导一下。
给你个我整理的 文件，你地址得弄下，地址没弄对就不行。具体怎么弄，我也是凑出来的，没深入
3050311118 发表于 2015-11-27 11:49
给你个我整理的 文件，你地址得弄下，地址没弄对就不行。具体怎么弄，我也是凑出来的，没深入
...
谢谢楼主的代码，再请问一下
MEMCTR =9;//闪存相关
FMAP = 1; //闪存相关
这两个寄存器，你怎样配置的？ codeyear 发表于 2015-11-27 13:39
谢谢楼主的代码，再请问一下
MEMCTR =9;//闪存相关
我除了下载下来选个地址测试成功之后。其他的都没去研究
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