求助：做开关电源三极管发烫，芯片去耦电解电容冒烟
本帖最后由 may. 于 2015-7-21 13:59 编辑自己做一个开关电源，如图所示。
两个三极管都有加散热片。
单片机P1.3口输出的是一个（用万用表测）平均值为0.2V左右的方波，
TL494的11脚输出的是一个占空比很小的方波，最小值为0V左右（存在一定干扰，所以在0V上下波动），最大值为24V。
当R3从几百欧调制几千欧时，Q1的集电极导通程度越来越大，但当集电极最大电压为9V左右时，TL494芯片12脚附近的去耦电容就开始轻微冒烟了
我不理解的是，我在调节R3改变的是Q1的VBE，Q1的集电极也电压值在升高，电流在增大。可是这和TL494电源脚（12脚）的去耦电容有什么关系呢？
希望各位不吝赐教！万分感谢！ 补充下资料 本帖最后由 lcw_swust 于 2015-7-21 13:17 编辑
去耦电容可能内阻太大，快速大电流充放电就会引起发热。
依我看，24V应加个数千微法的电容才好。 退耦电容看图没有接地啊 本帖最后由 may. 于 2015-7-21 14:00 编辑
lzy888 发表于 2015-7-21 13:32
退耦电容看图没有接地啊
实在抱歉，退耦电容实际是有接地的
因为在电路中的退耦电容是后加上的，忘记接地了
已将电路图修改并上传{:smile:} lcw_swust 发表于 2015-7-21 13:15
去耦电容可能内阻太大，快速大电流充放电就会引起发热。
依我看，24V应加个数千微法的电容才好。 ...
您的意思是铝电解电容的漏电流太大，导致内部电解液被击穿吗？
可是冒烟的为什么是TL494那里的退耦电容而不是电源端的退耦电容呢？
我感觉Q1端电压变化和TL494那里的退耦电容没有直接联系，而且Q1的基极电流应该不会很大。
不知道我分析的对不对？基础知识还不是很扎实 may. 发表于 2015-7-21 14:09
您的意思是铝电解电容的漏电流太大，导致内部电解液被击穿吗？
可是冒烟的为什么是TL494那里的退耦电容而 ...
我说的是内阻，就像电池的内阻一样。
用示波器看看电容两端的电压波形吧。 按照7楼说法，楼主在TL494那多并几个电容试试。 按照7楼说法，楼主在TL494那多并几个电容试试。 还有你的电容耐压是多少 Joyje 发表于 2015-7-21 14:44
按照7楼说法，楼主在TL494那多并几个电容试试。
好的，试完再把结果告诉大家 楼主这个方案，以前我做过类似的哦，，，，不过直接是单片机输出PWM驱动三极管，完了另一路AD口对电源输出电压采样，另一路AD对电流采样。中间可以省去494， 12tangyang12 发表于 2015-7-21 19:58
楼主这个方案，以前我做过类似的哦，，，，不过直接是单片机输出PWM驱动三极管，完了另一路AD口对电源输出 ...
{:handshake:} 那您做的时候电源电压是几伏呢？输出电流是多大？是用开关管用的是三极管还是PMOS呀？ 换个无极性电容看一下. 电容正负极是不是焊反了. 本帖最后由 yk28981 于 2015-7-22 09:45 编辑
电容的ESR差，24V处最起码要1000uF以上，可以用3个470uF并联降低ESR。电解要高频特性好点的。 dengxm2009 发表于 2015-7-21 23:17
电容正负极是不是焊反了.
没有焊反 yk28981 发表于 2015-7-22 09:44
电容的ESR差，24V处最起码要1000uF以上，可以用3个470uF并联降低ESR。电解要高频特性好点的。 ...
好的，谢谢！{:smile:} 找到问题了，谢谢大家的热心解答
首先，三极管发烫是因为基极电流太大，之前没有控制好。
其次，电容冒烟可能是因为电路不稳定，因为电路中焊接了几个排母，用来插电位器，可能因此导致不稳定。后来又用示波器测过TL49412脚的波形，发现有个800mV，31kHz的纹波。觉得yk28981说的对，可能是退耦电容的ESR差导致的，我会继续改进电路，谢谢大家的帮忙！
再次感谢{:smile:}
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