dou_yuyu 发表于 2015-7-17 19:48:25

那种功率开关器件的上升沿和下降沿可以做到最窄？

本帖最后由 dou_yuyu 于 2015-7-17 20:51 编辑

想表达的意思是：
功率开关器件的上升沿和下降沿尽可能做到陡峭。
频率不高，不超2k

功率 至少1kw ，可以并联
ps：题目表达有点不规范，，可惜题目改不了了。

dou_yuyu 发表于 2015-7-17 19:49:57

开关频率最多2k。上升沿和下降沿要做到尽可能窄（窄到啥程度？当然越窄越好了）。何解啊？

JQ_Lin 发表于 2015-7-17 20:13:36

上升沿和下降沿要做到尽可能窄

上升沿和下降沿的时间尽可能短。
或者上升沿和下降沿尽可能陡峭。

dou_yuyu 发表于 2015-7-17 20:23:02

JQ_Lin 发表于 2015-7-17 20:13
上升沿和下降沿的时间尽可能短。
或者上升沿和下降沿尽可能陡峭。

多谢指正，想表达的就是这一个意思。用词有点不规范。我改下。

JamesErik 发表于 2015-7-17 20:35:40

砷化镓半导体器件

dou_yuyu 发表于 2015-7-17 20:51:08

JamesErik 发表于 2015-7-17 20:35
砷化镓半导体器件

这个很少有卖吧？有没有具体型号？

dr2001 发表于 2015-7-17 19:48:26

可以看看SiC的器件，以前听说这货的dI/dt比较厉害。

JamesErik 发表于 2015-7-17 21:00:02

dou_yuyu 发表于 2015-7-17 20:51
这个很少有卖吧？有没有具体型号？

记错了，是氮化镓，TI已经量产LMG5200

3DA502 发表于 2015-7-17 22:23:24


好像有一种叫做雪崩管的东西，把它串到2KHz的脉冲发生器上，用雪崩管使脉冲边沿陡峭，看UWB论文，见有用JBT做雪崩管，产生剂陡峭边沿的

fugeone_copy 发表于 2015-7-17 23:02:38

碳化硅 可以的吧

fugeone_copy 发表于 2015-7-17 23:03:13

碳化硅，我刚点错了

wye11083 发表于 2015-7-18 18:43:06

一般PP模式就足够陡峭了。PD或PU模式就不行。所以你可以考虑PP驱动器。push-pull, pull-up, pull-down
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