那种功率开关器件的上升沿和下降沿可以做到最窄?
本帖最后由 dou_yuyu 于 2015-7-17 20:51 编辑想表达的意思是:
功率开关器件的上升沿和下降沿尽可能做到陡峭。
频率不高,不超2k
功率 至少1kw ,可以并联
ps:题目表达有点不规范,,可惜题目改不了了。 开关频率最多2k。上升沿和下降沿要做到尽可能窄(窄到啥程度?当然越窄越好了)。何解啊? 上升沿和下降沿要做到尽可能窄
上升沿和下降沿的时间尽可能短。
或者上升沿和下降沿尽可能陡峭。
JQ_Lin 发表于 2015-7-17 20:13
上升沿和下降沿的时间尽可能短。
或者上升沿和下降沿尽可能陡峭。
多谢指正,想表达的就是这一个意思。用词有点不规范。我改下。 砷化镓半导体器件 JamesErik 发表于 2015-7-17 20:35
砷化镓半导体器件
这个很少有卖吧?有没有具体型号? 可以看看SiC的器件,以前听说这货的dI/dt比较厉害。 dou_yuyu 发表于 2015-7-17 20:51
这个很少有卖吧?有没有具体型号?
记错了,是氮化镓,TI已经量产LMG5200
好像有一种叫做雪崩管的东西,把它串到2KHz的脉冲发生器上,用雪崩管使脉冲边沿陡峭,看UWB论文,见有用JBT做雪崩管,产生剂陡峭边沿的 碳化硅 可以的吧 碳化硅,我刚点错了 一般PP模式就足够陡峭了。PD或PU模式就不行。所以你可以考虑PP驱动器。push-pull, pull-up, pull-down
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