433MHz射频发射功率检测电路分析及问题请教
各位做射频的朋友，小弟有个433MHZ射频发射功率检测电路，现在调试的时候碰到一个问题，想请教下调试方向。射频发射检测电路如下：
目的/需求：433MHZ信号正常发射时，想通过TI的LMV221芯片检测实时发射功率，反馈到单片机，完成发射功率的实时控制。
目前情况：
433MHZ可以正常发射，发射功率可以调控，比如10dbm/25dbm等等；
碰到的问题：
功率检测电路如何调试？特别是C2/C3/C4，电阻R2的值如何调试？
自己动手调了下，如图中所示的阻容值，将发射功率设置为各个档位（10dbm/25dbm等），检测到T1点的电压变化不是单调递增或者递减的，而且超出了芯片规定的范围（检测IC LMV221规定output端电压为0.3至2V）。
分析：自己怀疑是input的信号强度超出限制（-45dbm至-5dbm，手头没有频谱仪，也测不了目前检测电路耦合过来的实际信号强度是多少）。
请问：1、如何调整C1/C2来增加和减小耦合信号强度？
2、LMV221输出端的R2/C3如何选择比较合适（数据手册见附件）？ 通过电阻分压，取部分功率，输入需要阻抗匹配，另外还要看你的检波器芯片是线性检波器还是对数检波器等，大部分都不线性。 你这单一频点的也不需要使用检波器芯片。 你应该采用耦合方式将信号引入！ 首先，因为你的433信号估计是常见那种脉冲调制吧？
那么你说频谱仪来看功率就是一个不合适的，应该用脉冲峰值功率计，
然后正规的射频信号分配不是直接平时低频信号那样直接并联就OK了，需要进行50欧姆或者75等等的输入输出端口匹配的，然后你这种信号检测的话，肯定还的是取一部分的，比如多少多少dB的耦合，这样不至于影响主路输出，然后，
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