（已改进）求P沟道MOSFET烧毁原因
本帖最后由 秦庄 于 2014-10-29 19:50 编辑搭建了一个限流电路，输入为18V，当负载变小，电流增大，比较器输出高电平，PMOSFET未完全关断，电流下降。
经过测试，可以限流在700mA，但是10S后MOSFET就要冒烟，不知道怎么回事。
改进：运放输出控制NPN三极管，三极管驱动MOSFET，可以Vgs=0，可以控制关断。
艹，你拿mos当ldo用，当然冒烟了 LM258输出电压不够18V，SA18V改成24V。 700mA的时候管子压降是多少？如果结温上的很快，不是马上就自焚了 散热没做好吧 线性稳压的损耗都耗散在MOS上了，700ma电流，压差稍微大一点损耗就大的吓人 在运放输入级R5上加电容在MOS管输出级加电容；要不然它会振荡的，而且是高频呀，呵呵！ 查看MOS管手册，门限电压，导通压降等看看 死于过热 是否本意想过流关断？要用双稳态触发器。这个电路只能限流，mos管进入放大区，承受不了功耗。 huntaway 发表于 2014-10-28 22:40
700mA的时候管子压降是多少？如果结温上的很快，不是马上就自焚了
压降10V-17V zhanan 发表于 2014-10-29 09:19
是否本意想过流关断？要用双稳态触发器。这个电路只能限流，mos管进入放大区，承受不了功耗。 ...
是想关电流的。 引入正反馈，变成双稳态，就能过流关断了。 csaaa 发表于 2014-10-29 11:24
mos是用来做开关用的不能用来做半开半关的放大区。要求工作在放大区的请选PNP管。 如果用mos的话要利用开关 ...
很多电子负载不就是用MOS做可调负载的, 工作在放大状态. MOS管可以工作在线性区，注意散热就行了 你是要关断还是要恒流？ hanbreen 发表于 2014-10-29 12:51
你是要关断还是要恒流？
关断也可以，恒流也可以，我只要限流小于规定值就可以。 恒流必须要散热，不做散热必烧 秦庄 发表于 2014-10-29 13:22
关断也可以，恒流也可以，我只要限流小于规定值就可以。
恒流在MOS管上有很大损耗，直接关断比较容易，加一个关断锁定，也就是在运放输出高电平的同时想办法把同相端电平抬高或者反相端电平拉低，你这个只能拉低反相端电平。这样关断后要从新上电才能解除锁定。 如果非要用MOS管做恒流，最好采用像34063那样，输入场管的是高频开关信号，超过700mA就关闭，不到就打开。不然就做好散热，成为一个线性稳压。10V0.7A已经有7W热量了，没散热片不烧才怪 hkjabcd 发表于 2014-10-28 23:19
查看MOS管手册，门限电压，导通压降等看看
同意 控制电压太高了！ 1、3脚之间加个几十K的电阻 学习了~~~~~ 没有正反馈，过流无法关断，当然要烧。 原理是当电流增大，R24上的压降升高，3脚的电压也升高，比较器输出高电平么？这样R24消耗的功率也挺大的吧。 很多电子负载不就是用MOS做可调负载的, 工作在放大状态. 好帖。又学了一招
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