linyibinleo 发表于 2014-10-27 16:05:52

MOS管标称电流跟实际使用电流需要多少余量

10N60，我们使用的时候真的能够通过10A吗？望大家能分享一下使用或者测试的经验！

linyibinleo 发表于 2014-10-27 16:07:49

一直在看，不敢轻易的发帖，怕被封号，这是第一次发帖，如果这里发错了，请告知一下，我改过来！谢谢！

linyibinleo 发表于 2014-10-27 16:11:08

今天有请教了一家晶体管的FAE，他们说10N60，他们实际使用的电流可能是3A或者4A，没有那么高的电流，这是因为考虑了Rdson和结温。

jiangchun9981 发表于 2014-10-27 16:19:39

看手册里面，好像我一般用70度温度的那个数据做参考。

linyibinleo 发表于 2014-10-27 16:20:35

另外关于MOS管的驱动电压的范围是多少，比如10N60的VGS是+-30V，那我们选取多少V呢？

sunrosewang 发表于 2014-10-27 16:23:24

个人经验只供参考，一般产器最大电流值等于MOS管标称最大的一半

linyibinleo 发表于 2014-10-27 16:25:42

jiangchun9981 发表于 2014-10-27 16:19
看手册里面，好像我一般用70度温度的那个数据做参考。

谢谢，那假如是这个10N60的话，你一般是估算有7A左右是吧。另外就是MOS管不加散热器的话，建议是温升不要超过多少度呢？

kydl2345 发表于 2014-10-27 16:47:38

linyibinleo 发表于 2014-10-27 16:25
谢谢，那假如是这个10N60的话，你一般是估算有7A左右是吧。另外就是MOS管不加散热器的话，建议是温升不要 ...

结到环境热阻   62.5℃/W
你要算下功率了，然后按照结温降额

codeyear 发表于 2014-10-29 15:59:21

饱和导通状态下，不超过标称的一半。不饱和的时候，功率不能超标。
MOS管损坏主要有，电压击穿，电流击穿，功率超限。

jumpjet 发表于 2014-10-29 16:15:10

我一般只用到三分之一

linyibinleo 发表于 2014-10-29 18:43:21

codeyear 发表于 2014-10-29 15:59
饱和导通状态下，不超过标称的一半。不饱和的时候，功率不能超标。
MOS管损坏主要有，电压击穿，电流击穿， ...

好的，谢谢！另外还有温度{:lol:}

linyibinleo 发表于 2014-10-29 19:00:09

下面共享一份MOS管分析

ycmzq 发表于 2014-10-31 23:47:34

linyibinleo 发表于 2014-10-29 19:00
下面共享一份MOS管分析

谢谢分享，下载学习一下。

yanyanyan168 发表于 2014-11-5 09:14:55

linyibinleo 发表于 2014-10-29 19:00
下面共享一份MOS管分析

谢谢分享，下载学习一下。

avr9299 发表于 2014-11-5 14:14:03

linyibinleo 发表于 2014-10-29 18:43
好的，谢谢！另外还有温度

功耗温度与散热片大小也有关系

linyibinleo 发表于 2014-11-5 15:04:04

avr9299 发表于 2014-11-5 14:14
功耗温度与散热片大小也有关系

是的！{:handshake:}

chengtina 发表于 2014-11-5 15:40:11

一般1/3的。余量留足点吧
我40A电流用了12个16N55，反正几年了都没炸过管子。。。

机械码农 发表于 2014-11-5 15:41:53

一般是三分之一，不超过一半。

linyibinleo 发表于 2014-11-5 21:40:25

chengtina 发表于 2014-11-5 15:40
一般1/3的。余量留足点吧
我40A电流用了12个16N55，反正几年了都没炸过管子。。。 ...

你的驱动MOS管是多少度，有没有加散热片！

linyibinleo 发表于 2014-11-5 21:41:36

机械码农 发表于 2014-11-5 15:41
一般是三分之一，不超过一半。

好的，记下了！

xly2014 发表于 2014-11-5 22:45:37

mos管分析

重庆酱油仔 发表于 2014-11-5 23:12:49

Mos还是多耐整的，他有个plus电流，多看哈datasheet

Scarlette 发表于 2014-11-6 01:38:18

一般都是一半到顶，保险点的话三分之一

yht0312 发表于 2014-11-6 08:07:19

我一般都是设计到一半，要考虑好散热问题

chengtina 发表于 2014-11-6 10:22:03

linyibinleo 发表于 2014-11-5 21:40
你的驱动MOS管是多少度，有没有加散热片！

加散热的，基本上满载工作在50度到60度之间

bart 发表于 2014-11-6 11:11:25

看data sheet的SOA图

chenminhua1980 发表于 2014-11-6 11:28:19

本帖最后由 chenminhua1980 于 2014-11-6 11:32 编辑

codeyear 发表于 2014-10-29 15:59
饱和导通状态下，不超过标称的一半。不饱和的时候，功率不能超标。
MOS管损坏主要有，电压击穿，电流击穿， ...

个人认为，没有电流击穿一说，可以归结为“功至热熔”
MOS管都有时间功耗曲线，用到多少百分比看散热环境和"最大不确定"电流.只要确定散热无问题，偶发最大电流等于器件最大电流。
所以这个问题没有准确答案，使用场合不同器件余量不同，比如开关电源 带PFC的变换功率管，余量可以比不带PFC的小。

wangyu_2011 发表于 2014-11-6 11:44:41

mos管损坏的根本原因是热。

linyibinleo 发表于 2014-11-6 15:39:47

chenminhua1980 发表于 2014-11-6 11:28
个人认为，没有电流击穿一说，可以归结为“功至热熔”
MOS管都有时间功耗曲线，用到多少百分比看散热环境 ...

哦，学习了！是不是有驱动能力不足的情况存在，然后导致发热损坏！

linyibinleo 发表于 2014-11-6 15:42:31

wangyu_2011 发表于 2014-11-6 11:44
mos管损坏的根本原因是热。

好的，一般规格书的结温都是150度，那我们最好使用MOS管的温度不要超过多少度比较保险。

linyibinleo 发表于 2014-11-6 15:46:02

bart 发表于 2014-11-6 11:11
看data sheet的SOA图

你好，请问是这个图吗，这个图我们应该怎么看的，我不会看，能不能帮忙指点一下！

signal10 发表于 2014-11-6 16:31:41

这个得看具体的用途。如果只是一个普通的开关，损耗基本上就是导通电阻损耗；

signal10 发表于 2014-11-6 17:16:28

如果是用于开关频率比较高的场合，导通电阻的损耗只是其中一部分，甚至是一小部分。
如果是哪种用途，只要考虑MOS管的温升不要太高就可以。
所以，最好不要武断的认为不超过几分之几就好。

linyibinleo 发表于 2014-11-6 17:20:38

signal10 发表于 2014-11-6 17:16
如果是用于开关频率比较高的场合，导通电阻的损耗只是其中一部分，甚至是一小部分。
如果是哪种用途，只要 ...

假如是100HZ呢。

bart 发表于 2014-11-6 17:41:18

linyibinleo 发表于 2014-11-6 15:46
你好，请问是这个图吗，这个图我们应该怎么看的，我不会看，能不能帮忙指点一下！ ...

那个三角的下方是安全工作范围。比如这个管子Id是10A，但是只有Vds在10v的时候才能上到10A，所以你要根据你的Vds决定电流

我被蜗牛欺负了 发表于 2014-11-6 17:45:02

公司用的是50N06

signal10 发表于 2014-11-6 17:53:15

linyibinleo 发表于 2014-11-6 17:20
假如是100HZ呢。

100HZ是很低的频率了，开关损耗不大。这样MOS管的电流可以大些。
可以按照导通损耗大致计算温升，再降额30%处理，看看电流可以流过多少。

linyibinleo 发表于 2014-11-6 19:24:05

bart 发表于 2014-11-6 17:41
那个三角的下方是安全工作范围。比如这个管子Id是10A，但是只有Vds在10v的时候才能上到10A，所以你要根据 ...

好的，谢谢！这样我就明白了，电流大小还要根据时间来定的是吧，由10us到100ms得出工作的频率是吧！

linyibinleo 发表于 2014-11-6 19:25:33

signal10 发表于 2014-11-6 16:31
这个得看具体的用途。如果只是一个普通的开关，损耗基本上就是导通电阻损耗； ...

是的，是不是可以算成是：I*I*R=W为MOS管的功耗

yk28981 发表于 2014-11-6 20:19:29

我是来学习的！收藏了！

cj519 发表于 2014-11-6 20:44:18

低频应用几分之几都到不了

fsclub 发表于 2014-11-6 21:08:58

看vgs，散热条件，频率。实际工况测温度也是个办法。

weixfile 发表于 2014-11-6 21:12:49

参数多了，耐压，电流，结电容，等等，要考虑的很多

HalenYU 发表于 2014-11-6 21:21:02

好久不看器件手册了

linyibinleo 发表于 2014-11-6 21:24:11

fsclub 发表于 2014-11-6 21:08
看vgs，散热条件，频率。实际工况测温度也是个办法。

好的！学习了

wangyu_2011 发表于 2014-11-7 02:18:34

开关损耗要开开关速度的。负载不同也有影响。其实很多时候时出现负载或电源的变化才是炸管的原因。

bart 发表于 2014-11-7 07:20:46

linyibinleo 发表于 2014-11-6 19:24
好的，谢谢！这样我就明白了，电流大小还要根据时间来定的是吧，由10us到100ms得出工作的频率是吧！ ...

导通时间短的话，电流就可以大一点，大概就是这个意思。取最小值就安全了。这个是管子本身的极限，外界因素比如散热也不容忽视，但是散热再好，工作在安全区外还是不行。

signal10 发表于 2014-11-7 08:59:39

linyibinleo 发表于 2014-11-6 19:25
是的，是不是可以算成是：I*I*R=W为MOS管的功耗

是的，但RDS需要根据VGS电压，工作温度等条件决定，不是一成不变的，具体的数值可以看下规格书

linyibinleo 发表于 2014-11-7 10:45:34

signal10 发表于 2014-11-7 08:59
是的，但RDS需要根据VGS电压，工作温度等条件决定，不是一成不变的，具体的数值可以看下规格书 ...

好的，谢谢！

wang19900908 发表于 2014-11-7 10:52:30

看散热情况，散热好余量可以小一点

weichao4808335 发表于 2014-11-7 10:56:57

一般2.5倍吧，除非你散热片很大

yixuanyuxiao 发表于 2015-11-21 18:13:16

mos mark。      
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