MOS管标称电流跟实际使用电流需要多少余量
10N60,我们使用的时候真的能够通过10A吗?望大家能分享一下使用或者测试的经验! 一直在看,不敢轻易的发帖,怕被封号,这是第一次发帖,如果这里发错了,请告知一下,我改过来!谢谢! 今天有请教了一家晶体管的FAE,他们说10N60,他们实际使用的电流可能是3A或者4A,没有那么高的电流,这是因为考虑了Rdson和结温。 看手册里面,好像我一般用70度温度的那个数据做参考。 另外关于MOS管的驱动电压的范围是多少,比如10N60的VGS是+-30V,那我们选取多少V呢? 个人经验只供参考,一般产器最大电流值等于MOS管标称最大的一半 jiangchun9981 发表于 2014-10-27 16:19看手册里面,好像我一般用70度温度的那个数据做参考。
谢谢,那假如是这个10N60的话,你一般是估算有7A左右是吧。另外就是MOS管不加散热器的话,建议是温升不要超过多少度呢? linyibinleo 发表于 2014-10-27 16:25
谢谢,那假如是这个10N60的话,你一般是估算有7A左右是吧。另外就是MOS管不加散热器的话,建议是温升不要 ...
结到环境热阻 62.5℃/W
你要算下功率了,然后按照结温降额 饱和导通状态下,不超过标称的一半。不饱和的时候,功率不能超标。
MOS管损坏主要有,电压击穿,电流击穿,功率超限。 我一般只用到三分之一 codeyear 发表于 2014-10-29 15:59
饱和导通状态下,不超过标称的一半。不饱和的时候,功率不能超标。
MOS管损坏主要有,电压击穿,电流击穿, ...
好的,谢谢!另外还有温度{:lol:} 下面共享一份MOS管分析 linyibinleo 发表于 2014-10-29 19:00
下面共享一份MOS管分析
谢谢分享,下载学习一下。 linyibinleo 发表于 2014-10-29 19:00
下面共享一份MOS管分析
谢谢分享,下载学习一下。 linyibinleo 发表于 2014-10-29 18:43
好的,谢谢!另外还有温度
功耗温度与散热片大小也有关系 avr9299 发表于 2014-11-5 14:14
功耗温度与散热片大小也有关系
是的!{:handshake:} 一般1/3的。余量留足点吧
我40A电流用了12个16N55,反正几年了都没炸过管子。。。 一般是三分之一,不超过一半。 chengtina 发表于 2014-11-5 15:40
一般1/3的。余量留足点吧
我40A电流用了12个16N55,反正几年了都没炸过管子。。。 ...
你的驱动MOS管是多少度,有没有加散热片! 机械码农 发表于 2014-11-5 15:41
一般是三分之一,不超过一半。
好的,记下了! mos管分析 Mos还是多耐整的,他有个plus电流,多看哈datasheet 一般都是一半到顶,保险点的话三分之一 我一般都是设计到一半,要考虑好散热问题 linyibinleo 发表于 2014-11-5 21:40
你的驱动MOS管是多少度,有没有加散热片!
加散热的,基本上满载工作在50度到60度之间 看data sheet的SOA图 本帖最后由 chenminhua1980 于 2014-11-6 11:32 编辑
codeyear 发表于 2014-10-29 15:59
饱和导通状态下,不超过标称的一半。不饱和的时候,功率不能超标。
MOS管损坏主要有,电压击穿,电流击穿, ...
个人认为,没有电流击穿一说,可以归结为“功至热熔”
MOS管都有时间功耗曲线,用到多少百分比看散热环境和"最大不确定"电流.只要确定散热无问题,偶发最大电流等于器件最大电流。
所以这个问题没有准确答案,使用场合不同器件余量不同,比如开关电源 带PFC的变换功率管,余量可以比不带PFC的小。 mos管损坏的根本原因是热。 chenminhua1980 发表于 2014-11-6 11:28
个人认为,没有电流击穿一说,可以归结为“功至热熔”
MOS管都有时间功耗曲线,用到多少百分比看散热环境 ...
哦,学习了!是不是有驱动能力不足的情况存在,然后导致发热损坏! wangyu_2011 发表于 2014-11-6 11:44
mos管损坏的根本原因是热。
好的,一般规格书的结温都是150度,那我们最好使用MOS管的温度不要超过多少度比较保险。 bart 发表于 2014-11-6 11:11
看data sheet的SOA图
你好,请问是这个图吗,这个图我们应该怎么看的,我不会看,能不能帮忙指点一下! 这个得看具体的用途。如果只是一个普通的开关,损耗基本上就是导通电阻损耗; 如果是用于开关频率比较高的场合,导通电阻的损耗只是其中一部分,甚至是一小部分。
如果是哪种用途,只要考虑MOS管的温升不要太高就可以。
所以,最好不要武断的认为不超过几分之几就好。 signal10 发表于 2014-11-6 17:16
如果是用于开关频率比较高的场合,导通电阻的损耗只是其中一部分,甚至是一小部分。
如果是哪种用途,只要 ...
假如是100HZ呢。 linyibinleo 发表于 2014-11-6 15:46
你好,请问是这个图吗,这个图我们应该怎么看的,我不会看,能不能帮忙指点一下! ...
那个三角的下方是安全工作范围。比如这个管子Id是10A,但是只有Vds在10v的时候才能上到10A,所以你要根据你的Vds决定电流 公司用的是50N06 linyibinleo 发表于 2014-11-6 17:20
假如是100HZ呢。
100HZ是很低的频率了,开关损耗不大。这样MOS管的电流可以大些。
可以按照导通损耗大致计算温升,再降额30%处理,看看电流可以流过多少。 bart 发表于 2014-11-6 17:41
那个三角的下方是安全工作范围。比如这个管子Id是10A,但是只有Vds在10v的时候才能上到10A,所以你要根据 ...
好的,谢谢!这样我就明白了,电流大小还要根据时间来定的是吧,由10us到100ms得出工作的频率是吧! signal10 发表于 2014-11-6 16:31
这个得看具体的用途。如果只是一个普通的开关,损耗基本上就是导通电阻损耗; ...
是的,是不是可以算成是:I*I*R=W为MOS管的功耗 我是来学习的!收藏了! 低频应用几分之几都到不了 看vgs,散热条件,频率。实际工况测温度也是个办法。 参数多了,耐压,电流,结电容,等等,要考虑的很多 好久不看器件手册了 fsclub 发表于 2014-11-6 21:08
看vgs,散热条件,频率。实际工况测温度也是个办法。
好的!学习了 开关损耗要开开关速度的。负载不同也有影响。其实很多时候时出现负载或电源的变化才是炸管的原因。 linyibinleo 发表于 2014-11-6 19:24
好的,谢谢!这样我就明白了,电流大小还要根据时间来定的是吧,由10us到100ms得出工作的频率是吧! ...
导通时间短的话,电流就可以大一点,大概就是这个意思。取最小值就安全了。这个是管子本身的极限,外界因素比如散热也不容忽视,但是散热再好,工作在安全区外还是不行。 linyibinleo 发表于 2014-11-6 19:25
是的,是不是可以算成是:I*I*R=W为MOS管的功耗
是的,但RDS需要根据VGS电压,工作温度等条件决定,不是一成不变的,具体的数值可以看下规格书 signal10 发表于 2014-11-7 08:59
是的,但RDS需要根据VGS电压,工作温度等条件决定,不是一成不变的,具体的数值可以看下规格书 ...
好的,谢谢! 看散热情况,散热好余量可以小一点 一般2.5倍吧,除非你散热片很大 mos mark。
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