eeprom读写寿命的问题
atmega16单片机文档上介绍的eeprom读写次数寿命在10000次左右,是不是说这个eeprom读写10000次以后就会坏了呢?我现在做一个数据掉电保存,把采到的ad值存在eeprom中,程序里是每1ms读一次ad值,然后写入eeprom中,那么这样10秒就会写入10000次数据啊,工作10秒就会坏掉么? 现在都流行用FRAM。无寿命限制。。。 为什么1ms存储一次AD值,还放到EEPROM里。 自古二楼出真相!同意二楼! 板子没打样就改用掉电中断存eeprom。估计你是要开机显示上一次的AD值吧,或者用计数延时存写。 10,000次的那是FLASH模拟EEPROM真的EEPROM标准是1,000,000次写入
频繁写入2L是标准答案 应该是一个保证的读写次数吧,高于10,000出现问题的几率会上升。 1ms啊!就算是真的EEROM也不是你这么用的。太频繁了 EEPROM不是这样用的,写EEPROM的速度一般不会很快,如果1ms写一次,那你程序基本不用干其他活了。可以先把数据保存在内存里,断电的时候再写入EEPROM 1ms写一次?你确定吗?eeprom写很慢的呢,应该说特慢。 NC的设计真多。这种应用应该考虑用个电池保存的RAM,有些RTC还附送几十字节这种存储呢。要不就用铁电存储。 1ms能完成EEPROM写操作吗 1ms e2prom能否响应得过来?最好看一下资料 有必要读一次保存一次么?先保存在RAM中,当掉电关机时保存, 人家那是比方了,不要追着这个问题不当,寿命应该是擦除写入最少次数吧 对,有道理,掉电进中断保存比较靠谱,我开始没注意到寿命的问题,只是编程方便 我是来围观楼上头像的{:titter:} 写程序了LZ就发现,哦,程序跑起来怎么是死的。。。 eeprom有读次数的吗 片内eeprom你寿命比片外的短,不过楼主的存储策略还是改进下好些 suming1189 发表于 2014-10-22 16:39
现在都流行用FRAM。无寿命限制。。。
FRAM写入速度多快? Joezhu 发表于 2014-10-22 21:23
FRAM写入速度多快?
你搜搜FM25V10的datasheet,40M的时钟。
基本上是us级别的写入速度。。。
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