yxm433 发表于 2014-7-29 23:17:12

51单片机timer0工作方式2,产生方波,产生误差的原因?

本帖最后由 yxm433 于 2014-7-30 16:26 编辑

用51单片机的timer0的工作方式2 产生250us的中断,每次中断就取反一次p1.0,想产生周期为500us的方波。
但我用keil5的逻辑分析仪测量的时候,发现 低电平持续时间为249us,高电平持续的时间为251us,周期为500us。
这个误差是怎样产生的呢?

下面是代码
#include <REGX51.H>

/*
*函数名称:init_timer0
*功    能:初始化timer0,设置为定时器、方式2、禁止门控信号
*参    数:空
*返 回 值:空
*/
void init_timer0(void)
{
        TMOD &= 0xF0;                                //设置为定时器、方式2、禁止门控信号
        TMOD |= 0x02;
        TL0=(1<<8)-250 ;//设置定时器初值
        TH0=(1<<8)-250;       
        EA = 1;                                                //开总中断开关
        ET0 = 1;                                        //开T0中断
        TR0=1;                                                //运行定时器
}

/*
*函数名称:isr_timer0
*功    能:timer0的中断服务函数,对P1_0取反
*参    数:空
*返 回 值:空
*/
void isr_timer0() interrupt 1
{
        P1_0 = !P1_0;
}

int main(void)
{
        init_timer0();
        while(1);
        return 0;
}

rain73 发表于 2014-7-30 02:46:28

实测才准确,逻辑分析及仿真可能会不一致,我遇到过。

lcw_swust 发表于 2014-7-30 09:07:07

测量误差。
IO口高低电平驱动能力不同,造成分布电容充放电时间不一样,但这样也应该是低电平时间更长才对。

yxm433 发表于 2014-7-30 16:25:51

lcw_swust 发表于 2014-7-30 09:07
测量误差。
IO口高低电平驱动能力不同,造成分布电容充放电时间不一样,但这样也应该是低电平时间更长才对 ...

我是用Keil的逻辑分析仪,仿真测试的,不是实物测的

lcw_swust 发表于 2014-7-30 16:33:11

yxm433 发表于 2014-7-30 16:25
我是用Keil的逻辑分析仪,仿真测试的,不是实物测的

哦,这倒是没用过,也许软件有问题。
建议楼主将程序烧写到单片机里测试一下。
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