梦想号 发表于 2014-7-6 21:07:30

是什么原因造成mos管G极振铃现象的呢?

我们平时去控制mos管开关的时候,空载的时候可能不会发现G极上有振铃现象,但当DS间有电流流过的时候就会发现有或大或小的高频谐振震荡在G极上。不知道是mos管的开关速度快还是什么的,在三极管的B极上好像没有见到过振铃的现象的呢。mos管的振铃现象是不是还有跟它的反向电容有关的呢(米勒相应)?求高手赐教,谢谢!!!

y595906642 发表于 2014-7-6 21:10:15

过冲了,G极驱动上加个电阻缓一缓

梦想号 发表于 2014-7-6 21:16:40

y595906642 发表于 2014-7-6 21:10
过冲了,G极驱动上加个电阻缓一缓

我知道这确实是其中的一个原因,但好像不是主因呢,只能抑制一下而已。因为当DS间电流上来了,G极上的振铃还是会跟着上来的呢,好像跟流过DS间的电流关系更大一些呢?

xh89595009 发表于 2014-7-6 21:49:07

DS上貌似都会串一个磁环

brwang1983 发表于 2014-7-6 22:04:43

也碰到这个问题,来学习一下

dengterry 发表于 2014-7-6 22:42:03

寄生电感与寄生电容的二阶震荡效果吧

zhiwei 发表于 2014-7-6 22:53:31

波形看起来没有问题,你这个振铃都在开通阀值至上不会导致管子反复开关,波形很干净没发现米勒平台。

charlesg 发表于 2014-7-6 23:39:03

过冲振铃是因为阻抗变化太大,有较大的反射波与入射波叠加,但是由于频率较低,波形延迟较小,不至于产生抵消的现象

Mos管的输入电容对于源来说大约只有5~10ohm 交流阻抗,阻抗很小,基本在这里会有反相的波反射回去,而反射波到了源端也会接着反射,如此反复形成振铃

从走线的角度来考虑,缩短driver到gate的长度肯定有帮助。另外,加宽线宽理论上也有帮助,因为线宽决定了走线的阻抗,不过要加到和MOS输入电容匹配的程度不现实。(太宽)

加上电阻或者磁珠,本质上是有吸收反射波的作用。但是同样也会吸收入射波,造成上升沿变缓,开关损耗加大

因为好久没玩过MOS这种大功率的东西了,没量过MOS的输入阻抗,不知道有无匹配回来的可能,如果有可能,用LC匹配应该是最佳。

fsclub 发表于 2014-7-7 08:06:52

加大驱动能力。

suming1189 发表于 2014-7-7 08:16:47

这个波形,应该还好。

Irving 发表于 2014-7-7 12:12:42

一般会在芯片到G端串一个4.7Ω的电阻振荡会好些

gaoqiu88 发表于 2014-7-7 21:17:40

主要是干扰引起的,GS之间要加滤波电容,几个nF就可以了,还有GS之间最好并联一个几k电阻。

gaoqiu88 发表于 2014-7-7 21:22:37

另外驱动电阻过小会引起振铃,感觉你的电路里面没有加驱动电阻,选择合适的驱动电阻可以减缓振铃现象,驱动电阻一般选十R到几十R。

3DA502 发表于 2014-7-7 21:53:31

LZ上个原理图呗   

有LZ的前车之鉴,后人就不必再此坑摔跤了{:tongue:}

tsingyoung 发表于 2014-9-1 15:05:08

好好研究一下楼上各位的看法,很有益处。
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