niba 发表于 2014-6-29 01:05:24

EPM240到底能烧写多少次?文档中写的只有100次?这么脆弱?

EPM240到底能烧写多少次?文档中写的只有100次?这么脆弱?一般单片机都能烧写10万次,,这么少的烧写次数,做实验太不方便了,我喜欢烧写后看CPLD的运行效果。

Borden 发表于 2014-6-29 02:34:30

哪个文档说的100次?咋听着这么新鲜,贴出来看看?
240调个逻辑随随便便烧几百次啊,我还从来没遇到过烧坏的,放心烧~
240倒是IO口很脆弱,手上静电经常烧IO,做商业应用的话IO全部要加保护。

niba 发表于 2014-6-29 09:17:56

图片红框中不是写的最大只能烧写100次吗?

RUANJI 发表于 2014-6-29 09:21:43

Borden 发表于 2014-6-29 02:34
哪个文档说的100次?咋听着这么新鲜,贴出来看看?
240调个逻辑随随便便烧几百次啊,我还从来没遇到过烧坏 ...

如下图....

lianghuok 发表于 2014-6-29 09:29:45

以前看资料说是1w多次的。放心用吧。这也许是烧录时钟频率

wye11083 发表于 2014-6-29 09:37:51

niba 发表于 2014-6-29 09:17
图片红框中不是写的最大只能烧写100次吗?

做实验时随便烧,正式产品就要防着点了,因为擦写次数多了,数据储存期就会下降(烧坏得几十W次,但是烧了几W次之后说不定今天好好的,明天就不能用了)。

wicy001 发表于 2014-6-29 10:14:14

擦写编程最大需要100个时钟周期。

biansf2001 发表于 2014-6-29 10:16:50

7楼正解。那是擦写周期。

英文不过关真可怕

RUANJI 发表于 2014-6-29 10:58:54

biansf2001 发表于 2014-6-29 10:16
7楼正解。那是擦写周期。

英文不过关真可怕

嗯,英文不过关真可怕,别误导别人。

Borden 发表于 2014-6-29 13:43:43

哈哈哈哈哈~~~~楼主太可爱了~~{:lol:}

mubei 发表于 2014-6-29 14:06:41

一百次就挂掉谁还敢用

linjpxt 发表于 2014-6-29 14:07:26

这里没哪提到是时钟周期吧

alias 发表于 2014-6-29 15:59:36

EPM240到底能烧写多少次?文档中写的只有100次。

没错,元件商只能保证产品特性在不超过100次烧写之内。并不是说超过了不能再烧写,只是不作保证。认为不合理就乱猜那是时钟频率,时钟周期,还说资料1W多次,真害人不浅。

gzhuli 发表于 2014-6-29 16:27:23

是擦写100次后还能保证至少20年的数据保持时间。

himan 发表于 2014-6-29 16:34:35

反正不管什么如果你烧写都能烧写坏了 说明你也学到了东西

jathenal 发表于 2014-6-29 22:37:39

EPM240的基本单元说到底还是基于SRAM结构的吧(貌似主流厂家就Actel的是真正基于Flash的),调试时只要通过JTAG方式直接配置到SRAM中,就没有次数限制了。带验证通过后再烧到CFM中,就消耗不了几次了。

alcohol 发表于 2014-7-2 22:45:44

jathenal 发表于 2014-6-29 22:37
EPM240的基本单元说到底还是基于SRAM结构的吧(貌似主流厂家就Actel的是真正基于Flash的),调试时只要通过 ...

这是 CPLD,不是 FPGA。

jathenal 发表于 2014-7-3 09:39:05

alcohol 发表于 2014-7-2 22:45
这是 CPLD,不是 FPGA。


从EPM240数据手册上看,这个所谓的CPLD,基础LE还是SRAM结构的,只是通过片内CFM获得上电即行的特性
只要是基于SRAM的,就有办法通过JTAG方式获得无限调试次数,这个跟它叫“CPLD”还是“FPGA”没关系,不是吗:)

alcohol 发表于 2014-7-3 12:54:22

jathenal 发表于 2014-7-3 09:39
从EPM240数据手册上看,这个所谓的CPLD,基础LE还是SRAM结构的,只是通过片内CFM获得上电即行的特性
只 ...

我去,谢谢指点,我以前一直的观点错了...

Arrowzhang 发表于 2014-7-3 13:24:04

怎么我觉得100次也足够了呢

qwerttt 发表于 2014-7-5 14:06:42

就240个LE
能做些什么复杂应用能调试烧写100次的?
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