stirwl 发表于 2014-6-22 10:11:57

今天看到三星NAND Flash命名手册,第14个字符描述Bad Block的

14. Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)

其中N:ini. 0 blk, add. 10 blk是指第一个block没问题,后面有10个坏块吗?

ximuyi 发表于 2014-7-17 14:56:40

不是的,block 的好坏不会在这体现,而是在每个block 的spare区域体现,SLC的是第6个字节,MLC的是第1个字节。
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