求教NmosH桥原理
看到论坛中很多H桥使用全Nmos做的，这样的H桥上面那个Nmos管不会发热吗？ MOS的驱动IC有自举升压，可以产生出比VCC高12V的电压来，上管也可以完全导通。 quzhanguang3 发表于 2014-4-24 11:54MOS的驱动IC有自举升压，可以产生出比VCC高12V的电压来，上管也可以完全导通。 ...
这种设计与P-nmos 共用的H桥相比有什么好处呢？
http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=4748788&highlight=N%2BH%E6%A1%A5
这个帖子中所说的PWM占空比不能加满？是为何，在P-Nmos的H桥中加满过占空比，并没有烧掉的情况 cityfuture 发表于 2014-4-24 12:11
这种设计与P-nmos 共用的H桥相比有什么好处呢？
http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=47 ...
PMOS的性能不如NMOS好，占空比不能100%是因为自举电容需要下半桥导通来充电。
用全N的相对便宜一些。电压很高的时候上半桥的PMOS驱动起来也挺麻烦的。 turf456 发表于 2014-4-24 12:19
PMOS的性能不如NMOS好，占空比不能100%是因为自举电容需要下半桥导通来充电。
用全N的相对便宜一些。电压 ...
也就说P-Nmos不存在 不能满占空比的问题？为何P-MOS高电压的时候导通存在问题，可否详细说下？ cityfuture 发表于 2014-4-24 12:26
也就说P-Nmos不存在 不能满占空比的问题？为何P-MOS高电压的时候导通存在问题，可否详细说下？ ...
1，是的。
2，不是有问题，是很麻烦。比如你想用PMOS控制300V的电压，你需要一个300的关断电压和300-Vgs的开启电压。还要保证开关速度。你想想看。
当然，十几二十几的电压就很简单啦。。 PMOS、NMOS都是开关器件，相同价格下PMOS性能会差一些，工艺等特性决定的。
PMOS可以直接下拉来驱动，对于桥电压12-24之间的PMOS来说低电平就可以直接驱动。
对于NMOS必须要驱动电压比S极高12V，为了产生这个驱动电源就要用到自举取电并使用浮驱来驱动它，一般需要用专用驱动芯片安全省事。但是自举供电有点儿缺点就是靠对应下臂的NMOS开通才能对自举电容充电，所以高端MOS必须有关断时间也就是说占空比不能到100%，要不然高端没电就没有驱动了。
自举以及浮驱原理你随便找一款半桥驱动芯片看电路就知道了，当然如果你能产生一组隔离的12V电压来为高端NMOS驱动供电的话，到100%也可以。
用过光耦开关低压的，高压的P-nmos桥开关光耦有什么问题？应该用哪种方法 mark，，， 怎么看不到资料呢？
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