DOER 发表于 2014-3-13 09:15:22

请教超低泄漏输入FET的选型

大家好！想测试压电陶瓷输出的电荷数，FET管选型遇到了问题：常温下放大一切正常，当环境温度升高，发现FET管漏电流会变大，输入的电荷没有了，然后就没有然后了！
找遍了各大IC网站也没有发现合适的器件，请问有推荐的型号吗？

DOER 发表于 2014-3-13 09:32:57

坛子里的大师们去哪里了？现身吧！

ALLDO 发表于 2014-3-13 10:23:21

如果你真想做，还是用运放吧，或者采用两个fet抵消ib。可以参阅电荷放大器相关的资料。

haihuawu 发表于 2014-3-13 10:58:18

fet温度每升高20度，漏电增加一倍。大概就是这么个规律，躲不掉的。运放也是这样。还是控制一下温度比较好。

DOER 发表于 2014-3-13 12:23:53

原先就是用运放做的，发现低频噪声比较大。想换成分立的，期望降低噪声。

3DA502 发表于 2014-3-13 12:33:26

本帖最后由 3DA502 于 2014-3-13 12:35 编辑

随便一个MOS运放就够用MCP6001

DOER 发表于 2014-3-13 12:54:57

3DA502 发表于 2014-3-13 12:33
随便一个MOS运放就够用MCP6001

不会吧？我用的都是fA级的运放才做出来！现在对低频噪声不满意，所以打算换方案，呵呵

spacefram 发表于 2014-3-13 13:11:29

器件上没办法的话可以试试用冷却的办法。

3DA502 发表于 2014-3-13 13:40:24

搞错了 LMC60012fA   不过低频输入噪音就是比较大
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