LPC1788外扩两片SDRAM，测试通不过，会是什么原因导致的？ (amobbs.com 阿莫电子技术论坛) -

shandian 发表于 2014-2-9 23:38:14

LPC1788外扩两片SDRAM，测试通不过，会是什么原因导致的？

本帖最后由 shandian 于 2014-2-9 23:42 编辑

硬件为LPC1788外扩两片K4S561632E-TC75，组成32bit位宽512Mbit的内存。可是数据读写测试总是通不过，每次校验的时候总会有一小段数据为0，而不等于写入的数据。而且每次运行错误的位置都是不同的。
如果只使用其中1片SDRAM，程序改为16bit位宽的话，可以顺利通过内存测试。

使用两片SDRAM芯片的时候每次出错地址都不同，而且我有两块板子，存在的问题都一样，所以我觉得应该不是硬件的问题（布线的时候SDRAM倒是没有做等长处理，但是我觉得才60MHz，不等长应该也没问题）。
不知道有没有人遇到过相同的问题？

以下是我的原理图和SDRAM控制器的初始化代码？大家帮我看看有没问题。
接线：

初始化代码：
SDRAM.h
#define SDRAM_BASE_ADDR 0xA0000000
#define SDRAM_SIZE          0x04000000 /* 64M */

#define SDRAM_REFRESH       7813    // 'tREFRESH = 64ms/8192'
#define SDRAM_TRP          20    // 'tRP = 20ns'
#define SDRAM_TRAS          45    // 'tRAS = 45ns'
#define SDRAM_TAPR          1    // 'tAPR = 1CLK
#define SDRAM_TDAL          3    // 'tDAL = 2CLK + tRP'
#define SDRAM_TWR          3    // 'tWR = 2CLK'
#define SDRAM_TRC          65    // 'tRC = 65'
#define SDRAM_TRFC          66    // 'tRFC = 65'
#define SDRAM_TXSR          67    // 'tXSR = 1CLK'
#define SDRAM_TRRD          15    // 'tRRD = 15'
#define SDRAM_TMRD          3    // 'tMRD = 2CLK'

SDRAM.c
void SDRAM_Init( void )
{
volatile uint32_t i;
volatile unsigned long Dummy;

// PINSEL_ConfigPin(2,14,1);    /* P2.14 - /EMC_CS2 */
// PINSEL_ConfigPin(2,15,1);    /* P2.15 - /EMC_CS3 */
PINSEL_ConfigPin(2,16,1);    /* P2.16 - /EMC_CAS */
PINSEL_ConfigPin(2,17,1);    /* P2.17 - /EMC_RAS */
PINSEL_ConfigPin(2,18,1);    /* P2.18 - EMC_CLK */
// PINSEL_ConfigPin(2,19,1);    /* P2.19 - EMC_CLK */
PINSEL_ConfigPin(2,20,1);    /* P2.20 - EMC_DYCS0 */
// PINSEL_ConfigPin(2,21,1);    /* P2.21 - EMC_DYCS1 */
//PINSEL_ConfigPin(2,22,1);    /* P2.22 - EMC_DYCS2 */
// PINSEL_ConfigPin(2,23,1);    /* P2.23 - EMC_DYCS3 */
PINSEL_ConfigPin(2,24,1);    /* P2.24 - EMC_CKE0 */
// PINSEL_ConfigPin(2,25,1);    /* P2.25 - EMC_CKE1 */
// PINSEL_ConfigPin(2,26,1);    /* P2.26 - EMC_CKE2 */
// PINSEL_ConfigPin(2,27,1);    /* P2.27 - EMC_CKE3 */
PINSEL_ConfigPin(2,28,1);    /* P2.28 - EMC_DQM0 */
PINSEL_ConfigPin(2,29,1);    /* P2.29 - EMC_DQM1 */
PINSEL_ConfigPin(2,30,1);    /* P2.30 - EMC_DQM2 */
PINSEL_ConfigPin(2,31,1);    /* P2.31 - EMC_DQM3 */

// PINSEL_ConfigPin(4,24,1);    /* P4.24 - /EMC_OE */
PINSEL_ConfigPin(4,25,1);    /* P4.25 - /EMC_WE */
// PINSEL_ConfigPin(4,30,1);    /* P4.30 - /EMC_CS0 */
// PINSEL_ConfigPin(4,31,1);    /* P4.31 - /EMC_CS1 */

for(i = 0; i < 32; i++)
{
PINSEL_ConfigPin(3,i,1); /* P3.0-P3.31 - EMC_D */
}

for(i = 0; i < 15; i++)
{
PINSEL_ConfigPin(4,i,1); /* P4.0-P4.14 - EMC_A */
}

// EMC_Init();
// Init SDRAM controller
LPC_SC->PCONP    |= 0x00000800;
/*Init SDRAM controller*/
LPC_SC->EMCDLYCTL |= (8<<0);
/*Set data read delay*/
LPC_SC->EMCDLYCTL |=(8<<8);
LPC_SC->EMCDLYCTL |= (0x08 <<16);

LPC_EMC->Control =1;
LPC_EMC->DynamicReadConfig = 1;
LPC_EMC->DynamicRasCas0 = 0;
LPC_EMC->DynamicRasCas0 |=(3<<8);
LPC_EMC->DynamicRasCas0 |= (3<<0);
LPC_EMC->DynamicRP = P2C(SDRAM_TRP);
LPC_EMC->DynamicRAS = P2C(SDRAM_TRAS);
LPC_EMC->DynamicSREX = P2C(SDRAM_TXSR);
LPC_EMC->DynamicAPR = SDRAM_TAPR;
LPC_EMC->DynamicDAL = SDRAM_TDAL+P2C(SDRAM_TRP);
LPC_EMC->DynamicWR = SDRAM_TWR;
LPC_EMC->DynamicRC = P2C(SDRAM_TRC);
LPC_EMC->DynamicRFC = P2C(SDRAM_TRFC);
LPC_EMC->DynamicXSR = P2C(SDRAM_TXSR);
LPC_EMC->DynamicRRD = P2C(SDRAM_TRRD);
LPC_EMC->DynamicMRD = SDRAM_TMRD;

// 13 row, 9 - col, SDRAM
LPC_EMC->DynamicConfig0 = 0x0004680;
// JEDEC General SDRAM Initialization Sequence
// DELAY to allow power and clocks to stabilize ~100 us
// NOP
LPC_EMC->DynamicControl = 0x0183;
for(i= 200*30; i;i--);
// PALL
LPC_EMC->DynamicControl = 0x0103;
LPC_EMC->DynamicRefresh = 2;
for(i= 256; i; --i); // > 128 clk
LPC_EMC->DynamicRefresh = P2C(SDRAM_REFRESH) >> 4;
// COMM

LPC_EMC->DynamicControl = 0x00000083; /* Issue MODE command */
Dummy = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x32<<13)));
// NORM
LPC_EMC->DynamicControl = 0x0000;
LPC_EMC->DynamicConfig0 |=(1<<19);
for(i = 100000; i;i--);
}

enovo2468 发表于 2014-2-10 08:15:42

120MHz可以用的，是不是电源有问题？退偶不好

size327948964 发表于 2014-2-10 09:07:11

两个参数不对
第一个 SDRAM的配置地方，16位 32位宽度不一样
第二个地方 16位 32位虚拟写也不一样
具体时间太长我忘了但是配置地方你要注意如果是低功耗位置位的话，这个 Base address + (mode register value << (bank bits + column bits + bus width/16) 是错误的，好像不应该加bank bits。也就是SDRAM的RBC和BRC的配置区别。
另外我使用的是lpcopen 那里面代码需要添加上面说的部分处理
我使用它的配置部分是这样的
#ifdefSDRAMBIT16
dwtemp = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x23<<(2+9+1))));
#else
dwtemp = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x22<<(2+9+2))));/* Mode Register Setting: 4 burst, 3 CAS latency */
#endif

nongxiaoming 发表于 2014-2-10 09:23:16

如楼上所说，32bit和16bit配置是有区别的，不是简单的配置引脚配置容量大小。

shandian 发表于 2014-2-10 10:44:14

size327948964 发表于 2014-2-10 09:07
两个参数不对
第一个 SDRAM的配置地方，16位 32位宽度不一样
第二个地方 16位 32位虚拟写也不一样

关于第一点，我在配置LPC_EMC->DynamicConfig0的时候不一样的，在使用16位的时候和32位的时候这个配置不一样的。

第二点我再好好研究下吧，说实话SDRAM的时序太麻烦了，很多时间参数什么的代表什么意思，以及LPC1788 SDRAM控制器很多寄存器的作用等等我都没怎么仔细去看。我再好好研究下手册看。

shandian 发表于 2014-2-10 10:46:36

nongxiaoming 发表于 2014-2-10 09:23
如楼上所说，32bit和16bit配置是有区别的，不是简单的配置引脚配置容量大小。 ...

恩，好。不知道晓明兄这有没有现成的32bit的初始化代码。有的话可以让我参考一下吗？

size327948964 发表于 2014-2-10 11:33:28

有是有但是我用的是库直接寄存器操作的找不到了
下面使用了库采用RBC配置方式片子是hy57v2562
config.ChipSize = 256;
#ifdefSDRAMBIT16
config.AddrBusWidth = 16;
#else
config.AddrBusWidth = 32;
#endif
config.AddrMap = EMC_ADD_MAP_ROW_BANK_COL;
config.CSn = 0;
config.DataWidth = 16;
config.TotalSize = SDRAM_SIZE;

config.CASLatency= 3;
config.RASLatency= 3;
config.Active2ActivePeriod = EMC_NS2CLK(63); //Trc=63ns
config.ActiveBankLatency = EMC_NS2CLK(15); //Trrd=15ns
config.AutoRefrehPeriod = EMC_NS2CLK(65); //Trc=65ns
config.DataIn2ActiveTime = EMC_NS2CLK(20)+2;//Tdal=20ns+2CLK
config.DataOut2ActiveTime= 0xf; // 不懂找不到
config.WriteRecoveryTime = 2;             //Tdpl=2CLK
config.ExitSelfRefreshTime = 0x1f;//没有
config.LoadModeReg2Active= 2;             //Tmrd=2CLK
config.PrechargeCmdPeriod= EMC_NS2CLK(20); //Trp=20ns
config.ReadConfig = 1;/* Command delayed strategy, using EMCCLKDELAY *///不懂
config.RefreshTime       = EMC_SDRAM_REFRESH(64); //64ms
config.Active2PreChargeTime= EMC_NS2CLK(42); //Tras=42ns
config.SeftRefreshExitTime = 1;//EMC_NS2CLK(70);; //Tsre=1ClK+Trc
DynMem_Init(&config);

EMC_DynCtrlSDRAMInit(EMC_DYNAMIC_CTRL_SDRAM_NOP); /* Issue NOP command */

TIM_Waitms(100);    /* wait 200ms */
EMC_DynCtrlSDRAMInit(EMC_DYNAMIC_CTRL_SDRAM_PALL); /* Issue Pre-charge command */

for(i = 0; i < 0x80; i++);          /* wait 128 AHB clock cycles */

TIM_Waitms(100);
EMC_DynCtrlSDRAMInit(EMC_DYNAMIC_CTRL_SDRAM_MODE); /* Issue MODE command */

#ifdefSDRAMBIT16
dwtemp = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x33<<(2+9+1))));
#else
dwtemp = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x32<<(2+9+2))));/* Mode Register Setting: 4 burst, 3 CAS latency */
#endif

shandian 发表于 2014-2-10 12:17:22

size327948964 发表于 2014-2-10 11:33
有是有但是我用的是库直接寄存器操作的找不到了
下面使用了库采用RBC配置方式片子是hy57v2562
config. ...

恩，非常感谢。我试一下看。

nongxiaoming 发表于 2014-2-10 14:24:32

shandian 发表于 2014-2-10 10:46
恩，好。不知道晓明兄这有没有现成的32bit的初始化代码。有的话可以让我参考一下吗？ ...

看我以前分享的代码，在sdram.h中有个宏，改一下就可以16bit 32bit切换了

shandian 发表于 2014-2-10 15:44:47

nongxiaoming 发表于 2014-2-10 14:24
看我以前分享的代码，在sdram.h中有个宏，改一下就可以16bit 32bit切换了

恩，好。谢谢！

long_stay 发表于 2014-2-12 11:49:48

本帖最后由 long_stay 于 2014-2-12 11:58 编辑

nongxiaoming 发表于 2014-2-10 14:24
看我以前分享的代码，在sdram.h中有个宏，改一下就可以16bit 32bit切换了

请问使用两个16BIT合并成32BIT通道的DRAM的时

将DYCS接在同样的位置上

在改写SDRAM的初始程序就可以了吗

因为手册上DYCS0只支援到的256Mbit的样子
==================================
我看错了他是写 dynamic memory
chip selects cover a range of 256 megabytes each

是mbQQ

所以修改SDRAM的初始程序为32BIT就可行了吗

shandian 发表于 2014-2-12 12:13:50

nongxiaoming 发表于 2014-2-10 14:24
看我以前分享的代码，在sdram.h中有个宏，改一下就可以16bit 32bit切换了

我对比了一下你的初始化代码和我的代码，初始化方法都一样的。
于是我用官方库里面两片K4S561632E的例程，测试OK。就把例程的初始化函数拷进我的程序里，测试还是和原来一样，校验的时候在不固定的地址会出错。
最后实在没办法了，把我程序其他代码复制进官方的SDRAM工程里面了。现在每次测试都正常了。只是还清楚到底是什么原因引起的校验出错。我自己建立的那个工程，编译器的设置什么的我都检查过了，没发现问题。先不管了，继续弄下去算了。

nongxiaoming 发表于 2014-2-12 13:55:25

shandian 发表于 2014-2-12 12:13
我对比了一下你的初始化代码和我的代码，初始化方法都一样的。
于是我用官方库里面两片K4S561632E的例程 ...

可能是你的时钟配置不一样，官方库好像是配的96Mhz主频，EMC跑主频的一半

爺@龙行天下 发表于 2014-4-15 09:12:21

可能你的硬件短接了

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