分立原件做的H桥,电流好小啊,200MA。。。
本帖最后由 FSL_TICS_ZJJ 于 2014-1-28 11:43 编辑自己试着做了一个H桥,用的1.5V*4的电源(4个5号电池),电路图如下:
用万用表测量电流好小,才200MA,有什么办法能提高效率吗?请指教,我是个新手,都是自学的,希望能多指点。 电机是130,减速轴输出的。
三极管压降对于电池供电来说还是比较大的,每臂0.5-1v,换成mos吧。另外驱动电流够么,电机直接接电源时候电流测了么 把8050和8550的位置互换。 看来压降是好大,我还是考虑MOS吧,直接接电机上,电流170MA,我觉的压降还是太大了,我调整电阻也没什么用。到电机端子,才2V左右。 gzhuli 发表于 2014-1-22 22:01
把8050和8550的位置互换。
请问有什么关系吗 gzhuli 发表于 2014-1-22 22:01
把8050和8550的位置互换。
看他的图是没问题的。
不过三极管型号弄错了,
我记得8050是NPN的。。 本帖最后由 奮闘ing 于 2014-1-22 22:28 编辑
你要求多大呢?要做到几A吗?有点难 奮闘ing 发表于 2014-1-22 22:26
你要求多大呢?要做到几A吗?有点难
接上电机有170MA应该是最大的可能了,如果是MOS管的话。。。 lusson 发表于 2014-1-22 22:16
看他的图是没问题的。
不过三极管型号弄错了,
我记得8050是NPN的。。
哦,我只看了符号,没系看型号。
但是如果按图把8050/8550焊上去,CE会反了(记得8x50的引脚是EBC的,也就是正反焊都能工作),放大倍数非常小,估计这就是电流上不去的原因。 ypengfei 发表于 2014-1-22 22:05
请问有什么关系吗
你自己分析一下你的图,VCC -> Q4 E -> Q4 B -> Q3 B -> Q3 E -> GND,直接通过去了。
不过8050是NPN,8550才是PNP,你标反了,所以不知道你的实物是按哪个焊的。 ypengfei 发表于 2014-1-22 22:29
接上电机有170MA应该是最大的可能了,如果是MOS管的话。。。
MOS H桥驱动比较麻烦,要控制死区。 gzhuli 发表于 2014-1-22 22:33
你自己分析一下你的图,VCC -> Q4 E -> Q4 B -> Q3 B -> Q3 E -> GND,直接通过去了。
不过8050是NPN,85 ...
我实物就是按照图上标的。 本帖最后由 ypengfei 于 2014-1-23 07:52 编辑
gzhuli 发表于 2014-1-22 22:33
你自己分析一下你的图,VCC -> Q4 E -> Q4 B -> Q3 B -> Q3 E -> GND,直接通过去了。
不过8050是NPN,85 ...
这是仿真图,8050和8550的位置,有必要更换吗,如果要更换,是为什么呢?
模拟能有200MA左右,但是仿真对于电机的的压降没有完整仿真,加上电机,电流就60MA左右了。 ypengfei 发表于 2014-1-23 07:49
这是仿真图,8050和8550的位置,有必要更换吗,如果要更换,是为什么呢?
...
NPN和PNP反了,你这样不是工作在饱和状态,是在电流放大状态了,射随 lusson 发表于 2014-1-23 08:23
NPN和PNP反了,你这样不是工作在饱和状态,是在电流放大状态了,射随
多谢回复,三极管搞的好头晕啊,自己琢磨问题多多,回头把三极管换个位置试试。
NPN的三极管E级是发射极,PNP的发射极是C级对吗?
NPN是从C到E的电流流向,PNP是E到C的电流流向?所有三极管都是这样吗? NPN和PNP都是e发射级,c集电极,没有区别。
NPN和PNP的控制方法都是反的,你这样看就好了。 lusson 发表于 2014-1-23 08:42
NPN和PNP都是e发射级,c集电极,没有区别。
NPN和PNP的控制方法都是反的,你这样看就好了。 ...
那我应该把上边的8050的E级弄下来啊,箭头都冲下? ypengfei 发表于 2014-1-23 13:29
那我应该把上边的8050的E级弄下来啊,箭头都冲下?
这个。。。该怎么跟你解释呢。你还是看看三极管原理吧。
其实你第一张图已经对了啊。正是PNP接法也对,到地是NPN接法也对,就是你把PNP标成8050了。 lusson 发表于 2014-1-23 08:23
NPN和PNP反了,你这样不是工作在饱和状态,是在电流放大状态了,射随
射随是对的,三极管H桥一般为射随模式,ST最经典的L293D/L298N也是射随。
射随两个基极接在一起,自带1.4V死区,驱动最简单。如果做成饱和方式需要处理死区,还要做电平转换,IC还可以做一下,分立会搞死人的。 lusson 发表于 2014-1-23 13:43
这个。。。该怎么跟你解释呢。你还是看看三极管原理吧。
其实你第一张图已经对了啊。正是PNP接法也对,到 ...
唉,你别误导人了,上面PNP下面NPN的话VCC对GND就相当于被两个二极管短路了。
14楼的图才是对的,NPN=8050,PNP=8550就没错了。 gzhuli 发表于 2014-1-23 14:36
唉,你别误导人了,上面PNP下面NPN的话VCC对GND就相当于被两个二极管短路了。
14楼的图才是对的,NPN=805 ...
射随压降大吧?如果电流大的话三极管上功耗太大了吧?
的确没考虑死区问题。。。 lusson 发表于 2014-1-23 14:44
射随压降大吧?如果电流大的话三极管上功耗太大了吧?
的确没考虑死区问题。。。 ...
你可以去查一下L293D的参数,压降也是很大的。
MOSFET H桥死区更难处理,所以要么用MCU的带死区互补PWM(也就是每个管独立驱动),要么是IR2104之类自带死区的驱动,分立的死区处理大都不够可靠,高低温和元件老化参数一变就是炸管。 gzhuli 发表于 2014-1-23 14:52
你可以去查一下L293D的参数,压降也是很大的。
MOSFET H桥死区更难处理,所以要么用MCU的带死区互补PWM( ...
看了下,的确是。
本帖最后由 ypengfei 于 2014-1-23 15:25 编辑
我找了找资料,有如下说明,不知道为什么他要这么说。为什么PNP的要在上边,而NPN的要在下边。
lusson 发表于 2014-1-22 22:16
看他的图是没问题的。
不过三极管型号弄错了,
我记得8050是NPN的。。
没错,8050是NPN的,图纸标反了. FSL_TICS_TIANZH 发表于 2014-1-23 15:25
没错,8050是NPN的,图纸标反了.
我实际制作的上边就是放置的NPN的8050,下边两个是PNP的8550 ypengfei 发表于 2014-1-23 15:22
我找了找资料,有如下说明,不知道为什么他要这么说。为什么PNP的要在上边,而NPN的要在下边。
...
这个说明是什么道理,求解! 驱动电机用三极管不靠谱吧,MOS管搭H桥,前面加自举电路 youmu 发表于 2014-1-23 15:38
驱动电机用三极管不靠谱吧,MOS管搭H桥,前面加自举电路
我只是想学习这个电路设计,如果只是使用,买个IC就好了,想多学习学习。 ypengfei 发表于 2014-1-23 15:22
我找了找资料,有如下说明,不知道为什么他要这么说。为什么PNP的要在上边,而NPN的要在下边。
...
如果不考虑死区的话,当然是三极管工作在饱合状态压降小 用这个吧,好多玩具上都是这个图。
@gzhuli
L293不是射随 hbzxx 发表于 2014-1-23 15:54
用这个吧,好多玩具上都是这个图。
这个电路比较好,需要注意死区控制。 本帖最后由 racede 于 2014-1-24 00:05 编辑
贴个工作在饱和的 有死区控制 racede 发表于 2014-1-23 23:54
贴个工作在饱和的 有死区控制
楼上的,把你的贴全一点呀 如果你不是PWM,小电流,9110片子就行呀 ypengfei 发表于 2014-1-24 07:58
楼上的,把你的贴全一点呀
这还不够全? 另一半一样的 怎么 测电流?楼主 本帖最后由 ypengfei 于 2014-5-7 13:14 编辑
fangxiaoyan 发表于 2014-5-7 13:10
怎么 测电流?楼主
万用表测。。。。 fangxiaoyan 发表于 2014-5-7 13:10
怎么 测电流?楼主
万用表的电流档! 用L9110,简单又好用 分立原件做的H桥 三级管做的啊。。 找个贴讨论的内容值得细看 这是论坛中的一个H桥的电路你可以参考下 MOS管的。 http://www.amobbs.com/thread-1120867-1-1.html 虽然对H桥不熟悉,但是还是学到了好多知识 用mos管好点的
H方式的解法有好几种的,我记得一本什么书上比较齐全的 对H桥不熟悉,学到了好多知识 感觉桥上的三极管压降会占到1点多伏。是不是提高下供电电压会好些 用MOS管 sot23的mos管跑2、3A没问题
大的封装 几千瓦都妥妥的 高人,厉害,学习了
页:
[1]