分立原件做的H桥，电流好小啊，200MA。。。
本帖最后由 FSL_TICS_ZJJ 于 2014-1-28 11:43 编辑自己试着做了一个H桥，用的1.5V*4的电源（4个5号电池），电路图如下：
用万用表测量电流好小，才200MA，有什么办法能提高效率吗？请指教，我是个新手，都是自学的，希望能多指点。 电机是130，减速轴输出的。
三极管压降对于电池供电来说还是比较大的，每臂0.5-1v，换成mos吧。另外驱动电流够么，电机直接接电源时候电流测了么 把8050和8550的位置互换。 看来压降是好大，我还是考虑MOS吧，直接接电机上，电流170MA，我觉的压降还是太大了，我调整电阻也没什么用。到电机端子，才2V左右。 gzhuli 发表于 2014-1-22 22:01
把8050和8550的位置互换。
请问有什么关系吗 gzhuli 发表于 2014-1-22 22:01
把8050和8550的位置互换。
看他的图是没问题的。
不过三极管型号弄错了，
我记得8050是NPN的。。 本帖最后由 奮闘ing 于 2014-1-22 22:28 编辑
你要求多大呢？要做到几A吗？有点难 奮闘ing 发表于 2014-1-22 22:26
你要求多大呢？要做到几A吗？有点难
接上电机有170MA应该是最大的可能了，如果是MOS管的话。。。 lusson 发表于 2014-1-22 22:16
看他的图是没问题的。
不过三极管型号弄错了，
我记得8050是NPN的。。
哦，我只看了符号，没系看型号。
但是如果按图把8050/8550焊上去，CE会反了（记得8x50的引脚是EBC的，也就是正反焊都能工作），放大倍数非常小，估计这就是电流上不去的原因。 ypengfei 发表于 2014-1-22 22:05
请问有什么关系吗
你自己分析一下你的图，VCC -> Q4 E -> Q4 B -> Q3 B -> Q3 E -> GND，直接通过去了。
不过8050是NPN，8550才是PNP，你标反了，所以不知道你的实物是按哪个焊的。 ypengfei 发表于 2014-1-22 22:29
接上电机有170MA应该是最大的可能了，如果是MOS管的话。。。
MOS H桥驱动比较麻烦，要控制死区。 gzhuli 发表于 2014-1-22 22:33
你自己分析一下你的图，VCC -> Q4 E -> Q4 B -> Q3 B -> Q3 E -> GND，直接通过去了。
不过8050是NPN，85 ...
我实物就是按照图上标的。 本帖最后由 ypengfei 于 2014-1-23 07:52 编辑
gzhuli 发表于 2014-1-22 22:33
你自己分析一下你的图，VCC -> Q4 E -> Q4 B -> Q3 B -> Q3 E -> GND，直接通过去了。
不过8050是NPN，85 ...
这是仿真图，8050和8550的位置，有必要更换吗，如果要更换，是为什么呢？
模拟能有200MA左右，但是仿真对于电机的的压降没有完整仿真，加上电机，电流就60MA左右了。 ypengfei 发表于 2014-1-23 07:49
这是仿真图，8050和8550的位置，有必要更换吗，如果要更换，是为什么呢？
...
NPN和PNP反了，你这样不是工作在饱和状态，是在电流放大状态了，射随 lusson 发表于 2014-1-23 08:23
NPN和PNP反了，你这样不是工作在饱和状态，是在电流放大状态了，射随
多谢回复，三极管搞的好头晕啊，自己琢磨问题多多，回头把三极管换个位置试试。
NPN的三极管E级是发射极，PNP的发射极是C级对吗？
NPN是从C到E的电流流向，PNP是E到C的电流流向？所有三极管都是这样吗？ NPN和PNP都是e发射级,c集电极，没有区别。
NPN和PNP的控制方法都是反的，你这样看就好了。 lusson 发表于 2014-1-23 08:42
NPN和PNP都是e发射级,c集电极，没有区别。
NPN和PNP的控制方法都是反的，你这样看就好了。 ...
那我应该把上边的8050的E级弄下来啊，箭头都冲下？ ypengfei 发表于 2014-1-23 13:29
那我应该把上边的8050的E级弄下来啊，箭头都冲下？
这个。。。该怎么跟你解释呢。你还是看看三极管原理吧。
其实你第一张图已经对了啊。正是PNP接法也对，到地是NPN接法也对，就是你把PNP标成8050了。 lusson 发表于 2014-1-23 08:23
NPN和PNP反了，你这样不是工作在饱和状态，是在电流放大状态了，射随
射随是对的，三极管H桥一般为射随模式，ST最经典的L293D/L298N也是射随。
射随两个基极接在一起，自带1.4V死区，驱动最简单。如果做成饱和方式需要处理死区，还要做电平转换，IC还可以做一下，分立会搞死人的。 lusson 发表于 2014-1-23 13:43
这个。。。该怎么跟你解释呢。你还是看看三极管原理吧。
其实你第一张图已经对了啊。正是PNP接法也对，到 ...
唉，你别误导人了，上面PNP下面NPN的话VCC对GND就相当于被两个二极管短路了。
14楼的图才是对的，NPN=8050，PNP=8550就没错了。 gzhuli 发表于 2014-1-23 14:36
唉，你别误导人了，上面PNP下面NPN的话VCC对GND就相当于被两个二极管短路了。
14楼的图才是对的，NPN=805 ...
射随压降大吧？如果电流大的话三极管上功耗太大了吧？
的确没考虑死区问题。。。 lusson 发表于 2014-1-23 14:44
射随压降大吧？如果电流大的话三极管上功耗太大了吧？
的确没考虑死区问题。。。 ...
你可以去查一下L293D的参数，压降也是很大的。
MOSFET H桥死区更难处理，所以要么用MCU的带死区互补PWM（也就是每个管独立驱动），要么是IR2104之类自带死区的驱动，分立的死区处理大都不够可靠，高低温和元件老化参数一变就是炸管。 gzhuli 发表于 2014-1-23 14:52
你可以去查一下L293D的参数，压降也是很大的。
MOSFET H桥死区更难处理，所以要么用MCU的带死区互补PWM（ ...
看了下，的确是。
本帖最后由 ypengfei 于 2014-1-23 15:25 编辑
我找了找资料，有如下说明，不知道为什么他要这么说。为什么PNP的要在上边，而NPN的要在下边。
lusson 发表于 2014-1-22 22:16
看他的图是没问题的。
不过三极管型号弄错了，
我记得8050是NPN的。。
没错,8050是NPN的,图纸标反了. FSL_TICS_TIANZH 发表于 2014-1-23 15:25
没错,8050是NPN的,图纸标反了.
我实际制作的上边就是放置的NPN的8050，下边两个是PNP的8550 ypengfei 发表于 2014-1-23 15:22
我找了找资料，有如下说明，不知道为什么他要这么说。为什么PNP的要在上边，而NPN的要在下边。
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这个说明是什么道理，求解！ 驱动电机用三极管不靠谱吧，MOS管搭H桥，前面加自举电路 youmu 发表于 2014-1-23 15:38
驱动电机用三极管不靠谱吧，MOS管搭H桥，前面加自举电路
我只是想学习这个电路设计，如果只是使用，买个IC就好了，想多学习学习。 ypengfei 发表于 2014-1-23 15:22
我找了找资料，有如下说明，不知道为什么他要这么说。为什么PNP的要在上边，而NPN的要在下边。
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如果不考虑死区的话，当然是三极管工作在饱合状态压降小 用这个吧，好多玩具上都是这个图。
@gzhuli
L293不是射随 hbzxx 发表于 2014-1-23 15:54
用这个吧，好多玩具上都是这个图。
这个电路比较好，需要注意死区控制。 本帖最后由 racede 于 2014-1-24 00:05 编辑
贴个工作在饱和的 有死区控制 racede 发表于 2014-1-23 23:54
贴个工作在饱和的 有死区控制
楼上的，把你的贴全一点呀 如果你不是PWM,小电流,9110片子就行呀 ypengfei 发表于 2014-1-24 07:58
楼上的，把你的贴全一点呀
这还不够全? 另一半一样的 怎么 测电流？楼主 本帖最后由 ypengfei 于 2014-5-7 13:14 编辑
fangxiaoyan 发表于 2014-5-7 13:10
怎么 测电流？楼主
万用表测。。。。 fangxiaoyan 发表于 2014-5-7 13:10
怎么 测电流？楼主
万用表的电流档！ 用L9110,简单又好用 分立原件做的H桥 三级管做的啊。。 找个贴讨论的内容值得细看 这是论坛中的一个H桥的电路你可以参考下 MOS管的。 http://www.amobbs.com/thread-1120867-1-1.html 虽然对H桥不熟悉，但是还是学到了好多知识 用mos管好点的
H方式的解法有好几种的，我记得一本什么书上比较齐全的 对H桥不熟悉，学到了好多知识 感觉桥上的三极管压降会占到1点多伏。是不是提高下供电电压会好些 用MOS管 sot23的mos管跑2、3A没问题
大的封装 几千瓦都妥妥的 高人，厉害，学习了
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