SDRAM刷新操作是否会关闭当前工作行(有效行)
看了很多SDRAM资料,都讲得不是很明白,心中这个疑问一直无法消除,请教一下\\SDRAM刷新操作是否会关闭当前工作行(有效行)
我知道SDRAM预充电操作会关闭当前工作行,需要重新发送命令激活新的工作行,为了提高数据吞吐量,没有使用自动预充电功能,而是需要的时候,手工插入充电命令,这样就有个疑问,因为每个工作行的最大数据保持时间为64ms,所以必须64ms间隔预充电一次当前工作行,同时还有个刷新需求,需要每隔64ms全部行刷新一遍,如果是4096行的话就是要64000/4096~~ 15us间隔执行刷新命令
现在的疑问是:如果15us到了,执行了刷新操作,那么原来打开着的工作行会失效吗?因为我打开的工作行最长时间可以到64ms手工充电???
我知道刷新操作是有个sdram内部行计数器来递增实现的,如果内部行计数器刚刚与我当前工作行一样的话,那么执行了刷新操作是不是会把握当前工作行关闭掉?
不知道我表达的够不够清楚,........ 刷新之前必须先执行预充电操作关闭所有BANK的当前已激活的全部行（A10=1），而且要等待tRP时间才能发出AUTO REFERESH命令。
15us是平均间隔，最低要求是每个64ms之内完成4096个自刷新命令，你可以每隔15us一次，也可以连续发送4096次，还可以在读写的空余时间来做，只要保证在任意的64ms之内至少发出了4096个自刷新命令。
自刷新命令也有tRFC间隔的要求，具体怎样刷新最好取决于你的应用。
有一种情况甚至不需要自刷新，比如说驱动LCD，用SDRAM做帧缓存，当帧率达到20fps以上的时候，缓存空间所有的单元至少在50ms之内全部读了一遍，这种情况下是不需要执行自刷新的。 Nuker 发表于 2013-12-7 14:32
刷新之前必须先执行预充电操作关闭所有BANK的当前已激活的全部行（A10=1），而且要等待tRP时间才能发出AUTO ...
谢谢您的回复,你是说每隔15us执行一次刷新都必须之前执行一次 预充电ALL命令吗??
我看到网上很多的例子,并没有执行预充电命令啊,比如特权同学的,是不是因为他把预充电命令设置为自动执行了??????????
本来以为可以手动执行刷新命令提高数据吞吐量,因为可以不关闭当前工作行,可是还是得15us间隔关闭一次当前工作行
就算不15us间隔关闭当前行,也必须64ms关闭,而且需要关闭的时间要4096个刷新等待时间....................好长啊 学习了。谢谢分享 本帖最后由 Nuker 于 2013-12-7 15:35 编辑
oceanheart 发表于 2013-12-7 14:43
谢谢您的回复,你是说每隔15us执行一次刷新都必须之前执行一次 预充电ALL命令吗??
我看到网上很多的例子, ...
Datasheet上面讲的很清楚，没有单独执行PRECHARGE命令的最大可能就是读/写命令中通过A10设置为读写完成以后执行AUTO PRECHARGE，这样读写周期就会加长。 我也来学习一下，帮顶。
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