laoshuhunya 发表于 2013-11-7 16:50:36

kinetis K系列的内核工作电压是多少？

STM32的片子供电电压为2～3.6V，片内有LDO降到1.8V（或1.5V）给内核供电，kinetis K系列是不是片内也有LDO？其内核工作电压是多少？没看到资料说明，难道内核工作电压就是1.71～3.6V？

laoshuhunya 发表于 2013-11-7 17:47:27

请万能的FAE确认下，如果内核工作电压真是1.71～3.6V，那kinetis我就跟定了。

huangqi412 发表于 2013-11-7 19:49:57

为啥对内核电压这么敏感？

laoshuhunya 发表于 2013-11-7 20:55:37

huangqi412 发表于 2013-11-7 19:49
为啥对内核电压这么敏感？

目前还没有哪一款基于ARM的MCU内核是设计成宽电压的，如果FSL真是这么做的，老衲自然对他肃然起敬。
从kinetis的GPIO memory map我看到kinetis比STM32做得更专业。

huangqi412 发表于 2013-11-8 09:38:54

laoshuhunya 发表于 2013-11-7 20:55 static/image/common/back.gif
目前还没有哪一款基于ARM的MCU内核是设计成宽电压的，如果FSL真是这么做的，老衲自然对他肃然起敬。
从ki ...

内核电压对你的应用有神马影响？

FSL_TICS_MAHUI 发表于 2013-11-8 09:47:46

内核工作电压是1.71V~3.6V， 内核电同样来自VDD管脚。

laoshuhunya 发表于 2013-11-8 10:17:09

huangqi412 发表于 2013-11-8 09:38 static/image/common/back.gif
内核电压对你的应用有神马影响？

纯属个人癖好。
一般而言，宽电压工作的器件在片内硬件电路设计上有更大的容差，相对来说抗噪性会更好些。我用了30年MCU，能感觉到这一点。比如AVR，其工作电压1.8～5.5V，没有使用内部LDO，内核就是宽电压工作的，其抗干扰能力强跟这无不关系。
kinetis针对工业控制应用，我看到FSL在这方面是用心了。比如使用较低频率的内部4MHz RC振荡器，复位状态I/O口保持浮空。。。等等细节

laoshuhunya 发表于 2013-11-8 10:49:50

FSL_TICS_MAHUI 发表于 2013-11-8 09:47 static/image/common/back.gif
内核工作电压是1.71V~3.6V， 内核电同样来自VDD管脚。

确定？看Datasheet，似乎是这样的。{:smile:}

661球 发表于 2013-11-8 15:02:37

这个貌似就是宽电压的吧{:lol:}

orson 发表于 2013-11-8 19:51:56

感觉这个不错，infineon的是1.3V,这个一直在用，我知道！

jinyi7016 发表于 2015-2-25 14:50:20

又不是DSP，内核电压对MCU什么意思
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