fflynn77 发表于 2013-8-10 21:29:16

同步升压MOS管如何选

      最近在做一个同步升降压电源,主拓扑图就是用四个N-MOS搭的H桥。试验发现输出级N-MOS管不能正向接是因为内部的寄生二级管是从S到D所以导致不能升压,试着将MOS管DS反接可以升压了。问题是这样接了之后输出滤波电容一加上就会影响PWM的波形,导致BOOST电路上下MOS管共态导通,下管很烫。请问这个是MOS管DS反接引起的吗?(很多资料上面说N-MOS管不能DS反正用)如果用N-MOS应该怎么解决?(BOOST上管换成二极管是正常的)。

wxlcj 发表于 2013-8-10 22:51:48

我用的是TPCA8016-H

wxlcj 发表于 2013-8-10 22:54:45

我看了一下两个管子的PDF,结构有点不一样,具体理论我也没有看明白。
我做的可以带动150W的负载。

fflynn77 发表于 2013-8-10 22:58:57

wxlcj 发表于 2013-8-10 22:51 static/image/common/back.gif
我用的是TPCA8016-H

输出正向接可以升压吗?我看了这个MOS管也有那个保护二级管的,升上去的电压会顺着这个二极管流过来。(这样分析对吗?)另外这个GS有保护的应该不能反着接,我用的IRFH6200。

wxlcj 发表于 2013-8-10 23:02:30

这个你的问题我真回答不了了。因为以前很久做的,用芯片LTC3780,好几年了。具体的要你自己分析了。

fflynn77 发表于 2013-8-10 23:06:16

wxlcj 发表于 2013-8-10 23:02 static/image/common/back.gif
这个你的问题我真回答不了了。因为以前很久做的,用芯片LTC3780,好几年了。具体的要你自己分析了。 ...

嗯嗯,好的。谢谢啊,我自己再分析一下...

eleqian 发表于 2013-8-11 00:22:29

Q4的S、D的确要反过来,我正在做的用IR2111驱动mos管没出现问题

fflynn77 发表于 2013-8-11 02:00:01

eleqian 发表于 2013-8-11 00:22 static/image/common/back.gif
Q4的S、D的确要反过来,我正在做的用IR2111驱动mos管没出现问题

我用的是分立元件搭的驱动,电源输入3.6V,MOS管驱动芯片供电电压都很高没找到合适的所以没用。有没有适合于低开启电压的MOS管的驱动芯片?

eleqian 发表于 2013-8-11 09:17:35

fflynn77 发表于 2013-8-11 02:00 static/image/common/back.gif
我用的是分立元件搭的驱动,电源输入3.6V,MOS管驱动芯片供电电压都很高没找到合适的所以没用。有没有适 ...

我也试过搭分立元件驱动,但Vgs波形不好,不然就是静态电流偏大。你现在的问题是两个管同时导通了?不知道是不是驱动电路问题。没找过低压的mos管,看数据手册一般6V已经能比较好的导通了,3.6V加个电荷泵能驱动。

fflynn77 发表于 2013-8-11 14:15:57

eleqian 发表于 2013-8-11 09:17 static/image/common/back.gif
我也试过搭分立元件驱动,但Vgs波形不好,不然就是静态电流偏大。你现在的问题是两个管同时导通了?不知 ...

是驱动电路的供电问题,现在下管用电荷泵出来的电压供电上下管波形都很好。波形没有相移,也就不存在共态导通了,粗测了一下效率93%左右。

eleqian 发表于 2013-8-11 14:35:16

fflynn77 发表于 2013-8-11 14:15 static/image/common/back.gif
是驱动电路的供电问题,现在下管用电荷泵出来的电压供电上下管波形都很好。波形没有相移,也就不存在共态 ...

这个效率包含了控制和驱动部分消耗的?那可真不错了

563273890 发表于 2013-8-11 15:30:03

Q2Q3 都不需要驱动芯片    PWM波就能驱动   
Q1Q4我们每次都用IR2103驱动的

fflynn77 发表于 2013-8-11 22:48:00

563273890 发表于 2013-8-11 15:30 static/image/common/back.gif
Q2Q3 都不需要驱动芯片    PWM波就能驱动   
Q1Q4我们每次都用IR2103驱动的

用驱动芯片占空比可以达到100%吗?都是需要自举才能升上去的....

563273890 发表于 2013-8-12 16:35:45

fflynn77 发表于 2013-8-11 22:48 static/image/common/back.gif
用驱动芯片占空比可以达到100%吗?都是需要自举才能升上去的....

固定的百分之百没试过,但是你分析哈占空比是1的话对DC电路来说那是无穷大,无穷的小的状态   电路无法承受    所以百分之百实际中不会让你设计出现的
都要加自举电容的   

sxl_yulin_001 发表于 2013-8-13 18:46:51

明显是驱动问题,Q1和Q4的驱动需要自举电路

fflynn77 发表于 2013-8-14 12:19:33

sxl_yulin_001 发表于 2013-8-13 18:46 static/image/common/back.gif
明显是驱动问题,Q1和Q4的驱动需要自举电路

驱动电路没发,用的是电荷泵升压.....

xuxiaomiao 发表于 2013-8-30 15:58:15

四个管的升降压,一般不会同时用N管。下图供你参考。


按顺序,从上到下,从左到右。 分别为Q1,Q2,Q3,Q4
升压Q1导通,Q2截止,Q3,Q4作为同步升压。
降压则Q1,Q2正常工作作为降压,Q3截止,Q4导通。

燕尾飞雪飘零 发表于 2013-9-1 16:41:03

我记得便宜点的MOS里面是没有二极管的,说不定你可以去试试

ali1019 发表于 2013-9-1 16:47:59

xuxiaomiao 发表于 2013-8-30 15:58 static/image/common/back.gif
四个管的升降压,一般不会同时用N管。下图供你参考。




請問可以告知這顆IC編號嗎? 謝謝!

fflynn77 发表于 2013-9-1 21:47:07

燕尾飞雪飘零 发表于 2013-9-1 16:41 static/image/common/back.gif
我记得便宜点的MOS里面是没有二极管的,说不定你可以去试试

现在的MOS管都有,其实有没有寄生二极管并不影响的,栅极保护稳压管反着用会有问题。

fflynn77 发表于 2013-9-1 21:53:35

xuxiaomiao 发表于 2013-8-30 15:58 static/image/common/back.gif
四个管的升降压,一般不会同时用N管。下图供你参考。




没有啊,很多IC都用的四个NMOS。用NMOS肯定是比PMOS好的,至少在效率上是有优势的,而且NMOS和PMOS不好匹配。

fflynn77 发表于 2013-9-1 21:55:47

ali1019 发表于 2013-9-1 16:47 static/image/common/back.gif
請問可以告知這顆IC編號嗎? 謝謝!

凌特公司有很多的,你可以去官网上找找看。楼上有提到LTC3780也不错的。

燕尾飞雪飘零 发表于 2013-9-2 10:03:00

fflynn77 发表于 2013-9-1 21:47 static/image/common/back.gif
现在的MOS管都有,其实有没有寄生二极管并不影响的,栅极保护稳压管反着用会有问题。 ...

会不会是你画PCB的时候桥臂不够粗~~我画的时候是桥臂的导线是很粗的

fflynn77 发表于 2013-9-2 11:12:05

燕尾飞雪飘零 发表于 2013-9-2 10:03 static/image/common/back.gif
会不会是你画PCB的时候桥臂不够粗~~我画的时候是桥臂的导线是很粗的

桥臂的线粗会有什么影响呢?
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