SDRAM读写速率
最近在写ADC采集程序，将ADC采集的数据存储至SDRAM中去，参考黑金的SDRAM程序写的。我使用的ADC是20Msps的，所以每个数据是50ns的占留时间。SDRAM使用的是100MHZ，这个是SDRAM的操作时钟频率，但是不知道读写一个数据SDRAM要花多少个时钟呢？？应该这个就是SDRAM的读写速率吧。
我用modlesim做了一下仿真，使用的是黑金的程序，如图所示。从isRead有效到Done_Signal有效，读一个数据完毕，所花的时间是110ns.感觉时间太长了，这里面包含了发送行列地址，读操作等指令。。不知道我这个测量的方式是否正确？？
我想这个问题应该蛮多人想知道吧，这数据采集里面，就是怕ADC采集速率和存储速率匹配不上，导致数据丢失的情况，希望知道的可以讲讲里面的知识。 {:sweat:}怎么没有人回复呢？？哎
LZ你想多了吧，AD采样数据110ns存一个，用不着吧，一秒都快 这个情况需要用位宽换取速度，SDRAM使用16位宽或32位宽的可以满足要求，SDRAM随机读写速度很慢 随机读写是sdram的软肋 FIFO搞到SDRAM1页深度时突发一次写,100MHz时钟,大约6us左右512个地址 NJ8888 发表于 2013-7-30 16:18 static/image/common/back.gif
FIFO搞到SDRAM1页深度时突发一次写,100MHz时钟,大约6us左右512个地址
O(∩_∩)O哈哈~，你这个方法非常的好，很有远见。{:handshake:}
你有verilogSDRAM猝发读写的程序不？？希望可以参考一下，谢谢。 skycomm 发表于 2013-7-30 16:13 static/image/common/back.gif
随机读写是sdram的软肋
对呀，我也这么觉得，所有感觉好迷糊看到随机读写要花好多时间在配置操作指令，配置地址等操作上面。 eaglelpx 发表于 2013-7-30 15:57 static/image/common/back.gif
LZ你想多了吧，AD采样数据110ns存一个，用不着吧，一秒都快
我采用的双通道的ADC，采样率是20MSPS的，而且A、B数据口复用到一个输出口了，所有时钟上升沿输出A口数据，下降沿输出B口数据，所有最后数据率更快了40MSPS了。 Julius20110 发表于 2013-7-30 22:02 static/image/common/back.gif
O(∩_∩)O哈哈~，你这个方法非常的好，很有远见。
你有verilogSDRAM猝发读写的程序不？ ...
本坛我发过VHDL突发写的 NJ8888 发表于 2013-7-30 22:10 static/image/common/back.gif
本坛我发过VHDL突发写的
学习了，我也试试 你这样只是单字节读写，速度很慢的，你这样没有把数据刷新算上去 弃风的云 发表于 2013-8-1 13:26 static/image/common/back.gif
你这样只是单字节读写，速度很慢的，你这样没有把数据刷新算上去
O(∩_∩)O哈哈~对每次，我今天看了下。 NJ8888 发表于 2013-7-30 16:18 static/image/common/back.gif
FIFO搞到SDRAM1页深度时突发一次写,100MHz时钟,大约6us左右512个地址
今天我算了一下，如果是按页写的话，时钟100MHz,貌似写一页不要6us吧！！不知道是不是我算错了。
tRCD = 20ns，一页256个数据 就是用了256个时钟就可以写完了 ，所有是256*10ns=2560ns 加上写回的时间tWR = 15ns ，算成tWR = 20ns .这个里面没有算进去自刷新的时间。
所有总共是20ns + 2560ns + 20ns =2600ns 左右。请问这个我算的是否有纰漏呢？？我刚看数据手册，可能有些没有注意到的。 Julius20110 发表于 2013-8-2 10:09 static/image/common/back.gif
今天我算了一下，如果是按页写的话，时钟100MHz,貌似写一页不要6us吧！！不知道是不是我算错了。
tRCD =...
我的芯片一页512 NJ8888 发表于 2013-8-2 12:12 static/image/common/back.gif
我的芯片一页512
哦，那就差不多6us了猝发一页的话。
我发现大虾对SDRAM好了解呀！我最近才看的SDRAM时序，导师安排我做FPGA控制ADC采集数据缓存入SDRAM里面，现在最主要的工作就是讲ADC的数据缓存入SDRAM里面去，书写SDRAM控制模块的程序。
感觉只有猝发读写，SDRAM的效率才能提高起来，不然single读写的话，好像效率好低。我理解猝读写下列3中情况。
1，猝发读写，长度=8，设置为自动充电，这样就每次的ACTIVE只能读写一次，下次读写就必须重新ACTIVE.
2，猝发读写，长度=8，设置手动充电，这样可以执行很多次brust 读和写操作，不用发送很多次ACTIVE如果在同一个ROW里面不同COL里面的话，如果在不同的ROW里面的话，还是要重新发送ACTIVE.这样连续brust读写的话，就不知道什么时候会遇到定时自动刷新了，比较难处理这个。
3，猝发页读写，这里也是不好处理什么时候遇到自动刷新，拍读写到页的某处，就遇到自动刷新了。
这个是我自己的理解，不知道哪里有纰漏，恳请指正一下。谢谢。 Julius20110 发表于 2013-8-2 13:40 static/image/common/back.gif
哦，那就差不多6us了猝发一页的话。
我发现大虾对SDRAM好了解呀！我最近才看的SDRAM时序，导师安排我做FP ...
我当时写的代码，用125M时钟，不到5us完成512*16深度的突发，其中包含了刷新，就是每一次突发后都有一次刷新，虽然有点浪费带宽，但是评估过系统需求是200BYTEs/s,那种设计已经够了，带来好处是状态机简单 mark 一下 NJ8888 发表于 2013-8-4 08:37 static/image/common/back.gif
我当时写的代码，用125M时钟，不到5us完成512*16深度的突发，其中包含了刷新，就是每一次突发后都有一次 ...
O(∩_∩)O哈哈~不错，你这种写法还是值得借鉴的。
我一直在纠结的是，就是突发读写的时候，定时刷新时刻到来了怎么办？？
因为定时刷新必须先关闭所有的active行，然后才开始刷新的，我想在突发读写BL=1，2，4，8.的时候应该不要紧，因为突发一次读写最多就是100多ns,在定时刷新的时候，定的时间可以稍微短100多ns.这样就考虑到了定时刷新了。但是在页突发读写的时刻就不行了，毕竟一次页突发时间好长，达到几us.所有感觉你那种办法可行，就是你自己所说的蛮占带宽的。
我的想法是在突发页读写的时候，就一直判断是否刷新时间到了，到了就执行BURST TERM命令，中断页操作，这是记录下来读的页长度；然后执行自动刷新。自刷新完毕之后再执行页操作，从中断开始的地方开始读写。 Julius20110 发表于 2013-8-4 15:46 static/image/common/back.gif
O(∩_∩)O哈哈~不错，你这种写法还是值得借鉴的。
我一直在纠结的是，就是突发读写的时候，定时刷新时刻 ...
没有必要按时刷的，只要你64ms把所有的都刷一遍就行，你可以集中刷 用的什么SDRAM芯片啊？ sunny_82 发表于 2013-8-4 20:14 static/image/common/back.gif
用的什么SDRAM芯片啊？
三星的，HY57V561620FTP-H的。 NJ8888 发表于 2013-8-4 16:34 static/image/common/back.gif
没有必要按时刷的，只要你64ms把所有的都刷一遍就行，你可以集中刷
不好意思，不是很懂你的意思。
集中刷是什么意思？怎么操作的呀！！技术手册上说的刷新是内部控制器产生地址的呀，不能自动控制吧。
定时自动刷，是不是每次就是刷一行呀？
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