IGBT电子开关
做IGBT的电子开关的目的1、主要是为了测试电源的ON/OFF情况，使IGBT工作在1ms的ON，4msOFF。
2、额定电流30A。额定电压600Vdc。
现考虑的技术方案：
1、接触器，由于时间问题而被抛弃。
2、固态继电器，同样的理由而放弃。
3、可控硅，由于关断时需要施加负电压，担心开关速度而放弃。
4、现在倾向于IGBT单管。
由于手头没有此方面的应该用，因此请大神给个指点。
谢谢！
本帖最后由 ywl0409 于 2013-7-5 17:27 编辑
直流电源还是交流电源？
电路要求有哪些 也想知道,守株待兔 直流电源
此共有10个IGBT电子开关，分别接入不同的负载。
要求PWM要同时发送，同时截止。
上位机有选择的开启10个电子开关的任意一个或多个。 IGBT 放在每个电源的低端测，不就可以了吗？ 本帖最后由 king_cd_126 于 2013-7-6 11:53 编辑
我把原理图画一下哦 king_cd_126 发表于 2013-7-6 11:20 static/image/common/back.gif
我把原理图画一下哦
IGBT要使用光耦驱动，隔离的信号，将会比较安全。 我想出来一个方案，等验证一下在和大家分享。
谢谢哥哥的指正！{:handshake:} 用IGBT，成本就上去咯。。 建议用N MOS并联，持续10A的NMOS还是有的，驱动芯片可选浮动栅极型高边驱动型，通常的IR21XX系列，可能不行，因为只能承受600V，仔细选选好了。综合考虑，应该是IGBT的方案更便宜 使用IGBT+驱动板的方法,再增加一块总开关控制板,就可以完美解决你的这个问题.
可联系我:vsuntek@QQ.com igbt和mosfet都可以搞定。 本帖最后由 kebaojun305 于 2013-7-10 21:41 编辑
额定值 30A600V还是IGBT好点。 就像6楼接法放在低端。 驱动什么的 都好做。 我现在使用的是6单元的IGBT模块，驱动准备使用57962或者841。
想用51做控制控制，不知是否可行 驱动控制用TLP250光藕不知道可不可以。 现在有一个问题是电流上升速度10A/us，目前我选用的无感电阻，有何解决方案呢？ guoshaojun 发表于 2013-7-10 10:28 static/image/common/back.gif
使用IGBT+驱动板的方法,再增加一块总开关控制板,就可以完美解决你的这个问题.
可联系我:vsuntek@QQ.com ...
谢谢你，这个问题不是很大，现在是电流上升速度的事情比较烦人，需要10A/us。目前我选用的是无感电阻器，不知老兄有何良策 咋没人呢{:sweat:} HYLG 发表于 2013-7-11 10:43 static/image/common/back.gif
驱动控制用TLP250光藕不知道可不可以。
恐怕不行吧，变频器中的IGBT都是有专用光耦（驱动电流比较大的）速度有要求还要负电压控制 晕死，我们为了让IGBT可靠关断，通常都是加了负电压的 tlp250加上40A以下的IGBT很简单的解决，最近也在做IGBT ，可以交流 要看负载特性，是不是软开关，否则散热要做得很大…… 其实驱动、IGBT不是问题，问题在于10A/us,在电阻负载中，电子负载中这个感觉均是不可能实现的，因为LxΔI=VxΔt。就是说你的电感量要控制在35uH，我实际的比对了一下原来制作的负载，即使是无感电阻，在这么大的功率下，电感量是非常大的，我原来做到2.3A/us。
本人理解，不知是否正确，还请高人指点迷经。
谢谢！ 谢谢大家的关注，此事请已经作罢。
主要原因为：在此电阻负载中，电阻的电感量无法控制在35uH内，因此达不到预期要求的10A/us。
目前的耗能型电子负载是可以的，据资料介绍可以做到50A/us，但是价格较高，约是电阻负载的7倍。
再此电路中，IGBT的电子开关是可以实现的。
如有讨论，来请指教。
谢谢！
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