wcg6268 发表于 2013-5-7 18:12:25

LGT内部EEPROM写的时间

我做LGT8F08A做了一个案子，是通过IO驱动LCD屏的，使用2MS刷新，由于某些参数需要保存，需要写入EEPROM,发现写EEPROM的时候LCD出现抖动的现象，经分析发现是写EEPROM的时间过长，具体多久不清楚，看资料大约需要1.8--20MS，有没有高手碰到这种情况，怎么解决？还是干脆没办法。

goodcode 发表于 2013-5-8 09:28:21

我测试的结果是写eeprom没准的, 可能有时候内部要擦除再写, 有时候可以直接写这些都是不可见的.

wx85105157 发表于 2013-5-8 10:47:20

主要是擦除的时候需要时间，先擦除，然后弄定时器再写就是了。

xwkm 发表于 2013-5-8 11:13:11

dataflash这个有内部的控制器的。因为擦除都是硬件完成占用了接口。所以时间没准的。
建议直接操作单片机的程序flash。然后弄点算法减少擦除的需要。这样就要好一点。

wcg6268 发表于 2013-5-8 14:23:54

谢谢以上各位，我慢慢摸索下,目前改板加24C02，后续不行就只能换单片机了

xwkm 发表于 2013-5-8 17:38:07

wcg6268 发表于 2013-5-8 14:23 static/image/common/back.gif
谢谢以上各位，我慢慢摸索下,目前改板加24C02，后续不行就只能换单片机了

没必要的，你完全可以划两页flash做数据存储用。我就不信你能把FLASH用满了。然后交替存储就行了。擦除操作的执行和写入动作稍微撇开一点。分步完成即可。
现在很建议LGT在内部做两块flash。这样的话就不会出现锁pc问题了。

wcg6268 发表于 2013-5-8 22:51:47

xwkm 发表于 2013-5-8 17:38 static/image/common/back.gif
没必要的，你完全可以划两页flash做数据存储用。我就不信你能把FLASH用满了。然后交替存储就行了。擦除操 ...

xwkm,写FLASH不用太多时间吗？我现在FLASH只有30多个字节，程序优化可能还能省点，省不了太多。

xwkm 发表于 2013-5-9 13:04:28

wcg6268 发表于 2013-5-8 22:51 static/image/common/back.gif
xwkm,写FLASH不用太多时间吗？我现在FLASH只有30多个字节，程序优化可能还能省点，省不了太多。 ...

写闪存不要多少时间。
顺带说下。如果flash里某个位是1。可以写成0。不用擦除。
如果是0得改成1就要擦除整个扇区。可以利用这点减少对闪存的操作。

logicgreen 发表于 2013-5-10 11:35:30

能否尽量避免经常写，先用SRAM保存，在系统退出（关机前在写在EEPROM）前保存在EEPROM。

foxpro2005 发表于 2013-5-10 17:47:57

本帖最后由 foxpro2005 于 2013-5-10 17:54 编辑

没必要在运行过程中保存， 采可用在掉电的时候保存内部参数...
在检测到掉电时，如果参数有修改，则就保存参数...，然后等待完全掉电关机...
这样还可以提高EEPROM的使用寿命....

wcg6268 发表于 2013-5-11 17:38:47

foxpro2005 发表于 2013-5-10 17:47 static/image/common/back.gif
没必要在运行过程中保存， 采可用在掉电的时候保存内部参数...
在检测到掉电时，如果参数有修改，则就保存 ...

掉电后MCU还能工作吗？

foxpro2005 发表于 2013-5-11 21:30:59

wcg6268 发表于 2013-5-11 17:38 static/image/common/back.gif
掉电后MCU还能工作吗？

在电路上是有做掉电检测电路的，当主电源被关掉时，MCU检测到掉电了，立即进入准备关机状态，保存相关数据到EEPROM。这是由于电路上有设计储能电路，在彻底断电前，能让MCU还可以维持工作一段时间20MS~100MS，足以让MCU保存数据。

sballbobo 发表于 2013-7-27 04:27:23

做个记号。我现在同样受这个问题困扰
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