驱动MOS为什么要用IR2103,IR2103自举升压是什么原理
对于全桥电路,直接接三极管控制MOS管的开关不久可以了吗,为什么要用IR2103,看了很多帖子,一直不知道自举电路是什么原理,求好心人解释解释 下管开通的时候,上管S级相当于0电位,VCC通过Boot二极管为高端电容充电;基于此原理一般高端驱动占空比不能为100%(低端管必须开通为高端充电),当然你加一组独立的隔离电源可以实现高端100%电压工作。 你还需要明白level shift的原理 看什么管子吧,最近用IRF3205做的H桥单纯用OC驱动发热量很大,频率上不去. zhiwei 发表于 2013-5-4 23:09 static/image/common/back.gif下管开通的时候,上管S级相当于0电位,VCC通过Boot二极管为高端电容充电;基于此原理一般高端驱动占空比不 ...
谢谢你的回答!!!!!你的意思是说高端管要打开就要时不时的打开低端管,那高端管驱动占空比什么范围内算是合适的呢 一般驱动的是半桥,上下管不可能同时打开。占空比由你的应用来定呀,一般低端有百分之几的占空比,高端就有电了。 笑笑我笑了 发表于 2013-5-4 23:38 static/image/common/back.gif
看什么管子吧,最近用IRF3205做的H桥单纯用OC驱动发热量很大,频率上不去.
OC驱动慢可能使PWM频率上不去,但发热量大是什么导致的呢?
我也在调lR2104+lRF3205,74HC00驱动逻辑,16K PWM,感觉3205发热量也很大,我还没测具体信号,有什么经验分享一下吧 小皮2005 发表于 2013-5-5 16:47 static/image/common/back.gif
OC驱动慢可能使PWM频率上不去,但发热量大是什么导致的呢?
我也在调lR2104+lRF3205,74HC00驱动逻辑,16 ...
我猜测是因为速度上不去导致门极波形太差,振荡,然后导致3205频繁开关导致的.最近打算试一下OC后面加一级射极跟随器,看看是否有改善. zhiwei 发表于 2013-5-4 23:09 static/image/common/back.gif
下管开通的时候,上管S级相当于0电位,VCC通过Boot二极管为高端电容充电;基于此原理一般高端驱动占空比不 ...
请问一下VB和HO是什么关系呢 VB接上管MOS的S极(即桥臂输出点),HO接G极。 本帖最后由 1109 于 2013-8-4 09:00 编辑
補上一張圖片,這樣分析起來直觀些。。。
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