谁能改一下这个电路，实现通过IO口控制输出的功能。
本帖最后由 椒盐时代 于 2013-2-5 13:44 编辑谁能把这个电路改一下，输入为BAT+ , 输出为 LOAD+ , 控制端口为 PA1 。
改为由PA1控制 LOAD+的输出，就是PA1置高，则LOAD+有电压电流输出，否则是无输出的。
左键点击图就放大了 IO口直接控制mos 不就行了么？ 咋整这么一大堆？ 哪方面的考虑？
电压不够的话，价格门电路，或者三极管就行了呗？ 椒盐时代 发表于 2013-2-5 13:40 static/image/common/back.gif
我搭建了一个这样的电路，场馆用SI2302 ,IN+ = 5v ，负载OUT+接LED，PA1控制9013开/关。
实验结果：
1.PA ...
1为什么？
因为没有下拉电阻。
D14并联一个10k电阻到地 管子换大的，9630电流小。
楼上电路下面是接地的，楼主要下面输出的，如果电源不是共地的，可以用，要是共地，可能不行 1 莫元？{:biggrin:}
i_kkyu 发表于 2013-2-4 17:13 static/image/common/back.gif
1 莫元？
我没莫元啊
就9个了 只能拿出7个来 还得交税...
说实在的，模拟电路。。不大灵光啊。。水平不成啊。 你这是隔离的么？ 地是两个符号哦。 i_kkyu 发表于 2013-2-4 17:20 static/image/common/back.gif
说实在的，模拟电路。。不大灵光啊。。水平不成啊。
{:sweat:}
我也是搞不大明白啊
设计就... 不太懂楼主到底要做什么
现在这个电路就是IO控制+LOAD与地之间的开关的啊 用以下接法便可。
i_kkyu 发表于 2013-2-4 17:24 static/image/common/back.gif
IO口直接控制mos 不就行了么？ 咋整这么一大堆？ 哪方面的考虑？
电压不够的话，价格门电路，或者三极管就 ...
当一个地好了GND 呵呵
思路应该就是IO口控制MOS管的开启/关闭，来实现BAT+ 到 LOAD+的导通。
但BAT+ 到 LOAD+ 由于中间的电路是不能导通的。
难点就是这个 中间的电路啊。 你这电路虽然疑问挺多的 但是你说的要求应该是可以实现的吧
有什么问题吗？ Lz是想改成IO控制+bat的电压输出到+load的电路吧？ eblc1388 发表于 2013-2-4 17:27 static/image/common/back.gif
用以下接法便可。
谢谢
我先分析一下啊 haizheng4 发表于 2013-2-4 17:32 static/image/common/back.gif
你这电路虽然疑问挺多的 但是你说的要求应该是可以实现的吧
有什么问题吗？ ...
当IO口不置位的时候，LOAD+有电压输出吗？ 椒盐时代 发表于 2013-2-4 17:29 static/image/common/back.gif
当一个地好了GND 呵呵
思路应该就是IO口控制MOS管的开启/关闭，来实现BAT+ 到 LOAD+的导通。
但BAT+ 到 ...
IO口控制MOS管的开启/关闭，来实现BAT+ 到 LOAD+的导通，楼主早说明就省我一些时间。
D14可以不接，PMOS 选择要看 BAT+ 是多小伏，如小於5V，可能要使用逻辑电压开关型。
这是哪一出啊 eryunk 发表于 2013-2-4 17:26 static/image/common/back.gif
不太懂楼主到底要做什么
现在这个电路就是IO控制+LOAD与地之间的开关的啊
恩恩额
就这么个想法
可能我表述的不到位。
就是 BAT+ = 10V ,如果PA1 不置位 ，LOAD+ = 0V ,
反之，LOAD + = 10V. i_kkyu 发表于 2013-2-4 17:24 static/image/common/back.gif
IO口直接控制mos 不就行了么？ 咋整这么一大堆？ 哪方面的考虑？
电压不够的话，价格门电路，或者三极管就 ...
建议采用此君说的，即可！！ 本帖最后由 椒盐时代 于 2013-2-5 13:45 编辑
eblc1388 发表于 2013-2-4 17:44 static/image/common/back.gif
IO口控制MOS管的开启/关闭，来实现BAT+ 到 LOAD+的导通，楼主早说明就省我一些时间。
D14可以不接，PMOS ...
非常感谢您的指点
我重新画了下电路图，你看一下可行吗？
IRF3205----55V/110A
BAT+ 最高36V / 2.6A
LOAD+最高 几十伏特/80A haizheng4 发表于 2013-2-4 17:32 static/image/common/back.gif
你这电路虽然疑问挺多的 但是你说的要求应该是可以实现的吧
有什么问题吗？ ...
应该可以简化一下的
我感觉不需要这么复杂.... guowanling8061 发表于 2013-2-5 08:21 static/image/common/back.gif
建议采用此君说的，即可！！
这个如何
IRF3205----55V/110A
IN+ 最高36V / 2.6A
OUT+最高 几十伏特/80A eblc1388 发表于 2013-2-4 17:44 static/image/common/back.gif
IO口控制MOS管的开启/关闭，来实现BAT+ 到 LOAD+的导通，楼主早说明就省我一些时间。
D14可以不接，PMOS ...
这个如何
IRF3205----55V/110A
IN+ 最高36V / 2.6A
OUT+最高 几十伏特/80A
eblc1388 发表于 2013-2-4 17:44 static/image/common/back.gif
IO口控制MOS管的开启/关闭，来实现BAT+ 到 LOAD+的导通，楼主早说明就省我一些时间。
D14可以不接，PMOS ...
想法一样
我搭建了一个这样的电路，场馆用SI2302 ,IN+ = 5v ，负载OUT+接LED，PA1控制9013开/关。
实验结果：
1.PA1 = 0v ，IN+ = 5v ，则9013关闭不导通，但LED 亮，用万用表电压档，黑表笔接地，红表笔碰一下R34的任何一端，LED就不亮了。
2.PA1=5v ,IN+ = 5v ,9013导通，LED 亮, Vgs = 0.7V .
1为什么？求真相 椒盐时代 发表于 2013-2-5 08:08 static/image/common/back.gif
恩恩额
就这么个想法
可能我表述的不到位。
楼上有人已经说了，你用N沟道MOS是错的，应该用P沟道 hhxb 发表于 2013-2-5 13:52 static/image/common/back.gif
1为什么？
因为没有下拉电阻。
天使啊... hhxb 发表于 2013-2-5 14:12 static/image/common/back.gif
楼上有人已经说了，你用N沟道MOS是错的，应该用P沟道
P沟道型和N沟道型场效应管，区别是它们的导电沟道区是P型半导体还是N型半导体，以及加在栅极和源极之间的控制电压是正电压还是负电压。
增强型场效应管在栅源极间电压Vgs=0时不导通，漏极电流Id=0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通。
耗尽型场效应管则在栅源极间电压Vgs=0时就是导通的。
上面是百度的。
IRF3205栅极源极电压是 正负20V。
为么用P沟道啊？ 这种大功率场管完全导通需要20V>Vgs>10V，LZ给的in out条件明显不满足，这是要闹哪样啊？
还有那两个4148才能过多大的电流啊？！还要降个1.2V.......
R43换1-10欧,4007换10K电阻，4148短接。不能保证IN-OUTDS 10V以上的压差就换低压的场管。GS低于5V的，look:
椒盐时代 发表于 2013-2-5 14:27 static/image/common/back.gif
P沟道型和N沟道型场效应管，区别是它们的导电沟道区是P型半导体还是N型半导体，以及加在栅极和源极之间的 ...
10欧姆是负载，看出P沟道和N沟道的区别了吧？ 大斧 发表于 2013-2-5 14:38 static/image/common/back.gif
这种大功率场管完全导通需要20V>Vgs>10V，LZ给的in out条件明显不满足，这是要闹哪样啊？
还有那两个4148才 ...
恩
我了解N P沟道场管的区别了。
我IN+ 应该是12V 或者24 V ，电流比较大 0-50A 都有。
应该使用N沟道的。
~~
非常感谢指点~~
椒盐时代 发表于 2013-2-5 15:58 static/image/common/back.gif
恩
我了解N P沟道场管的区别了。
我IN+ 应该是12V 或者24 V ，电流比较大 0-50A 都有。
啊？ 使用N的？ 用N的，得控制GND去才行。 i_kkyu 发表于 2013-2-5 15:59 static/image/common/back.gif
啊？ 使用N的？
铅酸电池的UPS之类的呗？
50A的电流的话。这mos 的发热量可不小了啊。按 0.3欧姆的压差算的话，50X50X0.3， 可不小了。
1N4148 ，不是上去就冒烟啊。一上电，啥都没有啦。 i_kkyu 发表于 2013-2-5 16:10 static/image/common/back.gif
铅酸电池的UPS之类的呗？
50A的电流的话。这mos 的发热量可不小了啊。按 0.3欧姆的压差算的话，50X50X0.3 ...
呵呵 是啊
这样二极管肯定爆了
我考虑去掉两个4148 ，不用二极管了。
这是蓄电池与负载之间的电路，不知道去掉保护二极管会不会有问题？ 用N-MOS
发个帖子楼主也不回一下，真是皇上不急太监急{:smile:} xiaobendan001 发表于 2013-2-5 16:59 static/image/common/back.gif
楼上电路下面是接地的，楼主要下面输出的，如果电源不是共地的，可以用，要是共地，可能不行 ...
对啊
共地也是个问题啊
谢谢指点啊 大斧 发表于 2013-2-5 16:35 static/image/common/back.gif
用N-MOS
非常感谢啊
电路都模拟出来了
用的什么软件？右边37.9A就是表示流过场管的最大电流吧？不太明白这个软件那些参数的含义 椒盐时代 发表于 2013-2-6 08:15 static/image/common/back.gif
对啊
共地也是个问题啊
谢谢指点啊
不共地可以加光耦啊 椒盐时代 发表于 2013-2-6 08:18 static/image/common/back.gif
非常感谢啊
电路都模拟出来了
用的什么软件？右边37.9A就是表示流过场管的最大电流吧？不太明白这个软件 ...
这电流不是什么最大电流，根据负载的不同会有所变化。前提是mos管要完全导通且参数够。软件Multisim 11.0 大斧 发表于 2013-2-6 09:41 static/image/common/back.gif
不共地可以加光耦啊
加光耦？
如果不想加光耦，直接搞成两个地怎么样？负载单独的一个地。其他的和单片机一个地。 椒盐时代 发表于 2013-2-6 09:44 static/image/common/back.gif
加光耦？
如果不想加光耦，直接搞成两个地怎么样？负载单独的一个地。其他的和单片机一个地。 ...
不用光耦就用变压器，继电器，红外，蓝牙，光纤，卫星。。。。你挑吧
大斧 发表于 2013-2-6 09:43 static/image/common/back.gif
这电流不是什么最大电流，根据负载的不同会有所变化。前提是mos管要完全导通且参数够。软件Multisim 11.0 ...
恩
谢谢~~ 大斧 发表于 2013-2-6 09:48 static/image/common/back.gif
不用光耦就用变压器，继电器，红外，蓝牙，光纤，卫星。。。。你挑吧
...
{:funk:}
汗... 控制电源用P管，你这用N管要控制GND！LED接场管上面！ xtxtt 发表于 2013-2-18 14:26 static/image/common/back.gif
控制电源用P管，你这用N管要控制GND！LED接场管上面！
谢谢~~~~~~ 椒盐时代 发表于 2013-2-18 14:39 static/image/common/back.gif
谢谢~~~~~~
客气了！
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